技术特征：
技术总结
本发明提供具备能够抑制EM的产生的ESD保护电路的半导体装置。本半导体装置具备：基板；第一晶体管，形成于上述基板，并具有第一导电型的第一杂质区域以及第二杂质区域；第一护环，形成于上述基板，在俯视时位于包围上述第一晶体管的位置，并具有与上述第一导电型不同的第二导电型；第一布线，形成在上述第一护环上，并与上述第一护环电连接；以及接地布线，形成在上述第一布线上，并与上述第一布线以及上述第二杂质区域电连接，上述第一晶体管具备俯视时与上述第一护环的间隔为第一距离的第一部分、和俯视时与上述第一护环的间隔为比上述第一距离短的第二距离的第二部分，上述第一部分在俯视时位于远离上述接地布线的位置，上述第二部分在俯视时位于与上述接地布线重叠的位置。
技术研发人员：田中英俊
受保护的技术使用者：株式会社索思未来
技术研发日：2018.05.21
技术公布日：2018.12.04