技术特征：
技术总结
本发明公开一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法，包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，p型掺杂GaN层。在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜、反射镜保护层、N MESA开孔、绝缘层，再开出n‑pad圆孔图形；利用无氧干法刻蚀n‑pad圆孔内的SiO2，填充孔内N金属电极，制备键合层金属；剥离旧的生长衬底，制备MESA切割道、钝化层PA、P电极图案、P电极金属，形成LED芯片。本发明通过控制SiO2与光刻胶的刻蚀比，解决了3D通孔超结构LED芯片的电压过高问题。将整片LED wafer的驱动电压良率大幅提升，片内电压均值可降至3.0V以下。
技术研发人员：李国强;张云鹏
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.08.10