技术特征：
技术总结
一种半导体装置包括形成在衬底上的第一层级、第二层级、及第三层级。所述第一层级形成在所述衬底上，所述第二层级形成在所述第一层级上，且所述第三层级形成在所述第二层级上。所述第二层级包括被配置成传送信号的第一内连线。所述第一层级设置在所述第二层级的所述第一内连线正下方的一部分缺少(lack)内连线，且所述第三层级设置在所述第二层级的所述第一内连线正上方的一部分缺少内连线。
技术研发人员：郑朝元;黄天建
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.05.24
技术公布日：2018.12.04