本发明涉及引线框架。
背景技术：
在背景技术中，存在有用于将诸如半导体芯片等电子元件安装在其上的引线框架。在这种引线框架中，已被安装在芯片焊盘上的半导体芯片通过导线与周围的引线连接，并且使用密封树脂对半导体芯片和导线进行密封(例如，参见jp-a-2004-319816和jp-a-2013-58693)。
如将在下述初步技术中描述的，当将具有成形为长侧的外框架的引线框架储存在框架贮存器中时，存在这样的问题：外框架的长侧表面的直角部分可能与框架贮存器的内壁接触并摩擦从而导致毛刺的产生。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种具有新颖结构的引线框架，所述引线框架可以防止在引线框架的外框架的侧表面处产生毛刺，以及所述引线框架的制造方法。
根据本发明的一个或多个方面，提供一种引线框架。所述引线框架包括外框架。所述外框架包括：一个表面；另一表面，其与所述一个表面相对；侧表面，其在所述一个表面与所述另一表面之间；
凹部，其形成为从所述一个表面延伸到所述侧表面；以及凹口台阶部分，其形成为从所述另一表面延伸到所述侧表面。
根据本发明的一个或多个方面，提供一种制造引线框架的方法。所述方法包括：a)制备限定至少一个框架区域的金属板；b)在所述框架区域中的所述金属板的相对的两个表面上分别形成抗蚀层的图案；c)使用所述抗蚀层作为掩模从相对的两个表面侧对所述金属板进行湿法刻蚀，从而在所述框架区域中形成框架部件；d)去除所述抗蚀层；以及e)使所述框架部件从所述框架区域分离，从而获得所述引线框架。所述框架部件包括外框架。所述外框架包括：一个表面；另一表面，其与所述一个表面相对；侧表面，其在所述一个表面与所述另一表面之间；凹部，其形成为从所述一个表面延伸到所述侧表面；以及凹口台阶部分，其形成为从所述另一表面延伸到所述侧表面。
附图说明
图1a和图1b是用于解释根据初步技术所描述的引线框架的平面图和透视图；
图2是根据实施例的引线框架的平面图；
图3是示出图2中的引线框架的外框架的长侧表面的局部放大透视图；
图4a和图4b是示出图2中的引线框架的外框架的长侧表面的局部平面图；
图5是示出图4a中的凹部的变型例的局部平面图；
图6a是沿图3所示的线i-i截取的截面图；
图6b是沿图3所示的线ii-ii截取的截面图；
图6c是沿图3所示的线iii-iii截取的截面图；
图7是示出图2中的引线框架的外框架的长侧表面的局部放大透视图(变型例)；
图8a是示出将图2中的引线框架储存在框架贮存器中的状态的截面图；
图8b是示出将图2中的引线框架储存在框架贮存器中的状态的局部透视图；
图9是示出根据实施例的引线框架的制造方法的平面图(第1部分)；
图10a和图10b是示出根据实施例的引线框架的制造方法的平面图(第2部分)；
图10c示出了图10a中的引线框架的变型例；
图11a和图11b是示出根据实施例的引线框架的制造方法的截面图(第3部分)；
图12a和图12b是示出根据实施例的引线框架的制造方法的平面图(第4部分)；
图13是示出根据实施例的引线框架的制造方法的平面图(第5部分)；
图14是示出根据实施例的电子元件装置的截面图；
图15是示出根据实施例的变型例的引线框架的平面图；
图16是示出根据实施例变型例的电子元件装置的截面图；以及
图17a至图17c是示出根据实施例的引线框架内部的多个产品区域的不同布局的平面图。
具体实施方式
下面将参考附图对实施例进行描述。
