技术总结
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
技术研发人员：小川裕之;大久保智也;清水昭贵
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2018.03.29
技术公布日：2018.10.23