发光装置及其制造方法与流程

本发明涉及一种发光装置，且特别涉及一种具有系连层的发光装置及其制造方法。

背景技术：

微型发光元件(或称微型发光二极管)的发光装置为新一代的显示装置，其具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快以及可靠性高等优点。但是，仍然有可能存在微型发光元件的有效发光面积较少等等的问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种发光装置，可以增加微型发光元件的有效发光面积。

本发明的一种发光装置包括基板、黏着层、微型发光元件、第一导电层以及第二导电层。黏着层位于基板上。黏着层的下表面朝向基板且黏着层的上表面背对基板。微型发光元件位于黏着层的凹槽中。微型发光元件的发光面远离基板。微型发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、系连层、第一电极以及第二电极。第二半导体层与第一半导体层重叠。第一半导体层的垂直投影面积大于第二半导体层的垂直投影面积。第二半导体层比第一半导体层更接近于基板。系连层覆盖第一半导体层的部分侧面、第一半导体层的部分下表面、第二半导体层的侧面以及第二半导体层的部分下表面。系连层具有第一通孔与第二通孔。第一通孔对应于第一半导体层的该部分下表面以及第二通孔对应于第二半导体层的该部分下表面。第一电极位于系连层上，且通过第一通孔而与第一半导体层电性连接。第二电极位于系连层上，且通过第二通孔而与第二半导体层电性连接。第一导电层位于基板上，且电性连接第一电极。第二导电层位于基板上，且电性连接第二电极。

本发明的一种发光装置的制造方法，包括：形成微型发光元件于成长基板上，其中，微型发光元件包含第一半导体层、第二半导体层、系连层、第一电极与第二电极，系连层设置于第一半导体层与第二半导体层上，且系连层具有第一延伸部、第二延伸部以及沿着预定方向延伸的至少一系连，第一电极与第二电极分别设置于第一延伸部以及第二延伸部上，且分别电性连接于第一半导体层与第二半导体层；形成第一牺牲层于微型发光元件上；形成第二牺牲层于微型发光元件上，其中系连连接牺牲部，且牺牲部接触第二牺牲层；提供中介基板于第二牺牲层上以形成中介结构，倒置中介结构，并移除生长基板；移除第一牺牲层；于基板上形成黏着层；利用转置装置接触微型发光元件的第一半导体层，且将微型发光元件转置于黏着层上；以及形成第一导电层和第二导电层于基板上，第一导电层和第二导电层分别电性连接第一电极与第二电极。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种发光装置的制造方法的流程图；

图2a～图12a、图15a～图17a是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的制造方法的上视示意图；

图2b～图12b、图15b～图17b是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图；

图7c～图12c、图13、图14、图15c～图16c是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图；

图18是依照本发明的第二实施例的一种发光装置的剖面示意图；

图19是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的剖面示意图；

图20是依照本发明的一实施例的一种发光装置的制造方法的流程图；

图21是依照本发明的第四实施例的一种发光装置的剖面示意图。

其中，附图标记

10、20、30、40：发光装置

100：微型发光元件

110：第一半导体材料层

110’：第一半导体层

120：发光材料层

120’：发光层

130：第二半导体材料层

130’：第二半导体层

140：系连材料层

140’：系连层

142’：第一延伸部

144’：第二延伸部

146’：系连

148’：牺牲部

152：第一电极

152a：第一重叠部

154：第二电极

154a：第二重叠部

162：第一导电层

164：第二导电层

200：中介结构

210：第一牺牲层

220：第二牺牲层

310：黏着层

310a：上表面

310b：下表面

312：凹槽

312a：第一子凹槽

312b：第二子凹槽

312c：第三子凹槽

322：第一接垫

324：第二接垫

b1、b3、b4：第一面

bs：底层

d1、x1、x2：方向

gs：成长基板

h1：第一通孔

h2：第二通孔

ms：中介基板

o：开口

o1：第一开孔

o2：第二开孔

rs：基板

s1～s8：步骤

sw1、sw2、sw3：侧面

t：转置装置

t1：第二面

w1、w2：宽度

具体实施方式

以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有的结构与元件在图中将省略或以简单示意的方式为之。

在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或类似的元件。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当一元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，所述元件可以直接在所述另一元件上或与所述另一元件连接，或者所述元件与所述另一元件中间可以存在其他中间元件。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到另一元件」时，所述元件与所述另一元件中间不存在其他中间元件。本文所使用的「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，二元件互相「电性连接」或「耦合」并不限制是二元件互相直接连接，二元件之间可以存在其它元件。

