技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于可调控多孔硅衬底制备Cu掺杂氧化铟纳米线的方法，采用CVD法制备氧化铟纳米线，通过对基底材料进行加工制备出表面均匀多孔的衬底，从而制备出规整阵列的纳米线结构。采用本发明方法，可以根据所需要的条件对衬底表面的孔洞进行调整，改变孔的分布以及尺寸，向其中注入催化剂金，从而对纳米线的生长(分布、尺寸)进行调控。能够有效的减少制备过程中纳米颗粒和块体的产生，同时也使得制备的纳米线能够与衬底结合的更加牢固。使得制备的Cu掺杂氧化铟纳米线更有实际应用价值。
技术研发人员：刘技文;温帅
受保护的技术使用者：天津理工大学
技术研发日：2018.02.05
技术公布日：2018.08.07