本发明属于芯片制作技术领域，具体涉及一种倒装结构芯片的制作方法。
背景技术：
传统的正装结构led(发光二极管)芯片，p型gan掺杂困难导致空穴载流子浓度低下和不易长厚而导致电流不易扩散，当前普遍采用在p型gan表面制备超薄金属薄膜或ito薄膜的方法使电流得均匀扩散。但是金属薄膜电极层要吸收部分光降低出光效率，如果将其厚度减薄反过来又限制电流扩散层在p型gan层表面实现均匀和可靠的电流扩散。ito透光率虽然高达90％，但电导率却不及金属，电流的扩散效果亦有限。而且这种结构的电极和引线做到出光面，工作时会挡住部分光线。因此，这种p型接触结构制约了led芯片的工作电流大小。另一方面，这种结构的pn结热量通过蓝宝石衬底导出，鉴于蓝宝石的导热系数很低，对大尺寸的功率型芯片来说导热路径较长，这种led芯片的热阻较大，工作电流也受到限制。
虽然紫外市场被看好，但紫外led特别是波长小于365nm的紫外led技术门槛很高。gan材料对于波长小于365nm的光存在吸收问题，所以对于波长小于365nm的紫外led，其n型半导体不能为gan材料，一般采用algan材料。n-algan的欧姆接触需要高温才能形成（一般退火温度要大于等于550℃）。对于垂直结构/倒装结构的芯片，p面的欧姆接触通常采用ag基、al基反射欧姆接触层，比较难形成且不稳定。n-algan高温退火形成欧姆接触的过程会破坏p面的欧姆接触，通常工艺中采用先制作n型欧姆接触层，再制作p型欧姆接触层来避免p面欧姆接触被破坏的问题。但是，采用先制作n型欧姆接触层，再制作p型欧姆接触层也会带来新的问题：比如p型欧姆接触退火过程破坏n型欧姆接触，以及采用剥离方法制作p型欧姆接触层（先制作n型欧姆接触再制作p型欧姆接触，p型欧姆接触层只能采用剥离工艺制作）引入的粘附性问题等等。
技术实现要素：
本发明提供了一种倒装结构紫芯片的制作方法，解决了上述问题，提供了一种衬底为钨钼铜合金降低成本且明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆接触金属粘附性，降低芯片电压，提高芯片稳定性，提高生产率的倒装结构芯片的制作方法。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种倒装结构芯片的制作方法，包括以下步骤：
s1、以钨钼铜合金（wmocu）作为衬底层，在钨钼铜衬底层上外延生长aln缓冲层，然后依次生长u-gan层、n-algan层、多量子阱层以及p-gan层或p-algan层；
s2、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p-gan层或p-algan层，以及多量子阱层和部分n-algan层，露出n-algan层表面；
s3、通过剥离的方法在n-algan层表面上制作n型欧姆接触金属，并高温退火；
s4、腐蚀去除n-algan层上的n型欧姆接触金属；
s5、在p-gan层或p-algan层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并在400℃～550℃下退火80s～220s，该p型欧姆接触层也为反射镜层；
s6、在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层；
s7、在金属阻挡层和n-algan层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n-algan层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火；
s8、先光刻出p型电极区域，并腐蚀去除该区域的绝缘层，然后加厚制得p电极和n电极，再沉积一层绝缘材料层，并做二次电极分布，最后去除生长衬底和u-gan层，并粗化n-algan层，制得倒装结构led芯片。
优选地，所述步骤s3中，n型欧姆接触金属为钛、铝、镍、金、矾、锆中的一种或几种组合或它们的合金。
优选地，所述步骤s3中，高温退火的温度为550℃～1000℃，退火时间为20s～60s，退火氛围为氮气。
优选地，所述步骤s4中，腐蚀采用的溶液为盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸、冰醋酸、王水中的一种或几种组成的混合液。
优选地，所述步骤s5中，p型欧姆接触层的制备方法为：先采用乙醇、盐酸、硝酸混合液对p-gan层或p-algan层的表面进行处理，然后采用电子束蒸发方法在p-gan层或p-algan层的表面沉积一层p型欧姆接触金属，光刻腐蚀出p型欧姆接触层，并在350℃～550℃下退火60s～300s。
优选地，所述步骤s6中，金属阻挡层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成。
优选地，所述步骤s7中，n型欧姆接层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成。
优选地，所述步骤s7中，所述退火的温度为25℃～300℃，退火时间为20s～180s。
本发明所达到的有益效果：本发明将传统的蓝宝石衬底用钨钼铜合金替换，不仅降低生产成本且简化了加工工艺；明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆接触金属粘附性，降低芯片电压，提高芯片稳定性，提高生产率。
具体实施方式
下面对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例一：
s1、以钨钼铜合金（wmocu）作为衬底层，在钨钼铜衬底层上外延生长aln缓冲层，然后依次生长u-gan层、n-algan层、多量子阱层以及p-algan层；
s2、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p-algan层，以及多量子阱层和部分n-algan层，露出n-algan层表面；
s3、通过剥离的方法在n-algan层表面上制作n型欧姆接触金属，n型欧姆接触金属为钛铝合金，并高温退火，高温退火的温度为700℃，退火时间为50s，退火氛围为氮气；
s4、采用腐蚀溶液盐酸、硝酸混合液去除n-algan层上的n型欧姆接触金属；
s5、采用乙醇、盐酸、硝酸混合液对p-gan层的表面进行处理，再采用电子束蒸发方法在p-gan层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并在350℃下退火200s，该p型欧姆接触层也为反射镜层；
s6、在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层，金属阻挡层采用镍钛合金制成；
s7、在金属阻挡层和n-algan层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n-algan层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火，n型欧姆接层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成，退火的温度为300℃，退火时间为160s；
s8、先光刻出p型电极区域，并腐蚀去除该区域的绝缘层，然后加厚制得p电极和n电极，再沉积一层绝缘材料层，并做二次电极分布，最后去除生长衬底和u-gan层，并粗化n-algan层，制得倒装结构芯片。
实施例二：
s1、以钨钼铜合金作为衬底层，在钨钼铜衬底层上外延生长aln缓冲层，然后依次生长u-gan层、n-algan层、多量子阱层以及p-gan层；
s2、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p-gan层，以及多量子阱层和部分n-algan层，露出n-algan层表面；
s3、通过剥离的方法在n-algan层表面上制作n型欧姆接触金属，n型欧姆接触金属为钛铝合金，并高温退火，高温退火的温度为650℃，退火时间为45s，退火氛围为氮气；
s4、采用腐蚀溶液硫酸去除n-algan层上的n型欧姆接触金属；
s5、采用乙醇、盐酸、硝酸混合液对p-gan层的表面进行处理，再采用电子束蒸发方法在p-gan层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并在500℃下退火100s，该p型欧姆接触层也为反射镜层；
s6、在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层，金属阻挡层采用钨制成；
s7、在金属阻挡层和n-algan层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n-algan层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火，n型欧姆接层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成，退火的温度为260℃，退火时间为120s；
s8、先光刻出p型电极区域，并腐蚀去除该区域的绝缘层，然后加厚制得p电极和n电极，再沉积一层绝缘材料层，并做二次电极分布，最后去除生长衬底和u-gan层，并粗化n-algan层，制得倒装结构芯片。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。