在描述实施例之前将对作为实施例基础的初步技术进行描述。
图1a和图1b是用于解释根据初步技术所描述的引线框架的视图。初步技术的描述有关于本发明人的个人研究的细节，该个人研究的细节包括不属于已知技术的技术。
如图1a所示，根据初步技术所描述的引线框架设置有外框架100。外框架100具有长方形外形。外框架100内部限定有多个产品区域r。每个产品区域r中布置有与外框架100接合的芯片焊盘和引线(未示出)。
在构建半导体装置的制造过程中或在运输期间，引线框架储存在框架贮存器(未示出)中。框架贮存器由金属制成。
在框架贮存器的两个相对侧板的各自内壁上沿上/下方向并排设置有多个导轨。外框架100在引线框架的长边方向(长侧方向)上的相对的两个边缘部分被布置在框架贮存器的相对两侧的导轨上。因此，可以将多个引线框架储存在框架贮存器中。
当将引线框架放入框架贮存器或从框架贮存器取出时，引线框架的外框架100的长侧表面(长边表面)与框架贮存器的侧板的内壁接触并摩擦。
因此，在引线框架的外框架100的侧表面和框架贮存器的侧板的内壁处易于产生毛刺。当产生毛刺并因此毛刺离开引线框架时，毛刺易于散布在引线框架的已布置有芯片焊盘或引线的区域上。
当毛刺的长度长于芯片焊盘与引线之间的距离，或长于引线与相邻的另一引线之间的距离时，则芯片焊盘和引线之间或相邻的引线之间通过毛刺彼此连接。结果，产生电短路。
作为处理该问题的措施，如图1b的局部透视图所示，在图1a中的引线框架的外框架100的每个外边缘部分的上表面和下表面中形成有延伸至外框架100的外边缘部分厚度的中间处的第一凹部c1和第二凹部c2。
从而，使引线框架的外框架100的每个侧表面的直角部分的长度缩短。因此，即使当产生毛刺时，毛刺的长度也更短。结果，可以减小芯片焊盘和引线之间或彼此相邻引线之间可能通过毛刺而彼此连接的风险。
然而，第一凹部c1的内壁或第二凹部c2的内壁与外框架100的侧表面邻接的每个部分(图1b中的部分a)形成为尖锐的直角。因此，在该部分处易于产生毛刺。为了解决该问题，令人期望的是，形成与图1b中的引线框架的外框架100的外边缘部分的侧表面的结构相比可以更好地抑制毛刺的产生的结构。
通过根据将在后文中描述的实施例的引线框架可以解决前述问题。
(实施例)
图2至图8是用于解释根据实施例的引线框架的视图。图9至图13用于解释根据实施例的引线框架的制造方法的视图。
如图2所示，根据实施例的引线框架1具有由外框架10和内框架12形成的框架结构。外框架10具有长方形(矩形)外形。内框架12与外框架10相接合。在外框架10的长方形形状中，沿水平方向延伸的一对框架部分比沿竖直方向延伸的一对框架部分的长度长。
由外框架10和内框架12限定的每个方形区域用作一个产品区域r。在产品区域r的中央部分中布置有方形芯片焊盘20。另外，芯片焊盘20的四个角部分别连接有支撑杆22。支撑杆22与外框架10和内框架12相接合。
以这种方式，利用四个支撑杆22将芯片焊盘20支撑在外框架10和内框架12中。
此外，在产品区域r的每一侧设置有四个引线24。与产品区域r的芯片焊盘20的四个侧边相对的外框架10和内框架12与引线24相接合。在产品区域r中，引线24从外框架10和内框架12的内壁朝向设置在产品区域r内侧的芯片焊盘20延伸。
在图2的引线框架1的实例中，设置有2×4个产品区域r。然而，可以根据需要对设置在一个引线框架1中的产品区域r的数量或布局进行设定。
