用于实现微电子封装结构中的焊料接头稳定性的衬底架构的制作方法

例如，微电子封装结构(例如，堆叠式封装(pop)结构)的组件中使用的组装工艺可能是电子制造商的制造难题。诸如封装翘曲和焊料接头形成不良的问题可能影响封装性能。

附图说明

尽管说明书所总结的权利要求特别指出了特定实施例并且明确地要求保护特定实施例，但是通过结合附图阅读下面的描述可以更容易地确定这些实施例的优点，在附图中：

图1表示根据实施例的封装结构的截面视图。

图2a-2e表示根据实施例的形成封装结构的方法的截面视图。图2f描绘了根据实施例的封装结构的顶视图。

图3表示根据实施例的封装组件的截面视图。

图4表示根据实施例的形成封装结构的方法的流程图。

图5表示根据实施例的计算设备的示意图。

具体实施方式

在以下的具体实施方式中，将参考以例示的方式示出可以实践方法和结构的具体实施例的附图。将用充分的细节描述这些实施例，从而使本领域技术人员能够实践所述实施例。要理解的是，尽管各种实施例是不同的，但未必是相互排斥的。例如，可以在其它实施例中实施在本文中结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性，而不脱离实施例的精神和范围。此外，应当理解，可以对所公开的每一实施例中的各个元件的位置和布置做出修改，而不脱离实施例的精神和范围。

因此，不应以限制性意义来考虑以下的具体实施方式，并且所述实施例的范围仅由所附权利要求限定，其中，要连同所附权利要求有权享有的全部范围的等价方案对所附权利要求的范围加以适当的解释。在附图中，类似的附图标记可以指代若干视图中的相同或类似的功能。本文所使用的术语“在……之上”、“到”、“在……之间”和“在……上”可以指代一层相对于其它层的相对位置。一层在另一层“之上”或“上”或者接合“到”另一层可以直接与其它层接触或可以具有一个或多个中间层。处于层“之间”的一层可以直接与所述层接触，或者可以具有一个或多个中间层。层和/或结构彼此“相邻”可以具有或者可以不具有处于其间的中间结构/层。(多个)层/(多个)结构直接处于其它(多个)层/(多个)结构上或者直接与其它(多个)层/(多个)结构接触可以不具有处于其间的(多个)中间层/(多个)结构。

可以在诸如封装衬底之类的衬底上形成或者执行文中实施例的各种实施方式。封装衬底可以包括任何适合类型的能够提供管芯(例如集成电路(ic)管芯)与微电子封装可以耦合到的下一级部件(例如，电路板)之间的电通信的衬底。在另一实施例中，衬底可以包括任何适合类型的能够在ic管芯和与下ic/管芯封装耦合的上ic封装之间提供电通信的衬底，并且在另外的实施例中，衬底可以包括任何适合类型的能够在上ic封装和ic封装耦合到的下一级部件之间提供电通信的衬底。

衬底还可以提供对管芯/器件的结构支撑。通过示例的方式，在一个实施例中，衬底可以包括围绕核心层(电介质或金属核)构建的多层衬底(包括电介质材料和金属的交替层)。在另一个实施例中，衬底可以包括无核多层衬底。其它类型的衬底和衬底材料还可以与所公开的实施例结合使用(例如，陶瓷、蓝宝石、玻璃等)。此外，根据一个实施例，衬底可以包括在管芯自身之上构建的电介质材料和金属的交替层，这一过程有时被称为“无凸点构建过程”。在使用这样的方案时，可能需要或可能不需要导电互连(因为在某些情况下所述构建层可以直接设置在管芯之上)。

管芯/器件可以包括任何类型的集成电路器件。在一个实施例中，管芯可以包括处理系统(单核或者多核)。例如，管芯可以包括微处理器、图形处理器、信号处理器、网络处理器、芯片组等。在一个实施例中，管芯可以包括具有多个功能单元(例如，一个或多个处理单元、一个或多个图形单元、一个或多个通信单元、一个或多个信号处理单元、一个或多个安全单元等)的片上系统(soc)。但是，应当理解，所公开的实施例不限于任何特定类型或种类的器件/管芯。

