技术总结
一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高片上IC和电路系统的静电放电防护或抗浪涌能力。该双向瞬态电压抑制器主要由P衬底、深N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区和金属线构成。该器件通过结合二极管串触发电压低和BJT或SCR结构过电应力的鲁棒性强等优势，使器件在正、反向电学应力作用下，可实现无回滞且鲁棒性强的双向ESD或瞬态浪涌防护。
技术研发人员：顾晓峰;刘湖云;梁海莲
受保护的技术使用者：江南大学
技术研发日：2018.07.09
技术公布日：2018.11.27