应当理解，尽管术语「第一」与「第二」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。

本文使用的术语仅仅是为了描述本发明特定的实施例，而不是用来限制本发明。举例来说，本文使用的「一」、「一个」和「该」并非限制元件为单数形式或复数形式。本文使用的「或」表示「及/或」。如本文所使用的，术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语「包括」或「包含」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。

此外，诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位的外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为原本在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为原本在其他元件「下」或「下方」的元件将被定向为在其他元件「上方」。因此，示例性术语「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「约」、「大致」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(例如：测量系统的限制)或工艺系统的偏差(例如：工艺系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

图1是依照本发明的一实施例的一种发光装置的制造方法的流程图。图2a～图12a、图15a～图17a是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的制造方法的上视示意图。图2b～图12b、图15b～图17b是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图。图7c～图12c、图13、图14、图15c～图16c是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图。

请参考图1，发光装置的制造方法包括步骤s1～步骤s8。步骤s1包括形成微型发光元件于成长基板上。步骤s2包括形成第一牺牲层于微型发光元件上。步骤s3包括形成第二牺牲层于微型发光元件上。步骤s4包括提供中介基板于第二牺牲层上以形成中介结构，倒置中介结构，并移除生长基板。步骤s5包括移除第一牺牲层。步骤s6包括于基板上形成黏着层。步骤s7包括将微型发光元件转置于黏着层上。步骤s8包括形成第一导电层和第二导电层于基板上。

图2a～图7a、图2b～图7b以及图7c是本发明第一实施例中形成微型发光元件于成长基板上的方法的示意图，其中图2b～图7b是沿着图2a～图7a剖线aa’的剖面示意图，图7c是沿着图7a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图2a与图2b，于成长基板gs上依序形成第一半导体材料层110、发光材料层120以及第二半导体材料层130为范例，但不限于此。于其它实施例，于成长基板gs上依序形成第二半导体材料层130、发光材料层120以及第一半导体材料层110。换言之，于成长基板gs上形成第一半导体材料层110、发光材料层120以及第二半导体材料层130。成长基板gs可以为砷化镓(gaas)基板、磷化镓(gap)基板、磷化铟(inp)基板、蓝宝石(sapphire)基板、碳化硅(sic)基板、氮化镓(gan)基板或其他适用的基板。换言之，成长基板gs可做为此时的暂时承载基板(或可称为第一暂时基板)。第一半导体材料层110与第二半导体材料层130中的一者为n形掺杂半导体，另一者为p形掺杂半导体。发光材料层120例如为单一量子阱层(singlequantumwell,sqw)或多重量子阱层(multiplequantumwell,mqw)，在一些实施例中，发光材料层120的材料例如包括氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)、砷化镓(gaas)、磷化铝镓铟(algainp)、砷化铟铝镓(inalgaas)或其他iiia族和va族元素组成的材料或其他合适的材料。

请参考图3a与图3b，图案化第二半导体材料层130与发光材料层120以形成第二半导体层130’与发光层120’。图案化第二半导体材料层130与发光材料层120的方法例如包括微影蚀刻工艺，但不限于此。

请参考图4a与图4b，图案化第一半导体材料层110以形成第一半导体层110’。第二半导体层130’与第一半导体层110’部分重叠，其中第一半导体层110’的垂直投影面积大于第二半导体层130’的垂直投影面积。

在本实施例中，图案化第一半导体材料层110后，成长基板gs上选择性的留有底层bs，底层bs大致上覆盖成长基板gs。在一些实施例中，成长基板gs上形成有多个第一半导体层110’、多个第二半导体层130’与多个发光层120’，底层bs连接多个第一半导体层110’。

请参考图5a与图5b，形成系连材料层140。系连材料层140覆盖第一半导体层110’的侧面sw1、第一半导体层110’的第一面b1、第二半导体层130’的侧面sw3、第二半导体层130’的第一面b3、发光层120’的侧面sw2以及底层bs的部分第一面b4。系连材料层140可为单层或多层结构，且其材料例如为氧化硅、氮化硅、非晶硅、或其他合适且可图案化的材料。

请参考图6a与图6b，图案化系连材料层140以形成系连层140’。系连层140’具有第一延伸部142’、第二延伸部144’以及可实质上沿着预定方向d1延伸的至少一系连146’。

第一延伸部142’覆盖第一半导体层110’的部分第一面b1、第一半导体层110’的部分侧面sw1以及底层bs的部分第一面b4，且至少部分第一延伸部142’自第一半导体层110’的侧面sw1往远离第一半导体层110’的方向x1延伸。在一些实施例中，部分第一延伸部142’覆盖底层bs的部分第一面b4，且部分第一延伸部142’可实质上沿着底层bs的第一面b4或成长基板gs的表面延伸。

