1.一种磁阻效应元件，具备：
磁化自由层，沿着第一面延伸；
介入层，沿着所述第一面延伸，并且层叠在所述磁化自由层上；以及
磁化固定层，沿着所述第一面延伸，并且隔着所述介入层设置在所述磁化自由层的相反侧，
所述磁化自由层包括对所述第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。
2.一种磁阻效应元件，具备：
磁化自由层，沿着第一面延伸；
介入层，沿着所述第一面延伸，并且层叠在所述磁化自由层上；以及
磁化固定层，沿着所述第一面延伸，并且隔着所述介入层设置在所述磁化自由层的相反侧，
所述磁化自由层包括对所述第一面的最小倾斜角度小于等于25°的端面。
3.一种磁阻效应元件，具备：
磁化自由层，沿着第一面延伸；
介入层，沿着所述第一面延伸，并且层叠在所述磁化自由层上；以及
磁化固定层，沿着所述第一面延伸，并且隔着所述介入层设置在所述磁化自由层的相反侧，
所述磁化自由层包括：
平坦部分，具有实质上一定的第一厚度；以及
倾斜部分，包括端面，并且具有越远离所述平坦部分越减小的第二厚度，
满足下列条件表达式(1)，
L2*(L1)2≥0.4……(1)
其中，
L1：磁化自由层的平坦部分的沿着第一面的长度；
L2：磁化自由层的倾斜部分的沿着第一面的长度。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的磁阻效应元件，其中，
所述磁化自由层进一步包括：
第一主面，沿着所述第一面扩展，并且面向所述介入层；以及
第二主面，沿着所述第一面扩展，并且位于所述介入层的相反侧，
所述端面中的、所述端面和所述第一主面交叉的第一位置与所述端面和所述第二主面交叉的第二位置之间的部分，在与所述第一面正交的第二面上，从连接所述第一位置与所述第二位置的直线上的位置凹进。
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的磁阻效应元件，其中，
所述介入层包含非磁性且导电性的第一材料或非磁性且非导电性的第二材料。
6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的磁阻效应元件，其中，
所述磁化自由层在与所述第一面正交的厚度方向上具有大于等于6nm且小于等于13nm的厚度。
7.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的磁阻效应元件，其中，
所述磁化自由层在沿着所述第一面的检测对象磁场的方向上具有小于等于6μm的长度。
8.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的磁阻效应元件，其中，
所述磁化自由层的沿着所述第一面的面积在对所述介入层最近的位置为最小。
9.根据权利要求8所述的磁阻效应元件，其中，
所述磁化自由层的沿着所述第一面的面积越接近所述介入层越缩小。