技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体互连结构的制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供具有互连线的下方介质层；在下方介质层上依次形成富含氮的蚀刻终止检测层、层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；在金属硬掩模层层上形成具有开口图案的光刻胶层，以光刻胶的开口图案为掩模，对下方的金属硬掩模层进行第一刻蚀；在金属硬掩模层中形成开口之后，对下方的层结构进行第二刻蚀，第二刻蚀采用第二源功率的氧等离子体刻蚀，并且其中的第二源功率大于第一源功率；当刻蚀到富含氮的蚀刻终止检测层时，采用氮等离子体进行第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；在暴露出下方的互连线之后，持续通入氢气，最终获得层间介质层中的开口结构。
技术研发人员：赵红英
受保护的技术使用者：佛山市宝粤美科技有限公司
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.07.13