发光组件的制造方法与流程

本发明涉及一种发光组件的制造方法，特别是一种关于包含自半导体基板将发光组件透过刻划及劈裂予以分离的步骤的发光组件的制造方法。

背景技术：

芯片直接封装(cob)等的产品，为自led组件的散热性佳，且被采用于照明等的用途的led芯片安装方法。将led安装在cob等的场合，则必须为将芯片直接对基板接合的覆晶安装。为了实现覆晶安装，必须制作发光组件的一侧的表面上设有极性相异的通电用焊垫的覆晶。此外，设置有通电用焊垫的表面的相反侧的表面则必须以具有光提取功能的材料来构成。

以黄色～红色led制作覆晶的场合，发光层使用algainp系的材料。由于algainp系材料不存在块状结晶，led部以磊晶法形成，故起始基板会选择与algainp不同的材料。起始基板大多选择gaas或ge，而这些基板具有对可见光的光吸收的特性，故制作覆晶的场合，会除去起始基板。

然而，形成发光层的磊晶层为极薄膜，故起始基板除去后便无法自立。因此必须以具有对发光波长呈现略透明而作为发光层的窗层的功能，以及厚度足以使其自立而作为支承基板的功能的材料及构成，与起始基板置换。

作为具有窗层兼支承基板的功能的置换材料，会选择gap、gaasp及蓝宝石等。不论选择上述任一种材料，皆为与algainp系材料相异的材料，故晶格常数、热膨胀系数及杨氏系数等机械的特性会与algainp系材料不同。

作为这样的技术，专利文献1中揭露了将gap结晶成长而形成窗层兼支承基板的方法。

此处使用图3的(a)～(d)来说明过去的覆晶构造的发光组件的制造方法的一范例。

制造algainp系磊晶晶圆的场合，一开始如图3的(a)所示，准备例如朝[001]方向倾斜15度的gaas基板作为起始基板300。然后于gaas基板300上以有机金属气相沉积(movpe)法，将(alxga1－x)yin1－yp(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的第一半导体层(n包覆层)301、(alxga1－x)yin1－yp(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的活性层302及(alxga1－x)yin1－yp(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的第二半导体层(p包覆层)303予以堆栈作为发光层部307。然后依序堆栈gayin1－yp(0.0≦y≦1.0)所成的中间组成层304、具有0.5μm以上厚度的gap窗层305。这些制作方法并不限定于movpe法，以分子束磊晶(mbe)法或化学束磊晶(cbe)法制作亦可。

然后相接于gap窗层而形成gaaszp1-z(0.0≦z≦0.1)所成的窗层兼支承基板306。虽然窗层兼支承基板306也可通过movpe法或mbe法形成，但亦能适宜地使用低价且沉积速度快的氢化物气相沉积(hvpe)法。厚度则可为例如100μm左右。

然后，如图3的(b)所示般，窗层兼支承基板306形成后，通过化学性蚀刻，形成将algainp系磊晶晶圆的gaas基板300除去的晶圆031。化学性蚀刻液以与algainp系材料有蚀刻选择性者为佳，一般会以含有氨的蚀刻剂进行除去。

然后，如图3的(c)所示般，gaas基板除去后，于晶圆031的第一半导体层(下部包覆层)301上形成第一欧姆电极351，在将至少第一半导体层(下部包覆层)301及活性层302的一部分切掉的区域(除去部)320形成后，于除去部320的一部分形成第二欧姆电极361。

然后，位于第一半导体层(下部包覆层301)且为区域320(除去部)以外的区域(非除去部)310之中，可于不具有第一欧姆电极351的区域311的至少一部分设置介电质部340。此外，也可于区域310与区域320之间的段差部330的至少一部分设置介电质部341。接着便可得到区域320之中，第二欧姆电极361以外的区域321的至少一部分设置介电质部342的半导体基板a03。

