技术特征：
技术总结
本发明提供提高了ESD保护电路的保护能力的半导体装置，其具有：基板；第一晶体管，形成于上述基板且具有第一导电型的第一杂质区域以及上述第一导电型的第二杂质区域；第二晶体管，形成于上述基板且具有与上述第二杂质区域电连接的上述第一导电型的第三杂质区域以及上述第一导电型的第四杂质区域；电源端子，与上述第一杂质区域电连接；接地端子，与上述第四杂质区域电连接；第一保护环，形成于上述基板且在俯视时包围上述第一晶体管并与上述接地端子电连接，具有与上述第一导电型不同的第二导电型；以及第二保护环，形成于上述基板且在俯视时包围上述第二晶体管并与上述接地端子电连接，具有上述第二导电型，在俯视时宽度比上述第一保护环窄。
技术研发人员：田中英俊
受保护的技术使用者：株式会社索思未来
技术研发日：2018.05.09
技术公布日：2018.12.07