通过从金属板的相对的两个表面侧对金属板进行湿法刻蚀和图案化，可以制造根据实施例的引线框架1。引线框架1通过由铜、铜合金、铁镍合金等制成的金属板形成。优选地，通过电镀从底部到顶部以指定的顺序将镍(ni)层/钯(pd)层/金(au)层形成在引线框架1的包括上表面、下表面和侧表面的全部表面上。
作为选择，可以从底部到顶部以指定的顺序将镍(ni)层/钯(pd)层/金(au)层仅形成在要进行引线接合的引线24的上表面上。
另外，可以通过电镀形成单个银(ag)层以替代镍(ni)层/钯(pd)层/金(au)层。
图3是示出图2中的引线框架1的外框架10的外边缘部分10a的放大的侧表面(由b指定的部分)的局部放大透视图。
在实施例中，将引线框架1的外框架10的一个表面描述为上表面，并且将外框架10的另一表面描述为下表面。或者，以反过来的方式，可以将外框架10的一个表面描述为下表面，并且可以将外框架10的另一表面描述为上表面。
如图3所示，引线框架1的外框架10的外边缘部分10a设置有上表面s1、下表面s2、以及侧表面s3。多个凹部c形成为从引线框架1的外框架10的外边缘部分10a的上表面s1延伸到侧表面s3。
凹部c形成为从外框架10的外边缘部分10a的上表面s1延伸到外边缘部分10a的厚度的中间处。凹部c的水平开口端从外框架10的外边缘部分10a的侧表面s3露出。多个凹部c沿外框架10的外边缘部分10a的侧表面s3以预定间隔并排布置。
另外，凹口台阶部分g形成为从引线框架1的外框架10的外边缘部分10a的下表面s2延伸到侧表面s3。凹口台阶部分g一体地形成在从图2中的引线框架1的外框架10的一个长侧端(长边端)e1到另一个长侧端e2的整个范围内。
当从侧面观察图3中的凹口台阶部分g时，凹口台阶部分g形成为倒置的l形形状。凹口台阶部分g由凹口侧表面g1和凹口上表面g2形成。凹口侧表面g1从外框架10的侧表面s3向里缩进。凹口上表面g2与凹口侧表面g1的上端邻接。
凹口台阶部分g形成为从外框架10的侧表面s3的下部延伸到侧表面s3的宽度方向的中间处。凹口台阶部分g从外框架10的侧表面s3露出。
凹口台阶部分g形成在外框架10的侧表面s3的下部处。以这种方式，外框架10的外边缘部分10a的侧表面s3的下端向里缩进。
图4a是当从顶部观看时的图3的局部平面图。图4b是当从底部观看时的图3的局部平面图。如图4a和图4b所示，每个凹部c形成为平面图中的弯曲凹部。在平面图中，凹部c被示出为例如半圆形凹部。
除图3外，还参考图4a。每个凹部c的侧壁与外框架10的外边缘部分10a的侧表面邻接的部分被倒圆并形成为弯曲表面形状，从而用作圆角面(roundsurface)cs。因此，凹部c的水平开口端的侧壁部分被倒圆并形成为圆角面cs。在图4a中，省略了凹部c的底部的线，以便简化示意图。
另外，除图3外，还参考图4b。凹口台阶部分g一体地形成为从图2中的外框架10的侧表面的下部的一个长侧端e1延伸到另一长侧端e2。作为选择，可以将凹口台阶部分g分为多个部分，并且布置在从图2中的外框架10的侧表面的下部的一个长侧端e1到另一长侧端e2的范围内的区域中。
凹部c的圆角面cs的圆(圆度)被设定在r0.01mm到r0.1mm的范围内。r0.01mm与半径为0.01mm的圆的弧形形状相对应。r0.1mm与半径为0.1mm的圆的弧形形状相对应。
另外，如图4a所示，在外框架10的侧表面的上端中，凹部c中的相邻凹部之间的部分形成为平面图中直线平坦部分ex。平坦部分ex的宽度w1的尺寸为例如0.01mm至0.1mm。外框架10的侧表面的上端的部分是侧表面与上表面彼此邻接的部分。凹部c的宽度w2被设定为例如在0.1mm至0.2mm的范围内。
