技术特征：
技术总结
本发明公开了一种LDMOS器件，包括：形成于第一硅外延层选定区域中的漂移区和体区；在漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧。在体区表面形成有锗硅外延层，锗硅外延层还延伸到漂移区场氧外的漂移区表面，利用锗硅外延层提高载流子的迁移率从而降低沟道电阻和漂移区电阻，漂移区场氧的底部穿过锗硅外延层从而消除锗硅外延层对器件的击穿电压的影响。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能降低器件的导通电阻并同时使器件的击穿电压得到保持。
技术研发人员：许昭昭;钱文生
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.04.11
技术公布日：2018.10.16