此外，虽然图3的(c)中举例表示了具有全部介电质部340、341及342的场合，但不必具有全部，仅具有一部分的场合也能够得到同样的效果。此外，虽然于区域311中，举例表示了只有介电质部340的构造，但亦可于介电质部340与第一半导体层301的区域311之间设置光反射膜或光反射部，或者也可于介电质部340没有相接于第一半导体层301的区域311的面侧设置光反射膜或光反射部。

此外，虽然举例表示了区域311之中具有平坦的面的场合，但也可以为具有凹凸的面。关于具有凹凸的面，可为通过湿式蚀刻的单纯粗糙面、具有刻琢面的刻琢粗糙面、具有数十μm～数百nm间距的通过光刻予以图案化的图案化粗糙面或是具有数～数百nm的间距的沟槽形状的光子粗糙面。

此外，虽然举例表示了段差部330、区域(除去部)320及窗层兼支承基板306为没有凹凸的平坦的面，但也可以为具有凹凸的面。关于具有凹凸的面，可为通过湿式蚀刻的单纯粗糙面、具有刻琢面的刻琢粗糙面、具有数十μm～数百nm间距的通过光刻予以图案化的图案化粗糙面或是具有数～数百nm的间距的沟槽形状的光子粗糙面的任何一种。此外，虽然举例表示了于窗层兼支承基板306表面没有任何膜的构造，但也可设置由介电质所成的反射防止膜。

然后，如图3的(d)所示，于半导体基板a03的第二面03b面，沿着劈裂预备线381，进行赋予刻划痕382的刻划处理。刻划处理可使用例如四点式的钻石刀头，以50g的负载进行。刻划条件并不限定于前述条件，使用多数点式或少数点式的刀头亦可，负载也不限定于此数值。

此外，并不限定于钻石刀头，通过激光剥蚀法进行刻划亦可。采用激光剥蚀法的场合，可使用例如波长355nm、输出0.5w的激光进行刻划处理。

刻划处理后，将保护薄膜放上第二面03b表面，从与保护薄膜面为相反侧的面(第一面03a)将刀刃抵住而实施劈裂处理，予以晶粒化而分离发光组件，由此制造发光组件。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2015-005551号公报

技术实现要素：

[发明所欲解决的问题]

然而，在以gap等的晶格不匹配系的材料形成窗层兼支承基板的半导体基板中，通过刻划及劈裂进行晶粒化的场合，由于gap等的窗层兼支承基板原本就具有高密度的结晶缺陷(差排)，以刻划程度的物理力量，难以将缺陷线延伸，结果经常产生劈裂不良的晶粒。

为了降低劈裂不良的发生频率，虽然可以透过提升劈裂时施加的压力来降低发生频率，却会成为未基于缺陷线的“破裂、破坏”处理，故无法提升良品率。

有鉴于上述问题点，本发明的目的是提供一种发光组件的制造方法，能减低通过刻划及劈裂，将发光组件自具有晶格不匹配系的gap等的窗层兼支承基板的半导体基板予以分离之际的劈裂不良率。

[解决问题的技术手段]

为解决上述问题，本发明提供一种发光组件的制造方法，包含下列步骤，在基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料且通过磊晶成长而至少依序成长第一半导体层、活性层及第二半导体层，而形成发光层部；以与该发光层部为晶格不匹配系的材料而将窗层兼支承基板予以磊晶成长在该发光层部上而形成该窗层兼支承基板；除去该基板；在该第一半导体层表面形成第一欧姆电极；至少除去该第一半导体层与该活性层而形成除去部；在该除去部的该第二半导体层或在该窗层兼支承基板上形成第二欧姆电极；由此制造一半导体基板，该半导体基板系在该窗层兼支承基板上至少具有该除去部以外的发光层部、该第一欧姆电极及该第二欧姆电极，之后，自该半导体基板，透过刻划及劈裂而分离发光组件，由此制造发光组件；其中，该发光组件的分离，通过在与该半导体基板的该发光层部形成面侧为相反侧的表面，形成该窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下的沟槽，之后自该半导体基板的该发光层部形成面侧而沿着该沟槽对该半导体基板的表面给予刻划痕，对该沟槽的全长或一部分施加与该半导体基板垂直的力量，而分离该发光组件。

