技术特征：
技术总结
一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括第一基板以设置于第一基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体包括栅极、半导体图案、第一绝缘层、源极以及漏极。第一绝缘层设置于栅极与半导体图案之间。源极与漏极彼此分离且各自与半导体图案对应设置。源极与漏极的至少一者具有第一铜图案层与第一氮氧化铜图案层。第一氮氧化铜图案层覆盖第一铜图案层。第一铜图案层设置于第一氮氧化铜图案层与第一基板之间。本发明的半导体装置中，外界水气不易入侵源极与漏极的至少一者的铜图案层，因此本发明的半导体装置的信赖性佳。
技术研发人员：简廷峰;叶柏良;吴振中;张家铭;张君安
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2018.06.12
技术公布日：2018.11.13