本发明涉及一种qled发光显示器件及其制备方法，属于显示技术领域。
背景技术：
量子点(quantumdot，简称qd)是一种有ⅱ-ⅵ族、ⅲ-ⅴ族或ⅳ-ⅵ族元素组成的纳米颗粒，受激发后可以发射荧光；同时，由于量子点材料还具有光色纯度高、发光效率高、使用寿命长等一系列优点，是一种很好的电致发光材料，在近年来被广泛使用在显示器件的制备中。
现有技术中，基于量子点的电致发光器件(qled)通常采用类似三明治的层叠结构，请参阅图1所示，现有技术中的qled通常具有阳极层10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40以及阴极50。然而现有技术中的qled由于设有空穴传输层20，而空穴传输层20在制备及使用过程中需要避免接触水氧，因此qled在制备过程中量子点发光层30无法进行有效的刻蚀，致使现有技术中的qled存在图形化问题，无法实现qled发光显示器件的显示效果。
有鉴于此，确有必要提供一种新的qled发光显示器件，以解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种qled发光显示器件及其制备方法，使用本发明的本发明的qled发光显示器件的制备方法制得的qled发光显示器件有效的解决了qled图形化程度低的问题，并进一步提高了qled发光显示器件的显示效果。
为实现上述发明目的，本发明提供了一种qled发光显示器件，所述qled发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述qled发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。
作为本发明的进一步改进，所述阳极层及所述像素定义层之间还设有引线层，所述引线层采用钼铝钼材料制成。
作为本发明的进一步改进，所述阳极层上刻蚀有阳极图案，所述引线层上刻蚀有与所述阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成。
作为本发明的进一步改进，所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成。
作为本发明的进一步改进，所述像素定义层为采用聚酰亚胺材料制成的带状像素定义层。
作为本发明的进一步改进，所述阳极层为ito层；所述量子点发光层采用硒化镉材料制成；所述电子传输层采用氧化锌材料制成。
作为本发明的进一步改进，所述qled发光显示器件为顶发光qled发光显示器件，所述阳极层为ito膜和ag膜复合结构；所述阴极层为ito层或mg/ag混合层。
作为本发明的进一步改进，所述qled发光显示器件为透明qled发光显示器件，所述阳极层为透明ito层，所述阴极层为透明ito层或透明mg/ag混合层。
为实现上述发明目的，本发明还提供了一种qled发光显示器件的制备方法，包括以下步骤：
s1、提供一衬底，在所述衬底上制备阳极层，并对所述阳极层进行刻蚀制备阳极图案；
s2、在所述阳极层上分别制备像素定义层及隔离柱，并分别曝光显影定义像素区域；
s3、依次在所述像素定义层上制备量子点发光层、电子传输层及阴极层，制备形成发光单元；
s4、对所述发光单元进行封装形成封装层，并最终制备qled发光显示器件。
作为本发明的进一步改进，所述发光单元可采用uv封装方法、frit封装方法及tft封装方法中的任意一种方法进行封装。
本发明的有益效果是：通过本发明的qled发光显示器件的制备方法制备的qled发光显示器件，减少了空穴传输层的制备，使得量子点发光层在制备过程中可有效形成像素显示图形，解决了qled发光显示器件不能图形化的问题，同时提高了qled发光显示器件的显示效果。
附图说明
图1是现有技术中qled发光显示器件的结构示意图。
图2是本发明qled发光显示器件的结构示意图。
图3是本发明qled发光显示器件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
请参阅图2所示，本发明揭示了一种qled发光显示器件100，包括由下至上依次排布的衬底1、阳极层2、像素定义层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极层6、及封装层7；进一步的，所述像素定义层3上还设有用于分隔像素区域(未图示)的隔离柱(未图示)。
在本发明中所述衬底1既可为硬质衬底也可为柔性衬底，进一步的，当所述衬底1为硬质衬底时，所述衬底1可为ito玻璃衬底。所述阳极层2为ito层，且当所述衬底1为ito玻璃衬底时，所述阳极层2与所述衬底1层可为一体成型设置。进一步的，所述阳极层2上还刻蚀有阳极图案，在本发明中，所述阳极图案通过干刻的方式刻蚀而成，当然，在其它实施例中所述阳极图案还可通过其它刻蚀方式刻蚀形成。