第二延伸部144’覆盖第二半导体层130’的部分第一面b3、第二半导体层130’的部分侧面sw3、发光层120’的部分侧面sw2、第一半导体层110’的部分侧面sw1、底层bs的部分第一面b4，且至少部分第二延伸部144’自第二半导体层130’的侧面sw3往远离第二半导体层110’的方向x2延伸。在一些实施例中，部分第二延伸部144’覆盖底层bs的部分第一面b4，且部分第二延伸部144’可实质上沿着底层bs的第一面b4或成长基板gs的表面延伸。

系连146’连接第一延伸部142’与第二延伸部144’中的至少一者，且系连146’自第一半导体层110’的侧面sw1(例如：图6a中，第一半导体层110’的多个侧面sw1中的其中一个，但不限于此)往远离第一半导体层110’的方向d1延伸。系连146’的一端连接牺牲部148’，系连146’与牺牲部148’例如是一体成形。在一些实施例中，牺牲部148’与部分系连146’覆盖底层bs的部分第一面b4，且牺牲部148’与部分系连146’可实质上沿着底层bs的第一面b4或成长基板gs的表面延伸。系连146’的数量可以依照实际需求调整，在其他实施例中，系连层140’包括两个以上的系连146’。

可于系连层140’形成第一通孔h1与第二通孔h2，第一通孔h1与第二通孔h2分别对应于第一半导体层110’的部分表面(例如为部分第一面b1)以及第二半导体层120’的部分表面(例如为部分第一面b3)。在一些实施例中，图案化系连材料层140以形成系连层140’的同时，于系连层140’形成第一通孔h1与第二通孔h2。换句话说，藉由一次图案化工艺即可将系连材料层140图案化为具有第一通孔h1与第二通孔h2的系连层140’，但本发明不以此为限。

请参考图7a、图7b与图7c，形成第一电极152与第二电极154。第一电极152与第二电极154分别设置于系连层140’的第一延伸部142’以及第二延伸部144’上。第一电极152通过第一通孔h1而与第一半导体层110’电性连接。第二电极154通过第二通孔h2而与第二半导体层130’电性连接。

在本实施例中，部分第一电极152往远离第一半导体层110’的方向x1延伸，且部分第一电极152可实质上沿着底层bs的第一面b4或成长基板gs的表面延伸。举例来说，部分第一电极152自系连层140’可实质上沿着远离第一半导体层110’的方向x1延伸。在本实施例中，第一电极152的部分侧边与第一延伸部142’的部分侧边切齐，但本发明不以此为限。

在本实施例中，部分第二电极154往远离第一半导体层110’的方向x2延伸，且部分第二电极154可实质上沿着底层bs的第一面b4或成长基板gs的表面延伸。举例来说，部分第二电极154自系连层140’可实质上沿着远离第一半导体层110’的方向x2延伸。在本实施例中，第二电极154的部分侧边与第二延伸部144’的部分侧边切齐，但本发明不以此为限。

在一些实施例中，形成第一电极152与第二电极154的方法包括先形成导电材料层(未绘出)，接着再以微影蚀刻工艺图案化导电材料层以形成第一电极152与第二电极154，但不限于此。在一些实施例中，形成第一电极152与第二电极154的方法包括溅镀、涂布、印刷、或其他可适用的工艺。

至此，微型发光元件100大致完成。微型发光元件100包含第一半导体层110’、第二半导体层130’、系连层140’、第一电极152与第二电极154，系连层140’设置于第一半导体层110’与第二半导体层130’上，且系连层140’具有第一延伸部142’、第二延伸部144’以及可实质上沿着预定方向d1延伸的至少一系连146’，第一电极152与第二电极154分别设置于第一延伸部142’以及第二延伸部144’上，且分别电性连接于第一半导体层110’与第二半导体层130’。在本实施例中，微型发光元件100可选择性的包括设置于第一半导体层110’与第二半导体层130’之间的发光层120’。

虽然在本实施例中，形成微型发光元件100于成长基板gs上的方法如图2a～图7a、图2b～图7b以及图7c所示，但本发明不以此为限，微型发光元件100也可以用其他方法形成。