若为如此的发光组件的制造方法，通过在与半导体基板的该发光层部形成面侧为相反侧的表面，形成窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下的沟槽，即使以与该发光层部为晶格不匹配系的材料而磊晶成长出窗层兼支承基板的场合，也能够降低刻划及劈裂步骤中的不良率。

此外，此场合，该沟槽以湿式蚀刻或干式蚀刻形成为佳。

按照这些方法，便能够确实地形成所期望的深度的沟槽。

[对照现有技术的功效]

若依本发明的发光组件的制造方法，通过刻划及劈裂，将发光组件自具有晶格不匹配系的gap等的窗层兼支承基板的半导体基板予以分离之际，能够减低劈裂不良率，而能够生产率佳地制造高质量的发光组件。

附图说明

图1是表示本发明的发光组件的制造方法的第一实施方式的示意图。

图2是表示本发明的发光组件的制造方法的第二实施方式的示意图。

图3是表示过去之发光组件的制造方法的示意图。

图4是表示有关实施例1～10以及比较例1～6在窗层兼支承基板的沟槽残留厚度与经刻划及劈裂的不良率(％)的关系的图。

图5是表示有关实施例11～20以及比较例7～16在窗层兼支承基板的沟槽残留厚度与经刻划及劈裂的不良率(％)的关系的图。

具体实施方式

如上述般，在以gap等的晶格不匹配系的材料形成窗层兼支承基板的半导体基板中，通过刻划及劈裂进行晶粒化的场合，由于gap等的窗层兼支承基板原本就具有高密度的结晶缺陷(差排)，会有以刻划程度的物理力量难以将缺陷线延伸，结果经常产生劈裂不良的晶粒的问题。

此时，本发明者为了解决这样的问题而积极多次讨论。结果找出在与半导体基板的该发光层部形成面侧为相反侧的表面，形成该窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下的沟槽，之后进行通过刻划及劈裂的晶粒化，便能够降低晶粒化造成的不良率，进而完成本发明。

换言之，本发明提供一种发光组件的制造方法，包含下列步骤，在基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料且通过磊晶成长而至少依序成长第一半导体层、活性层及第二半导体层，而形成发光层部；以与该发光层部为晶格不匹配系的材料而将窗层兼支承基板予以磊晶成长在该发光层部上而形成该窗层兼支承基板；除去该基板；在该第一半导体层表面形成第一欧姆电极；至少除去该第一半导体层与该活性层而形成除去部；在该除去部的该第二半导体层或在该窗层兼支承基板上形成第二欧姆电极；由此制造一半导体基板，该半导体基板在该窗层兼支承基板上至少具有该除去部以外的发光层部、该第一欧姆电极及该第二欧姆电极，之后，自该半导体基板，透过刻划及劈裂而分离发光组件，由此制造发光组件；其中，该发光组件的分离，通过在与该半导体基板的该发光层部形成面侧为相反侧的表面，形成该窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下的沟槽，之后自该半导体基板的该发光层部形成面侧而沿着该沟槽对该半导体基板的表面给予刻划痕，对该沟槽的全长或一部分施加与该半导体基板垂直的力量，而分离该发光组件。

以下针对本发明的第一实施方式及第二实施方式，参考图式并更详细说明，然而本发明并不限于此。另外，第一实施方式与第二实施方式仅沟槽的形成方法不同，除此之外的步骤基本上能以相同方法进行。首先，针对第一实施方式及第二实施方式的前半的共通步骤，用图1的(a)～(c)、图2的(a)～(c)予以说明。

