技术特征：
技术总结
本发明公开了一种双大马士革通孔工艺的返工方法，包括如下步骤：步骤一、双大马士革的通孔穿过第一低K介质层，在第一低K介质层上形成有第二DARC层，在第二DARC层的表面上形成有图形化的第三金属硬掩模层；在形成有第三金属硬掩模层的第二DARC层上涂布由ODL层、SHB层和PR层叠加而成的基于涂层的用于定义通孔的三层结构。步骤二、进行通孔的光刻显影。步骤三、进行显影后检测，在显影后检测超范围时进行去除三层结构的返工工艺；返工工艺中PR层、SHB层和ODL层都采用干法刻蚀工艺去除且是在同一干法刻蚀设备中依次去除。本发明能减少返工工艺的步骤，提高返工效率和质量。
技术研发人员：李镇全
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.05.31
技术公布日：2018.09.21