例如，导电互连结构可以设置在管芯/器件的(多)侧上，并且可以包括任何类型的能够在管芯/器件与衬底或另一管芯/器件之间提供电通信的结构和材料。在实施例中，导电互连结构可以包括管芯上的导电端子(例如，焊盘、凸点、钉头凸点、柱、杆或者其它适合结构或结构的组合)和衬底上的对应导电端子(例如，焊盘、凸点、钉头凸点、柱、杆或者其它适合结构或结构的组合)。焊料(例如，采用球或凸点的形式)可以设置在衬底和/或管芯/器件的端子上，并且随后使用焊料回流过程来接合这些端子。当然，应当理解，很多其它类型的互连和材料也是可能的(例如，在管芯和衬底之间延伸的焊线)。

管芯上的端子可以包括任何适合的材料或者任何适合的材料组合，而不管其是以多层的方式设置的还是被组合成形成一种或多种合金和/或一种或多种金属间化合物。例如，管芯上的端子可以包括铜、铝、金、银、镍、钛、钨以及这些和/或其它金属的任何组合。在其它实施例中，端子可以包括一种或多种非金属材料(例如，导电聚合物)。衬底上的端子还可以包括任何适合的材料或任何适合的材料组合，而不管其是以多层的方式设置的还是被组合成形成一种或多种合金和/或一种或多种金属间化合物。

例如，衬底上的端子可以包括铜、铝、金、银、镍、钛、钨以及这些和/或其它金属的任何组合。可以使用任何适合的焊料材料来分别接合管芯和衬底的配合端子。例如，焊料材料可以包括锡、铜、银、金、铅、镍、铟以及这些和/或其它金属的任何组合中的任何一种或多种。焊料还可以包括一种或多种添加剂和/或填充材料，以更改焊料的特性(例如，更改回流温度)。

描述了形成封装结构的方法(例如，形成包括用于毛细底部填充的开口的内插件的方法)的实施例。这些方法/结构可以包括包含第一管芯的第一衬底，其中，底部填充材料设置在所述第一衬底的第一表面上、与所述第一管芯相邻；以及设置在所述第一衬底上的第二衬底，其中，所述第二衬底包括设置在所述第一管芯之上的至少一个开口，其中，所述至少一个开口至少部分地用底部填充材料来填充。本文的实施例提高了封装结构(例如，片上系统(soc)pop封装组件)的焊料接头可靠性。

图1示出了包括具有至少一个开口的内插件的封装结构的实施例。在图1(截面视图)中，封装结构100的部分(可以包括堆叠式封装(pop)组件的部分)可以包括第一衬底102。第一衬底102可以包括电介质和导电材料/层的交替层(未示出)，例如，其可以包括布线信号(例如，io信号)、vss和vcc电源层。第一衬底102的电介质材料可以包括以下材料，例如双马来酰亚胺三嗪树脂、4级阻燃材料、聚酰亚胺材料、玻璃增强环氧树脂基质材料等，以及其叠层或多个层。微电子第一衬底102导电布线可以由任何导电材料组成，包括但不限于金属，例如铜和铝以及其合金。在实施例中，第一衬底102可以包括衬底面板，其中，若干管芯可以设置在所述衬底面板上，并且其中，例如，所述衬底的部分随后可以在组装过程中被分割成各个包含个体管芯的个体部分。

第一衬底102还可以包括设置在第一衬底102的第一表面上的至少一个管芯104。所述至少一个管芯104可以包括任何适合类型的管芯，例如，微处理器、芯片组、图形器件、无线器件、存储器器件或者专用集成电路等，并且可以通过多个导电互连106以通常被称为倒装芯片或者受控塌陷芯片连接(c4)配置的配置的方式附接至第一衬底102的第一表面105。导电互连106可以在设置在微电子器件104的有源表面上的互连焊盘(未示出)和设置在第一衬底/衬底面板102的第一侧105上的互连焊盘(未示出)之间延伸。

