1.一种非等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括：
向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；
其中，所述刻蚀气体用于与基片反应，以实现对所述基片的刻蚀；所述还原性气体用于抑制所述刻蚀气体的刻蚀速率，以调节刻蚀选择比。
2.根据权利要求1所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，在向所述反应腔室内通入所述刻蚀气体和所述还原性气体的同时，还向所述反应腔室内通入稀释气体。
3.根据权利要求2所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，通过设定所述刻蚀气体、所述还原性气体和所述稀释气体各自的气体分压，来调节刻蚀选择比；
所述气体分压满足以下公式：
p分＝s分/s总*p腔
其中，p分为所述刻蚀气体、所述还原性气体和所述稀释气体各自的气体分压；s分为所述刻蚀气体、所述还原性气体和所述稀释气体各自的气体流量；s总为所述刻蚀气体、所述还原性气体和所述稀释气体的总流量；p腔为腔室压力。
4.根据权利要求3所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体、所述还原性气体和所述稀释气体各自的气体分压的取值范围均为1mtorr～100mtorr。
5.根据权利要求4所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述还原性气体的气体分压的取值范围为1mtorr～50mtorr。
6.根据权利要求3所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体和所述还原性气体各自的气体流量的取值范围均为20sccm～1000sccm。
7.根据权利要求3所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体的气体流量的取值范围为100sccm～3000sccm。
8.根据权利要求1所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括xef2；所述还原性气体包括h2。
9.根据权利要求1所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括xef2；所述还原性气体包括nh3。
10.根据权利要求2所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体包括氮气或者惰性气体。
11.根据权利要求1所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，利用载气携带所述刻蚀气体通入所述反应腔室内；所述载气的气体流量的取值范围为20sccm～1000sccm。
12.根据权利要求1所述的非等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述基片包括基底和阻挡层；所述基底包括单晶硅、多晶硅、ti、tin、ta或者tan；所述阻挡层包括sio2或者si3n4。
13.一种刻蚀设备，包括反应腔室，其特征在于，还包括：
源瓶，用于盛放呈固体或者液体状态的刻蚀材料，以及用于在工艺过程中加热所述刻蚀材料，以使所述刻蚀材料形成刻蚀气体；所述刻蚀气体用于与基片反应，以实现对基片的刻蚀；
第一气路，与所述源瓶连接，用于将所述源瓶中的刻蚀气体传输至所述反应腔室内；
第二气路，用于向所述反应腔室内通入还原性气体；所述还原性气体用于抑制所述刻蚀气体的刻蚀速率，以调节刻蚀选择比。
14.根据权利要求13所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括第三气路，用于向所述反应腔室内通入稀释气体。
15.根据权利要求13所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括第四气路，所述第四气路与所述源瓶连接，用于向所述源瓶中通入载气，以使所述源瓶中的刻蚀气体能够随所述载气通过所述第一气路流入所述反应腔室。
16.根据权利要求13所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括缓冲瓶和第五气路，其中，
所述第五气路将所述缓冲瓶与所述第一气路连接，且所述缓冲瓶位于所述源瓶的下游；
所述缓冲瓶用于盛放呈固体或者液体状态的刻蚀材料，以及在工艺过程中加热所述刻蚀材料，以使所述刻蚀材料形成刻蚀气体，并且通过所述第五气路向所述第一气路中补充刻蚀气体。