碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法。能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子％以上且30原子％以下的比率存在。

技术研发人员：石桥惠二
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2012.05.30
技术公布日：2018.07.27