可以包括穿模互连(tmi)结构122的焊料互连结构122可以被定位为与设置在第一衬底102上的个体管芯相邻，并且可以设置在接触结构103上，所述接触结构103设置在第一衬底102的第一侧105上。所述至少一个管芯/器件104可以包括(例如)片上系统器件，并且每个体管芯104可以设置在焊料互连结构122之间。诸如环氧树脂底部填充材料的底部填充材料115可以被设置为与所述至少一个管芯104和所述焊料互连结构122相邻，并且位于所述第一衬底102的所述第一表面上。

第二衬底108可以设置在所述第一衬底102上，并且可以包括例如内插件。第二衬底108可以包括任何适合类型的衬底材料/信号布线(例如，设置在电介质材料内的导电迹线)。第二衬底108可以包括一系列中断/开口116，其中，所述中断116可以至少部分地用环氧树脂底部填充化合物115来填充。开口116可以包括与底部填充材料115相邻的侧壁，底部填充材料115至少部分地设置在开口116内。

在实施例中，开口116可以包括大约与第二衬底108的高度相同的高度，其中，内插件的高度可以包括大约50微米到大约300微米之间的高度。在实施例中，开口116可以包括大约100微米到大约1000微米之间的宽度117。开口116的宽度117可以根据特定的设计要求而变化。间隙112可以设置在相邻的第二衬底108、108’之间。相邻的第二衬底108、108’可以分别设置在相邻管芯104、104’之上。在实施例中，间隙112可以包括大约120微米到大约180微米之间的宽度112。开口116有助于在组装处理期间对底部填充材料进行分配，如将在本文中进一步描述的。在实施例中，开口116形成在第二衬底的信号布线/导电迹线所未处于的区域内，并且开口116位于管芯104的占用区域118内。通过使用开口/排气孔116，可以在替补填充分配工艺期间极大地降低间隙宽度112。

图2a-2f描绘了根据实施例的形成封装结构的方法的截面视图。在图2a-2b中，可以提供诸如图1的第二衬底108之类的衬底208。可以采用诸如激光钻孔工艺240之类的去除工艺240以在第二衬底208内形成开口216(图2b)，其中，开口216可以包括侧壁209。所形成的开口216的数量可以根据特定的应用而变化，并且可以根据要组装/耦合到衬底208的器件的热考虑因素而变化。在实施例中，开口216的宽度217可以包括大约100微米到大约1000微米之间的宽度。在一些实施例中，所述开口的侧壁可以包括各种角度/形状，并且可以包括非竖直侧壁。在实施例中，例如，开口216可以包括圆形形状、矩形形状(从顶视图来看)或者任何其它适合的形状。

可以通过(例如)附接工艺将至少一个衬底/内插件208置于与图1的第一衬底102类似的下衬底202上，其中，为了简化起见仅描绘了两个衬底/内插件208、208’(图2c)。下衬底202可以包括衬底面板，其中，多个管芯204(为了简化起见示出了管芯204、204’)可以设置在所述衬底面板上。在实施例中，例如，所述至少一个管芯204、204’可以包括中央处理单元(cpu)以及/或者片上系统的部分。在实施例中，管芯204、204’可以被设置为与焊料互连结构222相邻并且被设置在焊料互连结构222之间，所述焊料互连结构222可以包括tmi互连结构222。在实施例中，间隙213设置在两个衬底/内插件208、208’之间，其中，所述间隙包括处于大约130微米到大约180微米之间的宽度212。在实施例中，衬底208的开口216可以位于管芯204的占用区域内。

