OLED显示面板及OLED显示器的制作方法

文档序号:15972764发布日期:2018-11-16 23:35阅读:343来源:国知局

本发明涉及液晶显示领域,具体涉及一种oled显示面板及oled显示器。

背景技术

在amoled显示装置的显示区域内,像素被设置成包括多行、多列的矩阵状,通常每一像素通常采用由两个薄膜晶体管与一个电容构成,俗称2t1c电路。这种2t1c的设计对下列因素都很敏感:tft的阈值电压(vth)和沟道迁移率(mobility)、oled的启动电压和量子效率以及供电电源的瞬变过程。故而一般采用补偿电路,来降低影响,例如7t1c,6t1c,6t2c等。

在像素的补偿电路中,电容被用来存储驱动tft开启的电位和补偿电位,一般采用两个栅极层之间形成补偿电容,采用两层栅极层会使得工艺流程复杂,较多,不利于降低成本。

因此,现有技术存在缺陷,急需改进。



技术实现要素:

本发明实施例的目的是提供一种oled显示面板及oled显示器,具有减少工艺流程的有益效果。

本发明实施例提供一种oled显示面板,包括:基板以及设置于所述基板上的第一栅极层、sd金属层、阳极金属层;

所述第一栅极层与所述sd金属层的局部和/或所述阳极金属层是局部相互正对以形成补偿电容。

在本发明所述的oled显示面板中,所述sd金属层形成有间隔设置的源极、漏极以及第一金属块;所述第一金属块与所述第一栅极层相对以形成第一补偿电容。

在本发明所述的oled显示面板中,所述sd金属层形成有间隔设置的源极、漏极以及第一金属块,所述阳极金属层包括相互间隔的阳极金属以及第二金属块;

所述第一金属块与所述第二金属块相对以形成第二补偿电容。

在本发明所述的oled显示面板中,所述阳极金属层包括相互间隔的阳极金属以及第二金属块;所述第二金属块与所述第一栅极层相对以形成第三补偿电容。

所述第一金属块与所述第二金属块相对以形成第三补偿电容。

在本发明所述的oled显示面板中,还包括第一绝缘层、第二绝缘层、多晶硅层、第三绝缘层、第四绝缘层以及第五绝缘层;

所述第一绝缘层设置于所述基板上,所述多晶硅层设置于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层设置于所述多晶硅层以及所述第一绝缘层上;

所述第一栅极层设置于所述第二绝缘层上,所述第三绝缘层设置于所述第一栅极层以及所述第二绝缘层上,所述sd金属层设置于所述第三绝缘层上,所述第四绝缘层设置于所述sd金属层以及所述第三绝缘层上,所述阳极金属层设置于所述第四绝缘层上,所述第五绝缘层设置于所述阳极金属层以及所述第四绝缘层上。

在本发明所述的oled显示面板中,所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层设置有漏极过孔以及源极过孔,sd金属层的源极通过源极过孔与所述多晶硅层电连接,sd金属层的漏极通过该漏极过孔与该多晶硅层电连接。

在本发明所述的oled显示面板中,第四绝缘层设置有阳极过孔,所述阳极金属层通过所述阳极过孔与所述sd金属层电连接。

在本发明所述的oled显示面板中,所述第五绝缘层开设有第一过孔;

所述oled显示面板还包括发光层以及阴极层;

所述发光层设置于所述第五绝缘层上,所述阴极层设置于所述发光层上;

所述发光层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电连接。

在本发明所述的oled显示面板中,所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层以及第五绝缘层可以为二氧化硅层或氮化硅层。

一种oled显示器,其特征在于,包括上述任一项所述的oled显示面板。

本发明通过将第一栅极层与所述sd金属层的局部和/或所述阳极金属层是局部相互正对以形成补偿电容,从未不需要两个栅极层来形成补偿电容,具有减少工艺流程的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一些实施例中的oled显面板的第一种结构示意图。

