1.一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部；所述鳍部的材料为硅；
步骤S02：使用二氟化氙气体对鳍部的表面进行处理，以对鳍部表面的粗糙度进行改善。
2.根据权利要求1所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S01中，先在所述半导体衬底的表面上形成介质层，然后在所述介质层上形成鳍部。
3.根据权利要求1或2所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S02中，使用二氟化氙气体对鳍部的表面进行处理时，包括以下步骤：
步骤S021：使二氟化氙气体吸附在鳍部表面，并分解产生F2气体；
步骤S022：通过吸附在鳍部表面的F2气体和鳍部材料硅反应生成气相产物；
步骤S023：使反应后产物从鳍部表面挥发。
4.根据权利要求3所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，所述二氟化氙气体为非游离态的二氟化氙气体。
5.根据权利要求1或2所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S02中，通过蒸发二氟化氙固体，以形成二氟化氙气体。
6.根据权利要求5所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，在室温下对二氟化氙固体进行蒸发。
7.根据权利要求1所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，所述二氟化氙气体的流量为：50sccm～150sccm。
8.根据权利要求1或7所述的改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，其特征在于，所述对鳍部的表面进行处理的时间为5～10s。