技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片，包括发光结构，设于第一孔洞侧壁和第一裸露区域侧壁上的绝缘层，设于绝缘层表面、第二半导体层表面、第一半导体层表面和侧壁以及衬底表面上的ITO层，其中，第一半导体层上的ITO层和绝缘层上的ITO层断开，设于ITO层上的金属反射层，设于金属反射层上的DBR层，贯穿DBR层并设置在金属反射层上的第一电极和第二电极，第一电极位于第一孔洞，第二电极位于第二半导体层的上方，第一电极和第二电极相互绝缘。本发明的倒装LED芯片能够实现全方位出光反射，提高芯片的出光效率，增加芯片的轴向出光。相应地，本发明还提供了一种高亮度LED芯片的制作方法。
技术研发人员：范凯平
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2018.08.03
技术公布日：2018.11.30