一开始，如图1的(a)及图2的(a)所示，制作algainp系磊晶晶圆的场合，准备例如朝[001]方向倾斜15度的gaas等的起始基板100及200。

然后在基板100、200上，以与基板100、200为晶格匹配系的材料，通过磊晶成长而至少依序成长第一半导体层101、201；活性层102、202以及第二半导体层103、203，而形成发光层部107、207。

具体而言，作为基板100、200而使用gaas基板的场合，于gaas基板上，以有机金属气相沉积(movpe)法，将(alxga1－x)yin1－yp(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的n包覆层(第一半导体层)101、201；(alxga1－x)yin1－yp(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的活性层102、202；(alxga1－x)yin1－yp(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的p包覆层(第二半导体层)103、203依序磊晶成长而形成发光层部107、207。然后可将gayin1－yp(0.0≦y≦1.0)所成的中间组成层104、204及具有0.5μm以上厚度的gap窗层105、205依序堆栈。

这些制作方法并不限定于movpe法，以分子束磊晶(mbe)法或化学束磊晶(cbe)法制作亦可。

然后，以与发光层部107、207为晶格不匹配系的材料，将窗层兼支承基板106、206磊晶成长于发光层部上。具体而言，利用相接于gap窗层105、205而磊晶成长出与发光层部107、207为晶格不匹配系的gaaszp1-z(0.0≦z≦0.1)窗层兼支承基板106、206，便能将窗层兼支承基板106、206形成于发光层部107、207上。虽然窗层兼支承基板106、206也可通过movpe法或mbe法形成，但亦能适宜地使用便宜且成长速度快的氢化物气相沉积(hvpe)法。厚度可为20～200μm，例如100μm左右。

窗层兼支承基板106、206形成后，如图1的(b)及图2的(b)所示，进行除去基板100、200的步骤。例如通过化学性蚀刻除去algainp系磊晶晶圆的gaas基板100、200，形成晶圆011、012。化学性蚀刻液以与algainp系材料有蚀刻选择性者为佳，一般会以含有氨的蚀刻剂进行除去。

然后，如图1的(c)及图2的(c)所示，除去基板100、200后，在晶圆011、021的下部包覆层(第一半导体层)101、201上，形成第一欧姆电极151、251，然后，至少除去第一半导体层101、201及活性层102、202而形成除去部120、220，在除去部120、220的第二半导体层103、203或在窗层兼支承基板106、206上形成第二欧姆电极161、261。

然后，非除去部(除去部120、220以外的区域)110、210之中，可于不具有第一欧姆电极151、251的区域111、211的至少一部分设置介电质部140、240。

此外，也可于非除去部110、210与除去部120、220之间的段差部130、230的至少一部分设置介电质部141、241。

接着除去部120、220之中，可于第二欧姆电极161、261以外的区域121、221的至少一部分设置介电质部142、242。如以上般所制造的半导体基板a01、a02，至少在窗层兼支承基板106、206上具有该除去部120、220以外的发光层部107、207；该第一欧姆电级151、251及该第二欧姆电极161、261。

虽然本实施方式中，举例表示了具有全部介电质部140、240；141、241；142、242的场合，但不必具有全部，仅具有一部分的场合也能够得到同样的效果。此外，本实施方式中，虽然举例表示了于第一半导体层101、201的区域111、211只有介电质部140、240的构造，但亦可于介电质部140、240与第一半导体层101、201的区域111、211之间设置光反射膜或光反射部，或者也可于介电质部140、240没有相接于第一半导体层101、201的区域111、211的面侧设置光反射膜或光反射部。

此外，本实施方式中，虽然举例表示了于区域111、211具有平坦的面的场合，但也可以为具有凹凸的面。关于具有凹凸的面，可为通过湿式蚀刻的单纯粗糙面、具有刻琢面的刻琢粗糙面、具有数十μm～数百nm间距的通过光刻予以图案化的图案化粗糙面或是具有数～数百nm的间距的沟槽形状的光子粗糙面。

