技术特征：
技术总结
本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种光伏芯片的制作方法及光伏组件。本发明的光伏芯片的制作方法中，刻划第三沟槽时，其刻划路径与第二沟槽的刻划路径相邻且相邻的一侧重合，或其刻划路径至少部分位于第二沟槽的刻划路径内，使得第二沟槽内的第二电极层的材料形成的导通部与第三沟槽直接相邻。因此第三沟槽与导通部之间不存在死区，从而增加了光伏芯片的有效面积。本发明实施例提供的光伏组件，其包括由上述光伏芯片的制作方法所制得的光伏芯片，因此具有死区少、有效面积大的优点。
技术研发人员：孙勇
受保护的技术使用者：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
技术研发日：2018.09.26
技术公布日：2019.01.18