技术领域
本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。
背景技术：
一般而言，于制作发光二极管晶圆时，通常是先提供基板，利用磊晶成长方式，于基板上形成一磊晶结构，接着在磊晶结构上配置电极以提供电能，便可利用光电效应而发光。之后，利用微影蚀刻技术在磊晶结构中形成复数个纵横交错的切割道。其中，每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出发光二极管晶粒。之后，进行后段的研磨与切割制程，将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒，进而完成发光二极管的制作。
为了增加发光二极管的出光效率，现有技术会于磊晶结构上依序增设欧姆接触层、反射层以及阻障层，其中欧姆接触层、反射层以及阻障层皆只覆盖于部分磊晶结构上。虽然上述的方式可增加发光二极管的出光效率，但其出光效率无法满足现今追求高出光效率的要求。因此，如何充分提高发光二极管的出光效率仍然是亟待克服的问题。
技术实现要素：
本发明提供一种发光二极管结构，其具有良好的出光效率(light-emitting efficiency)。
本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、第一绝缘层、反射层、第二绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上，且暴露出部分基板。第一绝缘层覆盖部分半导体磊晶结构以及被半导体磊晶结构所暴露出的部分基板。反射层配置于第一绝缘层上，第二绝缘层，配置于反射层上。电极配置于第二绝缘层上并电极电性连接半导体磊晶结构。
本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、透明导电层、反射层、第一绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上，且暴露出部分基板。透明导电层配置在半导体磊晶结构上。反射层配置在部分透明导电层上且延伸覆盖被半导体磊晶层所暴露出的部分基板。第一绝缘层配置于反射层上。电极配置于第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。
本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、第一绝缘层、反射层、第二绝缘层以及至少一第一电极。半导体磊晶结构配置于基板上。第一绝缘层覆盖部分半导体磊晶结构以及部分基板。反射层配置于第一绝缘层上，第二绝缘层配置于反射层上。第一电极配置于第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。
本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、透明导电层、反射层、第一绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上。透明导电层配置在半导体磊晶结构上。反射层位在基板上并覆盖至少部分透明导电层及至少部分半导体磊晶结构。第一绝缘层覆盖至少部分反射层及至少部分透明导电层及至少部分半导体磊晶结构。电极配置第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。
基于上述，由于本发明的发光二极管结构具有反射导电结构层，且此反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。因此，反射导电结构层可有效反射来自半导体磊晶层的光线，且被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分亦具有反射的功效。如此一来，反射导电结构层的设置可有效增加反射面积，进而可有效提高整体发光二极管结构的出光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。
图2为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。
图3为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。
图4为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。
附图标记说明：
100a、100b、100c、100d：发光二极管结构
110a、110b：基板
112a、112b：上表面
114b：环状倾斜面
120a：半导体磊晶层
122a：第一型半导体层
124a：发光层
126a：第二型半导体层
130a、130b、130c、130d：反射导电结构层
132a、132b、132c、132d：透明导电层
134a、134b、134c、134d：反射层
136a、136b、136c、136d：阻障层
140a、140d：绝缘层
145a、145d：电性绝缘层
150a：第一电极
160a：第二电极
170a：连接层
A：虚圆
C：凹陷区域
S1：第一半导体区块
S2：第二半导体区块
具体实施方式
图1为本发明的一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，发光二极管结构100a包括一基板110a、一半导体磊晶层120a以及一反射导电结构层130a。半导体磊晶层120a配置于基板110a上，且暴露出基板110a的一部分(图1中的虚圆A处)。反射导电结构层130a配置于半导体磊晶层120a上，其中反射导电结构层130a覆盖部分半导体磊晶层120a以及被半导体磊晶层120a所暴露出的基板110a的部分。
更具体来说，在本实施例中，基板110a例如是蓝宝石基板，但并不以此为限，其中基板110a具有上表面112a。半导体磊晶层120a包括依序配置于基板110a上的第一型半导体层122a、发光层124a以及第二型半导体层126a。此处，第一型半导体层122a例如为N型半导体层，而第二型半导体层126a例如为P型半导体层，但并不以此为限。如图1所示，半导体磊晶层120a并未完全覆盖基板110a的上表面112a，而是暴露出基板110a的部分上表面112a。