在实施例中(图2d)，可以利用分配工艺242分配底部填充材料215，其中，分配工艺242可以包括毛细底部填充分配工艺。由于除了衬底208、208’之间的间隙213之外，衬底208、208’还包括至少一个开口216，因而底部填充215可以被更加均匀地分配在管芯104、104’和tmi结构222之间，以及衬底208、208’和下衬底202之间。通过具有多个开口(通过其分配底部填充材料215)，极大地减少或者消除了翘曲和空位。

因此，提高了焊料接头可靠性。位于本文的实施例的衬底/内插件208内的开口216避免了空位陷入，因为底部填充材料215倾向于最初从内插件208的中央流动，并且随后流向内插件/衬底208的外部区域。分配工艺242倾向于：在融合/流向衬底面板202上的相邻内插件208’之前填充第一内插件208下面的体积。本文所包括的衬底/内插件结构倾向于允许底部填充材料朝衬底/内插件208的中央流动，其中，空气随后能够通过开口216逸出。

图2e描绘了第二管芯220通过管芯附接工艺244附接至衬底/内插件208的实施例的截面视图。在实施例中，第二管芯220可以包括存储器管芯，但是还可以根据特定应用包括任何适合类型的管芯。在一些实施例中，多个管芯和/或多个堆叠管芯可以设置在衬底208上。在实施例中，第二管芯220可以至少部分地处于内插件208的开口216上/之上。在实施例中，可以放置第二管芯220，其中，第二管芯220的任何热点不可以设置在衬底区段208a-208d的侧壁部分209之间，因为位于开口216内的底部填充材料215可能加剧第二管芯220的热点位置处的热问题。图2f描绘了衬底208的顶视图，其中，开口216设置在位于下衬底202上的管芯204的占用区域内。

图3描绘了封装组件300的实施例。在实施例中，封装组件300可以包括下/第一封装345，下/第一封装345可以包括设置在第一衬底302的第一侧305上的第一管芯304。第一封装345可以附接/设置在上/第二封装347上，其中，上封装347可以包括设置在上/第二衬底308的第一侧328上的第二管芯320。在实施例中，第二/上衬底308可以包括含有侧壁的中断/开口316，其中，开口316至少部分地有底部填充材料315来填充。例如，在实施例中，开口316可以包括大约100微米到大约1000微米的宽度，并且可以包括任何适合的形状，例如，矩形或圆形形状。在实施例中，开口316可以设置在第一管芯304的占用区域内。

在实施例中，焊料球/焊料接头322可以不仅设置在导电接触焊盘303(其设置在第一衬底302的第一侧305上)上而且设置在第二衬底308的第二侧330上，并且可以将第二衬底308电气和物理地耦合到第一衬底302。焊料球322可以是已经通过经历先前的附接/回流工艺(例如，表面安装技术工艺(smi))而形成的，其中，焊料球322已经经历了超过大约200摄氏度的温度下的温度循环，从而在第一封装302和第二封装308之间形成焊料接头322。底部填充材料315可以被设置为与焊料结构322相邻并且与管芯304相邻，并且可以设置在第一衬底302的第一侧305上。

在将衬底面板(例如，图2e的第一衬底202面板)分割成单独的封装之后，板335(例如母板)可以附接到封装组件300的下衬底302。多个焊料互连327可以设置在板335和下/第一衬底302的第二侧337之间。经接合的第一封装302和第二封装308可以包括堆叠式封装(pop)组件300。在实施例中，第二管芯320可以设置在第一管芯304上/之上。

例如，第一管芯304可以包括片上系统或者中央处理单元(cpu)，但是可以包括任何其它适合类型的管芯。在实施例中，焊料球322可以包括穿模互连(tmi)焊料球322。图3的封装结构300由于开口316而呈现出了减少的翘曲和空位形成，这在先前的毛细底部填充处理期间提供了对底部填充材料315的更加均匀的分配。