另外，凹部c的深度l1被设定为例如在0.1mm至0.2mm的范围内。另外，凹口台阶部分g的深度l2被设定为例如在0.05mm至0.2mm的范围内。
这里，如下文所述，将对与该实施例不同的情况进行描述。即，在外框架10的每个侧表面的上端中，凹部c中的相邻凹部之间的部分形成为平面图中的与圆角面cs相连接的半圆形形状。在这种情况下，当对金属板进行湿法刻蚀以获得这种引线框架时，引线框架的外框架10的每个侧表面的前端的位置向里缩进从而容易导致变化。不能够稳定地获得根据设计规范的引线框架的宽度。
此外，当通过图像识别来测量引线框架的宽度时，可能不能清楚地识别外框架10的外边缘线，从而不能精确地测量宽度。
在实施例中，在外框架10的每个侧表面的上端中，相邻凹部c之间的部分形成为平面图中直线的平坦部分ex。因此，当对金属板进行湿法刻蚀以获得引线框架1时，在平面图中引线框架1的外框架10的相对的两个侧表面具有更多的直线部分。因此，可以获得具有稳定宽度的引线框架。
另外，可以清楚地对引线框架1的外框架10的外边缘线进行图像识别。因此，可以可靠地测量宽度。
图5是示出图4a中的凹部c的变型例的局部平面图。如图5所示，凹部c形成为平面图中的弯曲凹部，并且使凹部c的宽度w2长于凹部c的深度l1。因此，圆角面cs容易形成为平缓弯曲形状。因此，从抑制毛刺产生的角度考虑，形成为如此的结构是更加优选的。
图6a是沿图3的经过每个凹部c的深度的中间位置的线i-i截取的截面图。如图6a所示，在截面中看到的每个凹部c形成为到达外框架10的厚度的中间处的u形形状。凹部c独立地形成从而彼此不连通。
图6b是沿图3的线ii-ii截取的截面图。图6c是沿图3的线iii-iii截取的截面图。如将在后文中描述的，从用于形成多个引线框架的大尺寸金属板的相对的两个表面侧对该金属板进行湿法刻蚀，从而可以获得多个引线框架。
因此，如图6b所示，每个凹部c的内表面以及在凹部c下方的凹口台阶部分g的内表面形成为凹陷弯曲表面。
以类似的方式或相同的方式，如图6c所示，凹部c中的相邻凹部之间的侧表面的内表面的部分、以及在凹部c下方的凹口台阶部分g的内表面形成为凹陷弯曲表面。
在图2中的引线框架1的上侧的外框架10的侧表面中，也形成有类似或相同的凹部c以及类似或相同的凹口台阶部分g。因此，凹部c和凹口台阶部分g形成在分别位于外框架10的相对的两个长边(长侧)的一对外边缘部分10a中。
作为选择，如图7的变型例所示，与图3所示的结构相反，凹部c可以形成为从外框架10的下表面延伸到侧表面，使得一体式凹口台阶部分g可以形成为从外框架10的上表面延伸到侧表面。在图7的变型例中，凹口台阶部分g由凹口侧表面g1和凹口下表面g3形成。
在图7的变型例中，上下颠倒地布置前述图3中的凹部c和凹口台阶部分g。因此，当上下颠倒地翻转时，图7的变型例中的凹部c和凹口台阶部分g分别具有与前述图3中的凹部c和凹口台阶部分g相同的形状。因此，将省略对凹部c和凹口台阶部分g的详细描述。
图8a和图8b示出了其内储存有根据实施例的引线框架1的框架贮存器30。框架贮存器30设置有由底板32、顶板34和侧板36构建的箱体38。箱体38的前表面是敞开的。箱体38的相对的两个侧板36的各自的内壁上设置有多个导轨36a。
框架贮存器30的箱体38和导轨36由诸如不锈钢等金属制成。