特别是，本实施例的反射导电结构层130a是由依序配置的透明导电层132a、反射层134a以及阻障层136a所组成。透明导电层132a可视为欧姆接触层，其目的在于可以增加电流传导且使电流能均匀散布，其中透明导电层132a配置于半导体磊晶层120a上且覆盖基板110a被半导体磊晶层120a所曝露出的上表面112a上。此处，透明导电层132a的材料系选自铟锡氧化物、掺铝氧化锌、铟锌氧化物及上述此等所组成的族群其中之一。于本实例中的透明导电层132a系由铟锡氧化物所构成。反射层134a配置于透明导电层132a上。反射层134a可将来自半导体磊晶层120a的光线反射至基板110a，当本发明的发光二极管结构100a应用于例如是覆晶式发光二极管时，可使出光效率更佳。此处，反射层134a的材料例如是选自银、铬、镍、铝及上述此等所组成的族群其中之一；或者是，反射层134a例如是一布拉格反射镜。于本实例中的反射层134a是由银所构成。阻障层136a配置于反射层134a上且覆盖基板110a被半导体磊晶层120a所曝露出的上表面112a上，其中阻障层136a除了也具有反射功能外，也可以保护反射层134a的结构，避免反射层134a中的金属扩散。此处，阻障层136a的边缘切齐于基板110a的边缘，且阻障层136a的材料例如系选自是钛钨合金、钛、钨、氮化钛、钽、铬、铬铜合金、氮化钽及上述此等所组成的族群其中之一，于本实施例中，阻障层136a系由钛、钨及钛钨合金所构成。
再者，本实施例的发光二极管结构100a还包括一绝缘层140a，其中绝缘层140a配置于基板110a与反射导电结构层130a之间以及半导体磊晶层120a与反射导电结构层130a之间，以有效电性绝缘于半导体磊晶层120a与反射导电结构层130a。如图1所示，本实施例的绝缘层140a是直接配置于半导体磊晶层120a上，且沿着半导体磊晶层120a的侧壁延伸配置于基板110a被半导体磊晶层120a所暴露出的上表面112a上。透明导电层132a与其上的反射层134a并未完全覆盖绝缘层140a，而阻障层136a沿着透明导电层132a与反射层134a侧壁延伸覆盖至绝缘层140a上。此处，绝缘层140a边缘亦切齐于阻障层136a的边缘以及基板110a的边缘。
此外，本实施例的发光二极管结构100a还包括第一电极150a、第二电极160a以及连接层170a。半导体磊晶层120a具有凹陷区域C，且凹陷区域C将半导体磊晶层120a区分为第一半导体区块S1与第二半导体区块S2。第一电极150a配置于第一半导体区块S1上，而第二电极160a配置于第二半导体区块S2上，其中第一电极150a与第二电极160a具有电性可提供电能。连接层170a配置于凹陷区域C内且电性连接第一电极150a与半导体磊晶层120a。此处，第一电极150a与连接层170a的材料可相同或不同，较佳是为不同材料。第一电极150a的材料系选自金、锡、金锡合金及上述此等所组成的族群其中之一。连接层170a的材料系选自铬、铂、金、铝、上述材料的合金及上述此等所组成的族群其中之一。材料不同使得第一电极150a与连接层170a有更佳的电性连接，但于此并不加以限制。此处，第一电极150a通过连接层170a与半导体磊晶层120a的第一型半导体层122a电性连接，第二电极160a通过反射导电结构层130a与半导体磊晶层120a的第二型半导体层126a电性连接，通过第一电极150a和第二电极160a提供电能，使发光二极管结构100a发光。
另外，发光二极管结构100a可还包括电性绝缘层145a，其中电性绝缘层145a至少配置于第一电极150a与反射导电结构层130a之间以及连接层170a与反射导电结构层130a之间，用以电性绝缘反射导电结构层130a、连接层170a与第一电极150a。此处，电性绝缘层145a的边缘亦与阻障层136a的边缘、绝缘层140的边缘以及基板110a的边缘切齐。
由于本实施例的发光二极管结构100a具有反射导电结构层130a，且此反射导电结构层130a覆盖部分半导体磊晶层120a以及被半导体磊晶层120a所暴露出的基板110a的部分。因此，反射导电结构层130a可有效反射来自半导体磊晶层120a的光线，且使被半导体磊晶层120a所暴露出的基板110a的部分亦具有反射的功效。如此一来，当发光二极管结构100a应用于例如覆晶式的设计上时，反射导电结构层130a的设置可有效增加反射面积，进而可有效提高整体发光二极管结构100a的出光效率。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。请参考图2，本实施例的发光二极管结构100b与图1的发光二极管结构100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的基板110b具有上表面112b以及连接上表面112b的环状倾斜面114b，其中绝缘层140b与阻障层136b从上表面112b延伸覆盖于环状倾斜面114b上。如图2所示，反射导电结构层130b的透明导电层132b与反射层134b并未延伸覆盖于环状倾斜面114b上。
图3绘示为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。请参考图3，本实施例的发光二极管结构100c与图2的发光二极管结构100b相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的反射导电结构层130c的透明导电层132c、反射层134c以及阻障层136c从上表面112b延伸覆盖于环状倾斜面114b上，且透明导电层132c的边缘、反射层134c的边缘以及阻障层136c的边缘皆切齐于基板110b的边缘。此种设计使得反射导电层130c不只配置于基板110b的上表面，还可延伸覆盖于环状倾斜面114b上，增加反射面积。
图4为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。请参考图4，本实施例的发光二极管结构100d与图2的发光二极管结构100b相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的反射导电结构层130d的透明导电层132d、反射层134d与阻障层136d以及绝缘层140d和电性绝缘层145d皆从上表面112b延伸配置覆盖于环状倾斜面114b上且收敛至同一位置。
综上所述，由于本发明的发光二极管结构具有反射导电结构层，且此反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。因此，反射导电结构层可有效反射来自半导体磊晶层的光线，且被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分亦具有反射的功效。如此一来，反射导电结构层的设置可有效增加反射面积，进而可有效提高整体发光二极管结构的出光效率。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。