技术特征：
技术总结
一种影像感测装置，包含半导体基材、辐射感测元件、元件层和沟渠隔离。半导体基材具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。辐射感测元件设置于半导体基材的光感测区中且从半导体基材的前侧表面延伸出，此辐射感测元件包含带隙能量小于1.77电子伏特的半导体材料。元件层位于半导体基材的前侧表面及辐射感测元件上。沟渠隔离设置于半导体基材的隔离区中且从半导体基材的背侧表面延伸出。
技术研发人员：魏嘉余;林彦良;李国政;黄薰瑩;陈信吉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.03.13
技术公布日：2019.05.17