技术特征：
技术总结
量子级联激光光源的制造方法包括：准备半导体层叠体(20)的工序；形成一对第一挖入部(41、42)和以被该一对第一挖入部(41、42)夹持的方式形成的脊部(30)的工序；形成沟道结构(51、52)和以在与脊部(30)之间夹着沟道结构(51、52)的方式形成的周缘部(61、62)的工序；以与第一区域(29a)相接的方式形成电极图案(81)并且以与第二区域(22a)相接的方式形成电极图案(82)的工序；将结晶生长面侧固定于支承基板(91)的工序；去除Fe掺杂(半绝缘)InP单晶基板(21)的工序；固定Si基板(93)的工序；和剥离支承基板(91)的工序。
技术研发人员：伊藤昭生;藤田和上;河口大祐;道垣内龙男;枝村忠孝
受保护的技术使用者：浜松光子学株式会社
技术研发日：2018.09.05
技术公布日：2019.03.12