板335可以包括任何适合类型的电路板或者能够在设置在板335上的各种部件中的一个或多个部件之间提供电通信的其它衬底。在一个实施例中，例如，板335可以包括印刷电路板(pcb)，印刷电路板(pcb)包括通过电介质材料层相互间隔开并且通过导电过孔互连的多个金属层。所述金属层中的一层或多层可以是以期望电路图案形成的，从而(有可能协同其它金属层)在与板335耦合的部件之间发送电信号。但是，应当理解，所公开的实施例不限于上文描述的pcb，并且此外板335可以包括任何其它适合的衬底。

pop组件300包括第一封装345和第二封装347，其中，第一封装345和第二封装347中的每个可以包括任何适合的器件/管芯或者器件的组合。根据一个实施例，第一封装345包括一个或多个处理系统，并且第二封装347包括一个或多个存储器器件。在另一个实施例中，第一封装345包括一个或多个处理系统，并且第二封装347包括无线通信系统(或者替代地包括通信系统的一个或多个部件)。

在另外的实施例中，第一封装345包括一个或多个处理系统，并且第二封装347包括图形处理系统。pop组件300可以包任何类型的计算系统的部分，例如手提式计算系统(例如，移动电话、智能电话、音乐播放器等)、移动计算系统(例如，膝上型电脑、上网本、平板电脑等)、台式计算系统或服务器。在一个实施例中，pop组件300包括固态驱动器(ssd)。

本文描述的实施例提供了用于例如封装架构(如pop封装组件)的衬底/内插件结构，例如，其实现了无空位粘合剂毛细底部填充处理。减少了翘曲，并显著提高了热特性和焊料接头可靠性。面板结构上的相邻衬底/内插件之间的间隙被极大降低，从而提高了工艺吞吐量。位于本文的实施例的衬底/内插件内的开口避免了空位陷入，因为底部填充材料从内插件的中央朝向内插件的外部区域流动，并且在与面板上的相邻内插件融合之前填充第一内插件下面的体积。可以针对特定应用优化衬底/内插件开口的数量和尺寸。可以通过使用本文的实施例提高分配速率，并且开口的位置可以位于衬底/内插件的避开布线层的区域中。

图4描绘了根据本文的实施例的方法400。在步骤402，可以在上衬底的中央部分中形成至少一个开口。在实施例中，至少一个衬底402可以包括上pop封装的内插件。在实施例中，至少一个开口可以包括大约100微米到大约1000微米的宽度，并且在其它实施例中，至少一个开口可以包括大约0.9mm到大约1.1mm的宽度/直径。在步骤404，上衬底可以附接至下衬底，其中，下衬底包括第一管芯。在实施例中，下衬底可以包括pop封装的下封装。在步骤406，底部填充材料可以被分配在至少一个开口内。在实施例中，底部填充材料可以是采用毛细底部填充工艺分配的。在步骤408，底部填充材料可以被形成为与第一管芯相邻。在实施例中，底部填充材料可以至少部分地形成在至少一个开口内。在实施例中，底部填充材料可以被另外地分配在位于设置在下衬底上的相邻内插件之间的间隙内，其中，所述间隙可以包括大约120微米到大约180微米的宽度。

本文的实施例的结构可以与任何适合类型的能够在设置在封装结构中的微电子器件(例如，管芯)和封装结构可以耦合到的下一级部件(例如，电路板)之间提供电通信的结构耦合。例如，本文的实施例的器件/封装结构及其部件可以包括电路元件，例如，用于在处理器管芯中使用的逻辑电路。金属化层和绝缘材料以及可以将金属层/互连耦合至外部器件/层的导电接触部/凸点可以被包括在本文的结构中。在一些实施例中，所述结构还可以包括多个管芯，所述多个管芯可以相互堆叠，这取决于特定实施例。在实施例中，(多个)管芯可以被部分地或者完全地嵌入在封装衬底中。

