技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，电子提供层、有源层和空穴提供层依次层叠在衬底上，电子提供层包括N型氮化镓层以及插入在N型氮化镓层中的至少一个P型氮化镓层，N型氮化镓层的厚度大于电子提供层的厚度的1/2。本发明通过在N型氮化镓层中插入至少一个P型氮化镓层形成电子提供层，P型氮化镓层和N型氮化镓层形成PN结，P型氮化镓层和N型氮化镓层变成空间电荷区，空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，可以提升电子的横向扩展能力，增加电子提供层中电流的扩展与传输，降低电子提供层的体电阻，进而降低芯片的正向电压。
技术研发人员：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.08.16
技术公布日：2019.02.05