在框架贮存器30中储存图2中的引线框架1。每个引线框架1的长边上的外框架10的相对的两个外边缘部分10a布置在框架贮存器30的相对两侧上的导轨36上。
如图8b中的局部透视图所示，当将引线框架1放入框架贮存器30或从框架贮存器30取出时，引线框架1的外框架10的外边缘部分10a的侧表面与框架贮存器30的侧板36的内壁接触并摩擦。
在该情况下，如上文所述，在根据本实施例的引线框架1中，凹部c形成在引线框架1的外框架10的每个外边缘部分10a的上表面侧，并且凹口台阶部分g一体地形成在每个外边缘部分10a的下表面侧。此外，外框架10的每个凹部c的内壁(侧壁)与对应侧表面邻接的部分被倒圆并形成为圆角面cs。
因此，可以防止在凹部c的水平开口端的侧壁部分处产生毛刺。另外，凹口台阶部分g一体地形成在外框架10的每个侧表面的下部处。因此，外框架10的侧表面的下部缩进以布置在内部位置处。
因此，与框架贮存器30的侧板36的内壁相接触的外框架10的侧表面的面积被减小到一半以下。此外，外框架10的侧表面的下端的直角部分不与框架贮存器30的侧板36的内壁相接触。因此，可以抑制在引线框架1的外框架10的侧表面处产生毛刺。
另外，凹部c形成在引线框架1的外框架10的外边缘部分10a的上表面侧上。因此，可以减小引线框架1的外框架10的侧表面的上端中的直角部分的数量。
因此，可以减小引线框架1中产生的毛刺的量。另外，即使当在引线框架1中产生毛刺时，毛刺也仅在外框架10的侧表面的上端处布置在凹部c中的相邻凹部之间的任何直角部分处产生。当减小相邻凹部c之间的距离时，可以减小毛刺的长度。
优选地，图4a中的平坦部分ex的宽度w1被设定为短于图2中的引线框架1的芯片焊盘20与引线24之间的距离，或短于彼此相邻的引线24之间的距离。
因此，即使当引线框架1的平坦部分ex处产生毛刺并且随后毛刺散布在引线框架1的内部上时，毛刺的长度也短于芯片焊盘20与引线24之间的距离或相邻引线24之间的距离。因此，可以防止在芯片焊盘20与引线24之间产生电短路或在相邻的引线24之间产生电短路。
另外，减小了引线框架1的外框架10的每个侧表面的面积，并且外框架10的侧表面的直角部分的数量更少了。因此，还可以抑制在框架贮存器30的侧板36的内壁处产生毛刺。
当将图2中的引线框架1储存在框架贮存器30中时，引线框架1的外框架10的一对短侧表面(短边表面)不与框架贮存器的侧板的内壁相摩擦。因此，不需要在引线框架1的外框架10的一对短侧表面中形成凹部c和凹口台阶部分g。
如将在后文所描述的，用于各种制造装置的传送机构在对使用引线框架1的电子元件装置进行组装的步骤中可能与外框架10的长侧表面和短侧表面都接触。在该情况下，引线框架1的外框架10的短侧表面中可能产生毛刺。
因此，如果有必要的话，可以在外框架10的短侧表面中形成凹部c和凹口台阶部分g。因此，可以抑制在引线框架1的短侧表面中产生毛刺。
接下来，将对图2中的前述引线框架1的制造方法进行描述。
如图9所示，首先，制备用于形成多个引线框架1的大尺寸金属板5。金属板5由铜、铜合金、铁镍合金等制成为0.1mm至0.25mm厚。
在金属板5中限定有多个框架区域f。可以从每个框架区域f获得图2中的前述引线框架1。
基于光刻将用于获得图2中的前述引线框架(框架部件)的抗蚀层的图案(未示出)形成在金属板5的每个框架区域f的相对的两个表面侧上。