图2为本发明一些实施例中的oled显面板的第二种结构示意图。

图3为本发明一些实施例中的oled显面板的第三种结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本发明提供了一种oled显示面板,包括:基板以及设置于所述基板上的第一栅极层、sd金属层、阳极金属层;所述第一栅极层与所述sd金属层的局部和/或所述阳极金属层是局部相互正对以形成补偿电容。

请参阅图1,图1是本发明一些实施例中的oled显示面板的结构图,包括基板10、第一绝缘层20、多晶硅层30、第二绝缘层40、第一栅极层ge1、第三绝缘层50、sd金属层60、第四绝缘层70、阳极金属层80、第五绝缘层90、ps层100、发光层(图未示)以及阴极层(图未示)。

其中,该第一绝缘层20设置于该基板10上,该多晶硅层30设置于该第一绝缘层20上,第二绝缘层40设置于该第一绝缘层以及该多晶硅层30上。该第一栅极层ge1设置于该第二绝缘层40上。该第三绝缘层50设置于该第一栅极层ge1以及该第二绝缘层40上。该sd金属层60设置于该第三绝缘层50上。该第四绝缘层70设置于该sd金属层60以及该第三绝缘层50上。该阳极金属层80设置于该第四绝缘层70上。该第五绝缘层90设置于该阳极金属层80以及该第四绝缘层70上。该ps层设置于该第五绝缘层上,该发光层以及阴极层依次设置于该第五绝缘层以及该ps层上。

其中,该基板10为柔性基板或者玻璃基板。

其中,该第一绝缘层20为缓冲层,其可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该基板10上。

其中,该多晶硅层30具有位于中部的未掺杂区域以及位于未掺杂区域区域两侧的掺杂区域。

其中,该第二绝缘层40为隔离层,其可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该多晶硅层30以及该第一绝缘层20上。

其中,第一栅极层ge1采用透明导电金属制成,例如ito。

其中,第三绝缘层50层间介质层,其采用为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该第一栅极层ge1以及该第二绝缘层40上。

其中,该sd金属层60采用透明导电金属制成,例如ito。其上形成有相互间隔的源极61、漏极62以及第一金属块63。其中,该第一金属块63与该第一栅极层ge1相对以形成第一补偿电容c1。

其中,该第四绝缘层70以及该第五绝缘层90可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积形成。

其中,该阳极金属层80采用透明导电金属制成,例如ito。

其中,第二绝缘层以及所述第三绝缘层设置有漏极过孔54以及源极过孔55,sd金属层的源极通过源极过孔55与所述多晶硅层电连接,sd金属层的漏极通过该漏极过孔55与该多晶硅层电连接。第四绝缘层设置有阳极过孔71,所述阳极金属层通过所述阳极过孔71与所述sd金属层电连接。第五绝缘层开设有第一过孔;所述发光层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电连接。

请参阅图2,图2是本发明一些实施例中的oled显示面板的结构图,包括基板10、第一绝缘层20、多晶硅层30、第二绝缘层40、第一栅极层ge1、第三绝缘层50、sd金属层60、第四绝缘层70、阳极金属层80、第五绝缘层90、ps层100、发光层(图未示)以及阴极层(图未示)。

其中,该第一绝缘层20设置于该基板10上,该多晶硅层30设置于该第一绝缘层20上,第二绝缘层40设置于该第一绝缘层以及该多晶硅层30上。该第一栅极层ge1设置于该第二绝缘层40上。该第三绝缘层50设置于该第一栅极层ge1以及该第二绝缘层40上。该sd金属层60设置于该第三绝缘层50上。该第四绝缘层70设置于该sd金属层60以及该第三绝缘层50上。该阳极金属层80设置于该第四绝缘层70上。该第五绝缘层90设置于该阳极金属层80以及该第四绝缘层70上。该ps层设置于该第五绝缘层上,该发光层以及阴极层依次设置于该第五绝缘层以及该ps层上。

其中,该基板10为柔性基板或者玻璃基板。

其中,该第一绝缘层20为缓冲层,其可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该基板10上。

其中,该多晶硅层30具有位于中部的未掺杂区域以及位于未掺杂区域区域两侧的掺杂区域。

其中,该第二绝缘层40为隔离层,其可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该多晶硅层30以及该第一绝缘层20上。

