一种高压VDMOS器件的制造方法与流程

技术特征：

1.一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于所述方法通过在正面工艺前进行背面注入，对背面进行掺杂，并生长Si3N4对圆片背面进行保护，然后进行圆片正面工艺，从而提高背面掺杂浓度，降低接触电阻，得到更低的器件二极管正向压降和导通电阻。

2.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于所述方法主要包括以下步骤：

第一步、选择合适厚度的外延圆片；

第二步、对圆片背面进行元素注入，注入元素可以是硼，也可以是磷，量在30Kev到160Kev之间，剂量在1E14到1E16之间。

第三步、在圆片正面和背面生长一层SiO2层作为一个缓冲应力层；

第四步、在圆片正面和背面的SiO2层表面上生长Si3N4层对圆片背面进行保护；

第五步、去除圆片正面的Si3N4层，正面停留在SiO2层；

第六步、去除圆片正面的SiO2层，圆片背面生长的SiO2和Si3N4完全保留；

第七步、完成圆片的正面工艺；

第八步、去除圆片背面的Si3N4层和SiO2层；

第九步、在圆片背面生长背面金属。

3.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于对于常规厚度的外延圆片，减薄厚度厚于最终硅片厚度；或直接采购接近最终厚度的外延圆片。

4.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于背面注入元素为硼或磷，注入能量在30Kev到160Kev之间，剂量在1E14到1E16之间。

5.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于使用LPTEOS工艺形成SiO2层，厚度在到之间。

6.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于使用LPSiN工艺形成Si3N4层，厚度在到之间。

7.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于使用干法刻蚀工艺去除圆片正面的Si3N4层。

8.根据权利要求1所述的一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于使用湿法腐蚀工艺去除圆片正面的SiO2层。