此外，本实施方式中，虽然举例表示了段差部130、230；除去部120、220以及窗层兼支承基板106、206没有凹凸的平坦的面，但也可以为具有凹凸的面。关于具有凹凸的面，可为通过湿式蚀刻的单纯粗糙面、具有刻琢面的刻琢粗糙面、具有数十μm～数百nm间距的通过光刻予以图案化的图案化粗糙面或是具有数～数百nm的间距的沟槽形状的光子粗糙面的任何一种。

此外，虽然举例表示了窗层兼支承基板106、206的表面没有任何膜的构造，但也可设置由介电质所成的反射防止膜。

至此为止第一实施方式与第二实施方式为完全相同的步骤。之后则如图1的(d)、(e)及图2的(d)、(e)般，通过在与半导体基板a01、a02的该发光层部形成面侧为相反侧的表面(即具有窗层兼支承基板106、206的第一面)01a、02a，形成窗层兼支承基板106、206中残留厚度为70μm以下的沟槽180、280，自半导体基板a01、a02的发光层部形成面(01b、02b)侧而沿着沟槽对半导体基板的表面给予刻划痕182、282，对沟槽180、280的全长或一部分施加与半导体基板垂直的力量，而进行分离发光组件的步骤。沟槽的形成方法有湿式蚀刻的场合(第一实施方式)、干式蚀刻的场合(第二实施方式)，分别于以下详述。

首先，关于第一实施方式，用图1的(d)、(e)来说明。如图1的(d)所示，在与半导体基板a01的该发光层部形成面侧为相反侧的表面(即具有窗层兼支承基板106的第一面)01a上，形成1μm的sio2膜，通过光刻，将预先给予的劈裂预备线181的区域为已开口的sio2图案170予以设置。开口部171的宽度越大蚀刻越容易，可为例如25μm。开口部171的宽度并非限定于25μm，只要相对于蚀刻深度，具有1/20以上的宽度即可。

然后在与具有sio2图案170的半导体基板a01的第一面01a为相反侧的发光层部形成面侧的表面(第二面)01b涂抹电子蜡，投入以1：3的比例混和盐酸与硝酸的蚀刻溶液中，蚀刻开口部171。通过5分钟左右的浸渍可进行1μm左右的蚀刻。接着将蚀刻溶液保温的同时，透过时间管理进行控制，以成为所期望的沟槽深度。此时，沟槽180以窗层兼支承基板106中残留厚度成为70μm以下的方式形成。

然后，如图1的(e)所示般，设置了所期望的沟槽深度的半导体基板a01的第二面01b面中，沿着沟槽180(即沿着劈裂预备线181)进行给予刻划痕182的刻划处理。刻划处理可使用例如4点式的钻石刀头，以50g的负载进行。刻划条件并不限定于前述条件，使用多数点式或少数点式的刀头亦可，负载也不限定于此数值。

此外，并不限定于钻石刀头，通过激光剥蚀法进行刻划亦可。采用激光剥蚀法的场合，可使用例如波长355nm、输出功率0.5w的激光进行刻划处理。

刻划处理后，对沟槽180的全长或一部分施加与半导体基板a01垂直的力量，而分离发光组件。此时，可将保护薄膜放上第二面01b表面，从与保护薄膜面为相反侧的面将刀刃抵住而实施劈裂处理，由此晶粒化。

然后关于第二实施方式，使用图2的(d)、(e)来说明。在与半导体基板a02的发光层部形成面侧为相反侧的表面(即半导体基板a02的具有窗层兼支承基板206的第一面)02a上，形成1μm的sio2膜，通过光刻，将预先给予的劈裂预备线281的区域为已开口的光阻图案290予以设置。开口部271的宽度越大蚀刻越容易，可为例如25μm。开口部171的宽度并非限定于25μm，只要相对于蚀刻深度，具有1/20以上的宽度即可。