图10a和图10b是示出图9中在竖直方向上彼此相邻的两个框架区域f之间的边界区域(由c指定的部分)中的抗蚀层的外框架图案的外边缘部分的局部放大平面图。图10a是示出金属板5的上表面侧上的第一抗蚀层15的局部放大平面图。图10b是示出金属板5的下表面侧上的第二抗蚀层17的局部放大平面图。
如图10a所示，分别将用于获得图2中的引线框架1的图案的第一抗蚀层15图案化在金属板5的上表面侧上的框架区域f中。
第一抗蚀层15中的每一个包括具有长方形外形的外框架图案、以及布置在外框架图案的开口部分15a的侧表面中的多个半圆形凹口部分n。多个凹口部分n在长边方向上以预定间隔并排布置。
在第一抗蚀层15的每个开口部分15a的侧表面中，凹口部分n中的相邻凹口部分之间的部分形成为平坦部分ey。尽管未示出，但第一抗蚀层15的整个外框架图案形成为与图2中的前述引线框架1的外框架对应的形状。
以类似方式或相同方式，如图10b所示，分别将用于获得图2中的引线框架1的图案的第二抗蚀层17图案化在金属板5的下表面侧上的框架区域f中。将第二抗蚀层17图案化，使得一体化的凹口台阶部分g形成在图2中的引线框架1的外框架10的侧表面的下部中。
在图9中的每个框架区域f中，第二抗蚀层17的开口部分17a的侧表面直线地布置在与图10a中的第一抗蚀层15的凹口部分n的深端对应的位置。
布置第一抗蚀层15的凹口部分n以形成前述引线框架1的外框架10中的凹部c。
这里，如图10a所示，第一抗蚀层15的每个凹口部分n的侧壁与对应的开口部分15a的侧表面邻接所成的角度θ被设定为大于90°且不大于135°，以便将凹部c的每个开口端的侧壁部分形成为如前述图4a所示的充分圆角面cs。
另外，在第一抗蚀层15的每个开口部分15a的侧表面中，凹口部分n中的相邻凹口部分之间的部分形成为平面图中的平坦部分ey。
作为选择，如示出了图10a的变型例的图10c所示，将第一抗蚀层15图案化，使得第一抗蚀层15的每个凹口部分n的侧壁与对应的开口部分15a的侧表面邻接的部分可以形成为圆角弯曲表面cx。
尽管未具体地示出，但将第一抗蚀层15和第二抗蚀层17图案化在金属板5的相对的两个表面侧上，使得图9中的金属板5的每个框架区域f中可以获得前述引线框架1的外框架10、内框架12、芯片焊盘20、支撑杆22、以及引线24。
接下来，在使用金属板5的相对两个表面侧上的第一抗蚀层15和第二抗蚀层17作为掩模的同时，从金属板5的相对两侧通过开口部分15a和17a对金属板5进行湿法刻蚀。
当使用铜作为金属板5的材料时，可以将氯化铁溶液、氯化铜溶液、氯化铜铵溶液等用作刻蚀剂。可以优选地使用喷雾刻蚀装置作为刻蚀装置。
在该情况下，如图11a所示，使金属板5穿孔，使得从金属板5的上表面侧上的第一抗蚀层15的凹口部分n(图10a)起的刻蚀面与从金属板5的下表面侧上的第二抗蚀层17的开口部分17a的侧表面(图10b)起的刻蚀面可以彼此连通。
图11a示出了图10a中的第一抗蚀层15的每个凹口部分n内侧的区域中的金属板5的刻蚀截面。
同时地，如图11b所示，使金属板5穿孔，使得从金属板5的上表面侧上的第一抗蚀层15的平坦部分ey(图10a)起的刻蚀面与从金属板5的下表面侧上的第二抗蚀层17的开口部分17a的侧表面(图10b)起的刻蚀面可以彼此连通。
图11b示出了图10a中的第一抗蚀层15的每个平坦部分ey内侧的区域中的金属板5的刻蚀截面。
从而，形成类似矩形形状的外框架10。同时，凹部c形成为从外框架10的外边缘部分10a的上表面延伸到外边缘部分10a的侧表面，并且凹口台阶部分g形成为从外边缘部分10a的下表面延伸到外边缘部分10a的侧表面。
