技术特征：
技术总结
带有改良FOM的可扩展的SGT结构。一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管包括一个在衬底上方的外延层、一个本体区、一个形成在本体区和外延层中的沟槽，以及一个或多个源极区，形成在本体区的顶面中以及沟槽侧壁附近。屏蔽电极形成在沟槽底部，栅极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽顶部。通过第一电介质层，屏蔽电极与外延层绝缘。通过第一电介质层，栅极电极与外延层绝缘，通过第二电介质层，栅极电极与第二电介质层绝缘。第一和第二电介质层具有相同的厚度。
技术研发人员：马督儿·博德;雷燮光
受保护的技术使用者：万国半导体（开曼）股份有限公司
技术研发日：2018.04.09
技术公布日：2018.11.13