技术总结
本发明公开了一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部；所述鳍部的材料为硅；步骤S02：使用二氟化氙气体对鳍部的表面进行处理，以对鳍部表面的粗糙度进行改善，使整个鳍部表面光滑，增加鳍式场效应晶体管的稳定性。本发明的方法工艺简单，避免了高温及等离子体等对半导体器件的损伤，而且还可与现有工艺兼容，降低生产成本。
技术研发人员：曾绍海;李铭
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2018.03.29
技术公布日：2018.09.18