技术特征：
技术总结
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去除所述介质层与第一通孔区对应的部分，露出势垒层，形成一个第一通孔；在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极；依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，所述第一金属层与所述正面源电极相连本发明能够精确控制通孔尺寸，提高通孔刻蚀工艺的一致性和稳定性。
技术研发人员：宋洁晶;谭永亮;胡多凯;李飞;周国;崔玉兴
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.07.27