图12a和图12b示出了这样的状态：金属板5已被从相对两侧湿法刻蚀为穿孔，并且第一抗蚀层15和第二抗蚀层17已被去除。
图12a是示出框架部件1x的外框架10的外边缘部分10a的上表面侧的局部放大平面图。图12b是示出框架部件1x的外框架10的外边缘部分10a的下表面侧的局部放大平面图。
如图12a所示，将金属板5图案化，从而在图9中的各个框架区域f中获得包括有外框架10的框架部件1x。
如图12a所示，外框架10的每个外边缘部分10a的上表面侧上并排形成有多个凹部c。有关这种情况参见前述图10a。第一抗蚀层15的每个凹口部分n的侧壁与第一抗蚀层15的开口部分15a的侧表面邻接所成的角度θ被设定为大于90°。从图10a中的第一抗蚀层15的凹口部分n的开口端的下端对金属板5进行各向同性刻蚀。
因此，如图12a所示，对凹部c的水平开口端的侧壁部分进行刻蚀从而实施倒角，使得凹部c的每个水平开口端的侧壁部分被倒圆并形成用作圆角面cs的弯曲表面。
当将图10a中的第一抗蚀层15的每个凹口部分n的开口端的角度θ设定为不大于90°时，则不容易对凹部c的水平开口端的侧壁部分进行倒角，从而使得凹部c的水平开口端的侧壁部分形成为具有小圆的圆角面。因此，角度θ优选地设定为超过90°以便获得具有足够大的圆的圆角面。
作为选择，当使用根据前述图10a的变型例的第一抗蚀层15的图案时，凹部c的开口端的侧壁部分形成为与第一抗蚀层15的凹口部分n的开口端的弯曲表面cx对应的具有足够大的圆的圆角面cs。
如图12b所示，一体化的凹口台阶部分g形成在外框架10的外边缘部分10a的下表面侧上。每个凹口台阶部分g一体地形成为从(图2的)外框架10的外边缘部分10a的一个长侧端e1延伸到另一长侧端e2。
如图12a所示，与第一抗蚀层15的侧表面的平坦部分ey对应地，在每个外框架10的侧表面的上端中，凹部c中的相邻凹部之间的部分形成为平面图中的直线平坦部分ex。因此，如上所述，可以稳定地形成具有期望宽度的引线框架。
另外，从第一抗蚀层15的凹口部分n到金属板5的厚度的中间处的范围内对金属板5进行各向同性刻蚀，使得凹部c布置在外框架10的侧表面中。因此，每个凹部c形成为在开口端侧(外框架10的侧表面侧)的深度比在深侧(外框架10的内侧)的深度更深(见图11a)。
尽管未具体地示出，但是通过使用相对的两个表面侧上的第一抗蚀层15和第二抗蚀层17的图案作为掩模，从相对的两个表面侧对金属板5进行湿法刻蚀以便同时使图9中的金属板5的各个框架区域f的内部进行穿孔。
因此，在金属板5的每个框架区域f的内部，内框架12、芯片焊盘20、支撑杆22以及引线24形成为与外框架10相接合。
以这种方式，如图13所示，均具有与图2中的引线框架1相同结构的框架部件1x分别形成在图9中的金属板5的框架区域f中。此时，分别布置在框架区域f中的框架部件1x在多个框架部件1x通过接合部分14彼此之间相连接的状态下与外周框架11相接合。
在图13中的每个框架部件1x中，省略了外框架10、内框架12、芯片焊盘20、支撑杆22以及引线24各自的图案。
然后，切割图13中的金属板5的接合部分14以使布置在框架区域f中的框架部件1x彼此分开。结果，分别地获得各引线框架1。
以前述方式，制造出如图2所示的根据实施例的前述引线框架1。
接下来，将对使用图2中的前述引线框架来构建电子元件装置的方法进行描述。如图14所示，制备前表面上设置有连接端子42的半导体芯片40。利用粘合剂44使半导体芯片40的背面与图2中的引线框架1的每个产品区域r的芯片焊盘20结合。
