技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在本发明的半导体装置中，以与焊盘电极ALP接触的方式形成有阻挡层BAL。作为阻挡层BAL，形成有包含钛膜与氮化钛膜的钛合金层。以与阻挡层BAL接触的方式形成有种晶层SED。作为种晶层SED，形成有铜膜。以与种晶层SED接触的方式形成有银凸块AGBP。银凸块AGBP由利用电镀法形成的银膜AGPL构成。在该银凸块AGBP上接合有锡合金球SNB。
技术研发人员：矢岛明;山田义明
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2018.04.24
技术公布日：2018.11.16