其中,第一栅极层ge1采用透明导电金属制成,例如ito。

其中,第三绝缘层50层间介质层,其采用为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该第一栅极层ge1以及该第二绝缘层40上。

其中,该sd金属层60采用透明导电金属制成,例如ito。其上形成有相互间隔的源极61、漏极62以及第一金属块63。其中,该第一金属块63与该第一栅极层ge1相对以形成第一补偿电容c1。

其中,该第四绝缘层70以及该第五绝缘层90可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积形成。

其中,该阳极金属层80采用透明导电金属制成,例如ito。该阳极金属层80包括相互间隔的阳极金属81以及第二金属块82,该第二金属块82与该第一金属块相对以形成第二补偿电容c2。

其中,第二绝缘层以及所述第三绝缘层设置有漏极过孔54以及源极过孔55,sd金属层的源极通过源极过孔55与所述多晶硅层电连接,sd金属层的漏极通过该漏极过孔55与该多晶硅层电连接。第四绝缘层设置有阳极过孔71,所述阳极金属层通过所述阳极过孔71与所述sd金属层电连接。第五绝缘层开设有第一过孔;所述发光层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电连接。

请参阅图3,图3是本发明一些实施例中的oled显示面板的结构图,包括基板10、第一绝缘层20、多晶硅层30、第二绝缘层40、第一栅极层ge1、第三绝缘层50、sd金属层60、第四绝缘层70、阳极金属层80、第五绝缘层90、ps层100、发光层(图未示)以及阴极层(图未示)。

其中,该第一绝缘层20设置于该基板10上,该多晶硅层30设置于该第一绝缘层20上,第二绝缘层40设置于该第一绝缘层以及该多晶硅层30上。该第一栅极层ge1设置于该第二绝缘层40上。该第三绝缘层50设置于该第一栅极层ge1以及该第二绝缘层40上。该sd金属层60设置于该第三绝缘层50上。该第四绝缘层70设置于该sd金属层60以及该第三绝缘层50上。该阳极金属层80设置于该第四绝缘层70上。该第五绝缘层90设置于该阳极金属层80以及该第四绝缘层70上。该ps层设置于该第五绝缘层上,该发光层以及阴极层依次设置于该第五绝缘层以及该ps层上。

其中,该基板10为柔性基板或者玻璃基板。

其中,该第一绝缘层20为缓冲层,其可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该基板10上。

其中,该多晶硅层30具有位于中部的未掺杂区域以及位于未掺杂区域区域两侧的掺杂区域。

其中,该第二绝缘层40为隔离层,其可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该多晶硅层30以及该第一绝缘层20上。

其中,第一栅极层ge1采用透明导电金属制成,例如ito。

其中,第三绝缘层50层间介质层,其采用为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于该第一栅极层ge1以及该第二绝缘层40上。

其中,该sd金属层60采用透明导电金属制成,例如ito。其上形成有相互间隔的源极61、漏极62。

其中,该第四绝缘层70以及该第五绝缘层90可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积形成。

其中,该阳极金属层80采用透明导电金属制成,例如ito。该阳极金属层80包括相互间隔的阳极金属81以及第二金属块82,该第一栅极层ge1与该第一金属块相对以形成第三补偿电容c3。

其中,第二绝缘层以及所述第三绝缘层设置有漏极过孔54以及源极过孔55,sd金属层的源极通过源极过孔55与所述多晶硅层电连接,sd金属层的漏极通过该漏极过孔55与该多晶硅层电连接。第四绝缘层设置有阳极过孔71,所述阳极金属层通过所述阳极过孔71与所述sd金属层电连接。第五绝缘层开设有第一过孔;所述发光层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电连接。

本发明提供了一种oled显示器,该oled显示器包括上述任一实施例中的oled显示面板。

本发明通过将第一栅极层与所述sd金属层的局部和/或所述阳极金属层是局部相互正对以形成补偿电容,从未不需要两个栅极层来形成补偿电容,具有减少工艺流程的有益效果。

以上对本发明实施例提供的oled显示面板及oled显示器进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

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