接下来，通过引线接合法将半导体芯片40的连接端子42经由金属线46与引线24分别彼此连接。金属线46由金、铜等制成。
此外，将用于对产品区域r中的芯片焊盘20、半导体芯片40、金属线46、引线24等进行密封(封装)的密封树脂(封装树脂)50形成在整个引线框架1上。密封树脂50形成为覆盖引线框架1的上表面侧而使引线框架1的下表面侧露出。
然后，切割密封树脂50和引线框架1，使外框架10和内框架12与支撑杆22和引线24分离，使得可以分别地获得各个产品区域r。
从而，获得根据实施例的电子元件装置2。可以使用例如存储器、电源控制器或lsi芯片(诸如cpu等)作为各个半导体芯片40。然而，作为选择，可以安装各种电子元件。
图15示出了根据实施例的变型例的引线框架1a。正如在根据变型例的引线框架1a中，可以将芯片焊盘20和支撑杆22从图2的引线框架去除。
图16示出了根据该变型例的电子元件装置2a，该电子元件装置2a使用根据图15所示的变型例的引线框架1a。在根据变型例的电子元件装置2a中，如图16所示，将芯片焊盘20从图14中的电子元件装置2去除，并且使半导体芯片40的背面从密封树脂50的下表面露出。半导体芯片40的背面上可以设置有绝缘片材。
图17a至图17c是示出引线框架1内部的产品区域r的不同布局的平面图。
在图17a的实例中，产品区域r分散地布置在引线框架1内部。位于产品区域r间的内框架12被设定为较宽。当由图17a中的引线框架1构建图14中的电子元件装置2时，使用密封树脂50分别地对各个产品区域r进行密封。此外，切割并冲压从密封树脂50露出的内框架12。结果，分别地获得各电子元件装置。
在图17b中，布置有多个区块，在每个区块中，多个产品区域r设置为彼此相邻。在图17b的实例中，三个区块a、b和c布置在引线框架1内部。内框架12在区块a、b和c中的每一个区块的内部被设定为较窄，而内框架12在区块a、b和c中的相邻区块之间被设定为较宽。
当由图17b中的引线框架1构建图14中的电子元件装置2时，使用密封树脂50对区块a、b和c中的每个区块共同地进行密封。此外，在区块a、b、c中，沿产品区域r间的边界对密封树脂50和引线框架1进行切割。结果，分别地获得各电子元件装置。
另外，在图17c中，全部产品区域r彼此相邻地布置在引线框架1内部。当由图17c中的引线框架1构建图14中的电子元件装置2时，使用密封树脂50对全部产品区域r共同地进行密封。此外，沿产品区域r间的边界对密封树脂50和引线框架1进行切割。结果，分别地获得各电子元件装置。
从图17b中的引线框架1或图17c中的引线框架1内部的每个产品区域r获得具有图14的前述结构的电子元件装置2。
在前述实施例中，将引线框架1、1a和电子元件装置2、2a应用于已示出的qfn(方形扁平无引脚封装)结构。
除此之外，本发明还可以应用于用于qfp(方形扁平式封装)、sop(小外形封装)等的各种引线框架的外框架。
如上文所述，对示例性实施例和变型例进行了详细描述。然而，本发明不限于上述实施例和变型例，在不背离权利要求的范围的情况下，可将各种修改和替换应用于上述实施例和变型例。
本申请要求2017年2月17日提交的日本专利申请no.2017-028221的优先权，该专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。