本文中所包括的器件结构的各种实施例可以用于片上系统(soc)产品，并且可以应用到诸如智能电话、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴设备和其它电子移动设备之类的设备中。在各种实施方式中，所述封装结构可以被包括在膝上型电脑、上网本、超极本、个人数字助理(pda)、超级移动pc、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器或数字视频录像机以及可穿戴设备中。在另外的实施方式中，本文的封装器件可以被包括在处理数据的任何其它电子设备中。

图5是可以结合本文所述的封装结构的实施例实施的计算设备500的示意图。例如，计算设备500的部件中的任何适合部件可以包括封装结构/组件(例如，图3中所描绘的)或者可以被包括在封装结构/组件中，其中，pop组件的上封装的内插件/衬底包括多个开口。在实施例中，计算设备500容纳板502，例如母板502。板502可以包括若干部件，所述部件包括但不限于处理器504、管芯上存储器506以及至少一个通信芯片508。处理器504可以物理和电耦合到板502。在一些实施方式中，所述至少一个通信芯片508可以物理和电耦合到板502。在另外的实施方式中，通信芯片508是处理器504的部分。

根据其应用，计算设备500可以包括可以或可以不物理和电耦合到板502以及可以或可以不相互通信地耦合的其它部件。这些其它部件包括但不限于易失性存储器(例如，dram)509、非易失性存储器(例如，rom)510、闪速存储器(未示出)、图形处理器单元(gpu)512、芯片组514、天线516、诸如触摸屏显示器之类的显示器518、触摸屏控制器520、电池522、音频编解码器(未示出)、视频编解码器(未示出)、全球定位系统(gps)设备526、集成传感器528、扬声器530、相机532、光盘(cd)(未示出)以及数字多功能盘(dvd)(未示出)等。这些部件可以连接到系统板502、安装到所述系统板或与所述其它部件中的任何部件组合。

通信芯片508实现了无线和/或有线通信，以用于将数据传输到计算设备500和从计算设备500传输数据。术语“无线”及其派生词可以用于描述通过使用经调制的电磁辐射来经由非固态介质传送数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等。术语并非暗示相关联的设备不包含任何电线，但是在一些实施例中它们可能不包含电线。通信芯片508可以实施若干无线或有线标准或协议中的任何标准或协议，包括但不限于wi-fi(ieee802.11系列)、wimax(ieee802.16系列)、ieee802.20、长期演进(lte)、ev-do、hspa+、hsdpa+、hsupa+、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、蓝牙、以太网、它们的衍生产物以及被指定为3g、4g、5g以及更高代的任何其它无线和有线协议。

计算设备500可以包括多个通信芯片508。例如，第一通信芯片可以专用于较短范围的无线通信，例如，wi-fi和蓝牙，并且第二通信芯片可以专用于较长范围的无线通信，例如，gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do及等。术语“处理器”可以指代处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据转换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其它电子数据的任何设备或设备的部分。

在各种实施方式中，计算设备500可以是膝上型电脑、上网本、笔记本、超级本、智能电话、平板电脑、个人数字助理(pda)、超级移动pc、可穿戴设备、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器或数字视频录像机。在另外的实施方式中，计算设备500可以是处理数据的任何其它电子设备。

本文所述的封装结构的实施例可以被实施为一个或多个存储器芯片、控制器、cpu(中央处理单元)、使用母板互连的微芯片或集成电路、专用集成电路(asic)和/或现场可编程门阵列(fpga)的部分。

示例

示例1是一种微电子封装结构，其包括：第一衬底、设置在所述衬底的表面上的第一管芯、设置在所述第一衬底的第一表面上并且与所述第一管芯相邻的底部填充材料；以及设置在所述第一衬底上的第二衬底，其中，所述第二衬底包括设置在所述第一管芯之上的至少一个开口，其中，所述至少一个开口至少部分地用底部填充材料来填充。

