技术特征：
技术总结
本发明公开了GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法，GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构，包括Si衬底；所述Si衬底上依序向上生长有AlN层、AlGaN层、GaN三维层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构具有良好的电学性能；制备方法，包括：第一生长步骤：在Si衬底上依序向上生长AlN层、AlGaN层、GaN三维层和N型GaN层；第二生长步骤：生长InGaN/GaN多量子阱层；第三生长步骤：生长AlGaN电子阻挡层和P型GaN层，得到GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构。
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2018.04.24
技术公布日：2018.11.13