将具有光阻图案290的晶圆a02投入氢氟酸液，得到与光阻图案290略相同的sio2图案270。sio2图案270形成后，以有机洗净、灰化的方法除去光阻图案290。

在具有sio2图案270的晶圆a02的第一面02a，进行含有例如氯气等离子体的处理，将开口部271蚀刻。可使用cl2作为氯气等离子体源，可使用icp作为等离子体施加方式。等离子体施加的输出功率可为例如150w。接着透过时间管理进行控制，以成为所期望的沟槽深度。此时，沟槽280以窗层兼支承基板206中残留厚度成为70μm以下的方式形成。

上述所示条件仅为举例示范，并非限定于上述条件。可选择sicl4或bcl3作为氯气等离子体产生源及气体，也可选择rie作为等离子体施加方式。输出功率只要有50w以上，就能进行蚀刻。

在与设置了所期望的沟槽深度的半导体基板a02的第一面02a为相反侧的第二面02b面，沿着沟槽280(即沿着劈裂预备线281)进行给予刻划痕282的刻划处理。刻划处理可使用4点式的钻石刀头，以50g的负载进行。刻划条件并不限定于前述条件，使用多数点式或少数点式的刀头亦可，负载也不限定于此数值。

此外，并不限定于钻石刀头，通过激光剥蚀法进行刻划亦可。采用激光剥蚀法的场合，可使用例如波长355nm、输出功率0.5w的激光进行刻划处理。

刻划处理后，对沟槽280的全长或一部分施加与半导体基板a02垂直的力量，而分离发光组件。此时，可将保护薄膜放上第二面02b表面，从与保护薄膜面为相反侧的面将刀刃抵住而实施劈裂处理，由此晶粒化。

如上述般，在与半导体基板a01、a02的发光层部形成面侧为相反侧的表面01a、02a，形成窗层兼支承基板106、206中残留厚度为70μm以下的沟槽180、280，自半导体基板的发光层部形成面侧，沿着沟槽对半导体基板a01、a02的表面给予刻划痕182、282，对沟槽180、280的全长或一部分施加与半导体基板垂直的力量，而分离发光组件，便能够在通过刻划及劈裂，将发光组件自具有晶格不匹配系的gap等的窗层兼支承基板的半导体基板分离之际，减低劈裂不良率。

窗层兼支承基板中形成了残留厚度超过70μm的沟槽的场合、未形成沟槽的场合以及于半导体基板的发光层部形成面侧形成了沟槽的场合，劈裂不良率会变高。

[实施例]

以下表示本发明的实施例及比较例而对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于这些。

(实施例1～5)

根据示于图1般的本发明的发光组件的制造方法的第一实施方式，进行发光组件的制造。

首先，如图1所示，准备gaas(001)所成的基板作为起始基板100，以movpe法，于此基板上形成足以作为功能层的双异质层(发光层部107)。发光层部107依序堆栈下部包覆层(第一半导体层)101、活性层102、上部包覆层(第二半导体层)103。

第一半导体层101选择(alxga1－x)yin1－yp(0.6≦x≦1.0,0.4≦y≦0.6)的组成，本实施例中，以n型alinp包覆层为0.7μm(参杂浓度3.0×10¹⁷/cm³)、n型al0.85gainp层为0.3μm(参杂浓度1.0×10¹⁷/cm³)的二层构造作为第一半导体层。

活性层102选自(alxga1－x)yin1－yp(0.15≦x≦0.8,0.4≦y≦0.6)，依照波长而变更x及y的组成。本实施例中活性层使用多重活性层。活性层及障壁层的膜厚依照所求波长而变更，于4～12nm的范围内配合波长而各自调整。

