技术特征：
技术总结
一种BSI图像传感器及其形成方法，所述BSI图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底的正面形成有逻辑器件；多个光电转换块，位于所述半导体衬底的背面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构电连接至不同的逻辑器件。本发明方案可以形成更多的光生载流子，减少对半导体衬底的损伤，降低生产成本，减少工艺复杂度。
技术研发人员：吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;薛超
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2018.09.13
技术公布日：2019.01.18