技术特征：
技术总结
本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族激光器外延结构并将顶部抛光；刻蚀III‑V族激光器外延结构和矩形沟槽两边的二氧化硅，形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III‑V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅。本公开电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，工艺简单，易于实现，制造成本低。
技术研发人员：李亚节;周旭亮;王梦琦;王鹏飞;孟芳媛;李召松;于红艳;潘教青
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2018.06.12
技术公布日：2018.11.02