1.一种基板处理装置，其在处理容器内的载置台上载置基板，并供给气体来对基板进行处理，该基板处理装置的特征在于，具备：
分隔部，其与所述载置台相向地设置，设置于配置基板的处理空间与第一气体扩散的扩散空间之间；
第一气体供给部，其用于向所述扩散空间供给所述第一气体；
多个第一气体喷出孔，其以在厚度方向上贯通所述分隔部的方式形成，用于将扩散到所述扩散空间的第一气体喷出到所述处理空间；以及
第二气体供给部，其包含多个第二气体喷出孔，该多个第二气体喷出孔在所述分隔部中的所述处理空间侧的气体喷出面开口，该第二气体供给部与所述第一气体独立地将第二气体分别独立地供给到在该处理空间中横向并排的多个区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个区域包含以所述基板的中心轴为中心的中央区域和包围所述中央区域的周缘区域，
所述第二气体供给部具备：
中央侧气体供给部，其向所述中央区域供给第二气体；以及
周缘侧气体供给部，其向所述周缘区域供给第二气体。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述分隔部由板状体构成，
所述中央侧气体供给部具备：
中央区域用的气体导入路，其形成于所述板状体的周围；以及
中央区域用的气体流路，其以一端侧与所述气体导入路连通的方式形成于所述板状体的内部，另一端侧沿着所述气体喷出面被引出到所述板状体的中央区域，并且所述第二气体喷出孔在中央区域用的气体流路开口，
所述周缘侧气体供给部具备：
周缘区域用的气体导入路，其形成于所述板状体的周围；以及
周缘区域用的气体流路，其以一端侧与该气体导入路连通的方式形成于所述板状体的内部，另一端侧沿着所述气体喷出面被引出到所述板状体的周缘区域，并且所述第二气体喷出孔在周缘区域用的气体流路开口。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述中央区域用的气体流路的另一端侧被引出到所述板状体的中央区域并进行分支。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述中央区域用的流路和所述周缘区域用的流路分别被设置多个，
当将所述分隔部的厚度方向设为高度方向时，以高度方向的位置相互不同的方式设置有：
中央区域用的扩散流路，其使气体扩散以向多个所述中央区域用的流路的各个流路供给气体；以及
周缘区域用的扩散流路，其使气体扩散以向多个所述周缘区域用的流路的各个流路供给气体。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体是对基板进行处理的处理气体，所述第二气体是非活性气体。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
具备等离子体产生部，该等离子体产生部用于将供给到所述扩散空间的第一气体活化。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
具备离子阱部，该离子阱部被设置成在比所述第一气体喷出孔更靠近所述扩散空间侧的位置，其内部的气体流路与所述第一气体喷出孔连通，该离子阱部捕捉被活化的第一气体中的离子。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述分隔部包含用于抑制离子阱部的热传导到处理空间侧的隔热部件。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述隔热部件和所述处理容器由金属构成，
所述隔热部件和所述处理容器被配置成相互接触。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，
供第二气体流通的流路穿设于所述分隔部的所述隔热部件的内部。
12.根据权利要求7～11中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体是蚀刻气体，其用于对形成于所述基板的表面的氮化硅膜进行蚀刻，
所述第二气体是分布调整用气体，其用于对所述第一气体在所述处理空间中的分布进行调整。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述蚀刻之前或者所述蚀刻之后，用于去除所述氮化硅膜的表面的氧化膜的氧化膜去除气体被所述第一气体供给部经由所述扩散空间供给到所述扩散空间或者被所述第二气体供给部供给到所述处理空间。
14.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体供给部在将所述蚀刻气体供给到所述扩散空间之前向该扩散空间供给用于将所述氮化硅膜改性的改性气体，
所述等离子体产生部将该改性气体活化。
15.一种基板处理方法，其使用根据权利要求1～14中的任一项所述的基板处理装置，该基板处理方法的特征在于，包括以下工序：
蚀刻工序，将供给到所述扩散空间的所述第一气体活化来供给到所述处理空间，对形成于所述基板的表面的氮化硅膜进行蚀刻；
分布调整工序，向在该处理空间中横向并排的多个区域分别供给第二气体以调整所述活化的所述第一气体在所述处理空间中的分布；以及
在所述蚀刻工序和所述分布调整工序之后进行的工序，在该工序中，将用于去除所述氮化硅膜的表面的氧化膜的氧化膜去除气体从所述第一气体供给部经由所述扩散空间供给到所述处理空间或从所述第二气体供给部供给到所述处理空间。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
包括以在所述蚀刻工序和所述分布调整工序之前进行的工序，在该工序中，将用于去除所述基板的表面的氧化膜的氧化膜去除气体从所述第一气体供给部经由所述扩散空间供给到所述处理空间或从所述第二气体供给部供给到所述处理空间。
17.根据权利要求15或16所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述蚀刻工序和所述分布调整工序之前包括以下工序：
从所述第一气体供给部向所述扩散空间供给用于将所述氮化硅膜改性的改性气体；以及
将该改性气体活化来供给到所述基板。