示例2包括示例1的微电子封装结构，其中，所述至少一个开口包括处于大约100微米到大约1000微米之间的宽度。

示例3包括示例1的微电子封装结构，其中，管芯设置在所述第二衬底上。

示例4包括示例1的微电子封装结构，其中，所述至少一个开口包括所述第二衬底的与所述底部填充材料相邻的侧壁。

示例5包括示例1的微电子封装结构，其中，所述至少一个开口设置在所述第一管芯的占用区域内。

示例6包括示例1的微电子封装结构，其中，所述第二衬底包括内插件。

示例7包括示例1的微电子封装结构，其中，所述第一管芯包括片上系统管芯。

示例8包括示例1的微电子封装结构，其中，所述微电子封装结构包括堆叠式封装组件。

示例9是一种形成微电子封装结构的方法，其包括：在上衬底的中央部分形成至少一个开口；将所述上封装衬底附接到下衬底，其中，所述下衬底包括第一管芯；将底部填充材料分配在所述至少一个开口内；以及将所述底部填充材料形成为与所述第一管芯相邻。

示例10包括示例9的形成微电子封装结构的方法，其中，附接所述上衬底还包括：将所述至少一个开口置于所述第一管芯的占用区域内。

示例11包括示例9的形成微电子封装结构的方法，其还包括：将所述底部填充材料形成为与设置在所述上衬底和所述下衬底之间的焊料接头相邻。

示例12包括示例9的形成微电子封装结构的方法，其中，形成所述至少一个开口包括对所述至少一个开口进行激光钻孔。

示例13包括示例9的形成微电子封装结构的方法，其中，所述下衬底包括设置在所述下衬底的第一侧上的多个管芯。

示例14包括示例13的形成微电子封装结构的方法，还包括将附加的上衬底置于所述下衬底上，并且将底部填充材料分配在所述上衬底和所述附加的上衬底之间的间隙中。

示例15包括示例14的形成微电子封装结构的方法，其中，所述间隙包括处于大约130微米和大约180微米之间的宽度。

示例16包括示例9的形成微电子封装结构的方法，其中，所述微电子封装结构包括堆叠式封装组件。

示例17是一种微电子系统，其包括：板；附接到所述板的微电子封装组件，其中，所述微电子封装包括：第一衬底；位于所述第一衬底的表面上的第一管芯，其中，底部填充材料设置在所述第一表面上、与所述第一管芯相邻；以及设置在所述第一衬底上的第二衬底，其中，所述第二衬底包括处于所述第一管芯之上的至少一个开口，并且其中，所述至少一个开口至少部分地用所述底部填充材料来填充。

示例18包括示例17的微电子系统，其中，所述至少一个开口设置在所述第一管芯的占用区域内。

示例19包括示例17的微电子系统，其中，所述至少一个开口包括处于大约100微米到大约1000微米之间的宽度。

示例20包括示例17的微电子系统，其中，所述开口的深度等于所述第二衬底的高度。

示例21包括示例17的微电子系统，其中，至少一个焊料结构设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间、处于所述第一衬底的外围部分中，并且其中，所述底部填充材料与所述至少一个焊料结构相邻。

示例22包括示例17的微电子系统，其中，所述第二衬底包括设置在所述第二衬底的表面上的第二管芯。

示例23包括示例22的微电子系统，其中，所述第二管芯至少部分设置在所述至少一个开口中的至少一个开口之上。

示例24包括示例17的微电子封装系统，其中，所述第一管芯包括片上系统。

示例25包括示例17的微电子系统，其中，所述微电子封装组件包括堆叠式封装组件。

尽管前面的描述已经指出了在所述实施例的方法中可以使用的某些步骤和材料，但是本领域技术人员将认识到可以做出很多修改和替代。相应地，所有这样的修改、变更、替代和添加都要被认为是落在由所附权利要求限定的实施例的精神和范围内。此外，本文提供的附图仅示出了涉及实践所述实施例的示例性微电子器件及相关封装结构的部分。因此，所述实施例不限于本文所述的结构。