以p型alinp包覆层为0.9μm(参杂浓度3.0×10¹⁷/cm³)、p型al0.6gainp层为0.1μm(参杂浓度1.0×10¹⁷/cm³)的二层构造作为第二半导体层103。

在发光层部107上，形成gainp所成的缓冲层(中间组成层104)的膜，此缓冲层上以movpe法及hvpe法，形成100μm左右的gap所成的窗层兼支承基板106的膜。

窗层兼支承基板106形成后，如图1的(b)所示，通过湿式蚀刻法除去基板100而作为自立基板，在除去基板100的面形成第一欧姆电极151。第一欧姆电极151为含有si、zn、s的au电极所成，膜厚为1.5μm。

然后，如图1的(c)所示，通过光刻法及蚀刻法切掉发光层部107的一部分，设置发光层区域110(非除去部)与露出窗层兼支承基板的区域(除去部)120。

接着，在除去部120的窗层兼支承基板106上形成第二欧姆电极161。第二欧姆电极161为含有be的au电极所成，膜厚为1.5μm。

接着，如图1的(d)所示，在半导体基板a01的具有窗层兼支承基板106的第一面(01a)上，形成1μm的sio2膜。通过光刻，将劈裂预备线181的区域为已开口的sio2图案170予以设置。开口宽度为25μm。

然后，在与具有sio2图案170的半导体基板的第一面(01a)为相反侧的第二面(01b)涂抹电子蜡，投入以1：3的比例混和盐酸与硝酸的蚀刻溶液中，将开口部171蚀刻而形成沟槽180。如表1所示，通过改变蚀刻时间，使沟槽180在窗层兼支承基板106中的残留厚度(沟槽厚度)产生变化。此时，以窗层兼支承基板106中残留厚度成为70μm以下的方式形成沟槽180。

然后，如图1的(e)所示，在设置了所期望的沟槽深度的半导体基板的第二面(01b)中，沿着劈裂预备线181进行刻划处理。刻划处理可使用4点式的钻石刀头，以50g的负载进行。

刻划处理后，将保护薄膜放上第二面01b表面，从与保护薄膜面为相反侧的面将刀刃抵住而实施劈裂处理，且晶粒化。

(比较例1～3)

除了改变蚀刻的时间，使沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例1同样的方法进行发光组件的制造。

(实施例6～10)

除了进行含氯气等离子体的处理而蚀刻开口部、以及使沟槽在窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例1同样的方法进行发光组件的制造。使用cl2作为氯气等离子体源、使用icp作为等离子体施加方式。等离子体施加的输出功率为150w。接着透过时间管理进行控制，以成为所期望的沟槽深度。此时，以窗层兼支承基板中残留厚度成为70μm以下的方式形成沟槽。

(比较例4～6)

除了使沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例6同样的方法进行发光组件的制造。

(实施例11～15)

除了使窗层兼支承基板的厚度为120μm左右以及沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例1同样的方法进行发光组件的制造。

(比较例7～11)

除了使沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例11同样的方法进行发光组件的制造。

(实施例16～20)

除了使窗层兼支承基板的厚度为120μm左右以及沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例6同样的方法进行发光组件的制造。

(比较例12～16)

除了使沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度为表1所示厚度以外，以与实施例16同样的方法进行发光组件的制造。

将有关实施例1～10及比较例1～6，沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度与刻划及劈裂所造成的不良率(％)的关系的表示于表1及图4。将有关实施例11～20及比较例7～16沟槽的窗层兼支承基板中残留厚度与刻划及劈裂所造成的不良率(％)的关系的表示于表1及图5。

【表1】

由表1、图4及图5得知，形成有70μm以下的残留厚度的沟槽的实施例中，能够减低劈裂不良率。

另外，本发明并不限于上述的实施型态。上述实施型态为举例说明，凡具有与本发明的申请专利范围所记载之技术思想及实质上同样构成而产生相同的功效者，不论为何物皆包含在本发明的技术范围内。