所述像素定义层3设置在所述阳极层2远离所述衬底1的一侧，且所述像素定义层3上还设有均匀分布的隔离柱，所述隔离柱将所述像素定义层3均匀分隔，以形成像素区域。进一步的，所述像素定义层3和所述隔离柱还需要分别曝光显影，以在所述像素定义层3和所述隔离柱上形成所需图形，以最终实现所述qled发光显示器件100的显示效果。特别地，在本发明的一个实施例中，所述像素定义层3为采用聚酰亚胺(pi)材料制成的带状像素定义层，如此设置可降低所述像素定义层3和所述隔离柱组合制备时的难度，提高所述qled发光显示器件100的制备效率。
在本发明中，所述阳极层2和所述像素定义层3之间还设有引线层8，所述引线层8的设置可作为阳极层2向外导电的引线，以达到降低阳极层2电阻的目的，进一步降低qled发光显示器件100的能耗，提高qled发光显示器件100的光电转换效率。所述引线层8上还刻蚀有与所述阳极层2上的阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成，具体来讲，所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀时，可在所述阳极层2制备结束后，直接在所述阳极层2上制备引线层8，然后对所述阳极层2和所述引线层8同时进行刻蚀，使得所述阳极层2和所述引线层8上同时制备形成相同的阳极图案和引线图案。
当然在其他实施例中，所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成；即首先制备阳极层2并在阳极层2上制备阳极图案，然后制备所述引线层8并在所述引线层8上制备与所述阳极图案对应的印象图案，完成阳极层2和引线层8的制备。
需要说明的是，在本发明中，所述引线层8采用钼铝钼材料制成，当然在其他实施例中，所述引线层8还可采用其它导电材料制成。
所述量子点发光层4设置在所述像素定义层3和所述隔离柱构成的像素区域中，具体来讲，所述量子点发光层4为量子点溶液以印刷或其它方式均匀的涂覆在所述像素区域内，使得量子点发光层5在制备过程中可有效形成像素显示图形。进一步的，在本发明的一个实施例中，所述量子点发光层4为采用硒化镉(cdse)材料制成的量子点发光层4。当然，在本发明的其他实施例中，所述量子点发光层4的制备材料还可为ⅱ-ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如硫化镉(cds)、硫化镉/硫化锌混合物(cds/zns)、硒化镉/硫化锌混合物(cdse/zns)或硒化镉/硫化镉/硫化锌混合物(cdse/cds/zns)等；或者ⅲ-ⅴ族或ⅳ-ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如砷化镓(gaas)、inp(磷化铟)、硫化铅/硫化锌混合物(pbs/zns)或硒化铅/硫化锌混合物(pbs/zns)等。
所述量子点发光层4上还沉积有电子传输层5，所述电子传输层5的沉积可通过溶液加工的方式实现，具体来讲，所述电子传输层5可采用旋涂、印刷、溅射等方式制备获得。且在本发明中，所述电子传输层5的制备材料优先选用同时具有电子传输和电子注入性能的材料，进一步的，所述电子传输层5的制备材料为氧化锌(zno)、二氧化钛(tio2)、参铝氧化锌(alzno)等。
所述阴极层6沉积在所述电子传输层5的表面，且在本发明中所述阴极层6的沉积方式可根据实际需要进行选择，于此不予限制。具体来讲，本发明的qled发光显示器件100还可为顶发光qled发光显示器件，当所述qled发光显示器件100为顶发光qled发光显示器件时，所述阳极层2为ito膜和ag膜复合结构；所述阴极层6为ito层或mg/ag合金层；当所述qled发光显示器件100为透明qled发光显示器件，所述阳极层2为透明ito层，所述阴极层6为透明ito层或透明mg/ag合金层。
本发明还提供了一种qled发光显示器件的制备方法，请参阅图3所示，所述qled发光显示器件的制备方法包括以下步骤：
s1、提供一衬底1，在所述衬底1上制备阳极层2，并对所述阳极层2进行刻蚀制备阳极图案；
s2、在所述阳极层2上分别制备像素定义层3及隔离柱，并分别曝光显影定义像素区域；
s3、依次在所述像素定义层3上制备量子点发光层4、电子传输层5及阴极层6，制备形成发光单元；
s4、对所述发光单元进行封装形成封装层7，并最终制备qled发光显示器件100。
在所述步骤s1中，所述衬底1及所述阳极层2之间还设有tft阵列(未图示)，即在本发明的qled发光显示器件100中，所述tft阵列设置在所述衬底1和所述阳极层2之间，且与所述阳极层2之间电性连接。
所述步骤s4中，所述发光单元可采用uv封装方法、frit封装方法及tft封装方法中的任意一种方法进行封装，即在本发明中，所述封装层7通过uv封装方法、frit封装方法或tft封装方法制备获得，当然，在其他实施例中，所述封装层7还可采用其它方法制备获得。
综上所述，本发明的qled发光显示器件100，减少了空穴传输层20的制备，使得量子点发光层5在制备过程中可有效形成像素显示图形，解决了qled发光显示器件100不能图形化的问题，同时提高了qled发光显示器件100的显示效果。同时，本发明提供的qled发光显示器件的制备方法可方便快捷的制备qled发光显示器件100。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。