图8a、图8b以及图8c是本发明第一实施例中形成第一牺牲层于微型发光元件上的示意图，其中图8c是沿着图8a剖线aa’的剖面示意图，图8b是沿着图8a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图8a、图8b以及图8c，形成第一牺牲层210于微型发光元件100上。举例而言，第一牺牲层210覆盖部分系连层140’、第一电极152、第二电极154与部分底层bs上，且第一牺牲层210暴露出牺牲部148’。换言之，牺牲部148’的一部分接触第一牺牲层210。第一牺牲层210可为单层或多层结构，且其材质可为无机材料(例如：金属、合金、氮化硅、氧化硅、或其它合适的材质)、有机材料(例如：光阻、聚酰亚胺、或其它合适的材质)、或其它合适的材质。第一牺牲层210可以藉由下列至少一种形成，例如：沉积工艺形成、黄光微影工艺形成、涂布工艺形成、印刷工艺形成、或其它合适的工艺形成。

图9a、图9b以及图9c是本发明第一实施例中形成第二牺牲层于微型发光元件上的示意图，其中图9b是沿着图9a剖线aa’的剖面示意图，图9c是沿着图9a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图9a、图9b以及图9c，形成第二牺牲层220于微型发光元件100上。举例而言，第二牺牲层220覆盖第一牺牲层210与部分底层bs上。更甚而，第二牺牲层220会覆盖被第一牺牲层210暴露出的牺牲部148’的其中一部分上。换言之，牺牲部148’其中一部分接触第二牺牲层220。第二牺牲层220可为单层或多层结构，且其材质可为无机材料(例如：金属、合金、氮化硅、氧化硅、或其它合适的材质)、或有机材料(例如：光阻、聚酰亚胺、或其它合适的材质)、或其它合适的材质。第二牺牲层220可以藉由下列至少一种形成，例如：沉积工艺形成、黄光微影工艺形成、涂布工艺形成、印刷工艺形成、其它合适的工艺形成。第二牺牲层220的材质可不同于第一牺牲层210的材质。

图10a、图10b以及图10c是本发明第一实施例中提供中介基板于第二牺牲层上以形成中介结构的示意图，其中图10b是沿着图10a剖线aa’的剖面示意图，图10c是沿着图10a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图10a、图10b以及图10c，提供中介基板ms于第二牺牲层220上以形成中介结构200。中介结构200包括中介基板ms、微型发光元件100、底层bs、牺牲部148’、第一牺牲层210、第二牺牲层220与中介基板ms。倒置中介结构200，并移除生长基板gs。换言之，中介基板ms可做为此时的暂时承载基板(或可称为第二暂时基板)。此时，微型发光元件100的第二半导体层130’位于中介基板ms与第一半导体层110’之间，且第二半导体层130’比第一半导体层110’较接近中介基板ms，但不限于此。移除生长基板gs的方式例如包括雷射举离(laserlift-off)、或其他合适的工艺，但本发明不以此为限。

图11a、图11b以及图11c是本发明第一实施例中移除底层的示意图，其中图11b是沿着图11a剖线aa’的剖面示意图，图11c是沿着图11a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图11a、图11b以及图11c，在本实施例中，移除生长基板gs后更包括移除底层bs。此时，中介结构200不包含底层bs。移除底层bs的方式例如包括研磨、或其它合适工艺。在其他实施例中，形成微型发光元件100的过程中不会有底层bs产生，因此移除生长基板gs后可以不包括移除底层bs的步骤。

图12a、图12b以及图12c是本发明第一实施例中移除第一牺牲层的示意图，其中图12b是沿着图12a剖线aa’的剖面示意图，图12c是沿着图12a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图12a、图12b以及图12c，移除第一牺牲层210以形成开口o。在移除第一牺牲层210后，微型发光元件100藉由于牺牲部148’连接的系连146’而支撑于第二牺牲层220上。牺牲部148’与系连146’能使微型发光元件100不会在移除第一牺牲层210后倒塌。

图13是本发明第一实施例中于基板上形成黏着层的示意图。

请参考图13，于基板rs上形成黏着层310。黏着层310的下表面310b朝向基板rs且黏着层的上表面310a背对基板rs。基板rs中例如包括驱动电路(未绘出，且驱动电路例如：包括多个区域，每个区域至少包含二个晶体管，但不限于此)，但本发明不以此为限。在一些实施例中，基板rs中不具有驱动电路，且基板rs可藉由导线而与其他外加的驱动电路(例如：芯片或是承载芯片的膜片)电性连接。此时，基板rs可称为最终承载基板或可称为承载基板。

图14、图15a、图15b以及图15c是本发明第一实施例中将微型发光元件转置于黏着层上的示意图，其中图15b是沿着图15a剖线aa’的剖面示意图，图15c是沿着图15a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图14，利用转置装置t接触微型发光元件100的第一半导体层110’，并将微型发光元件100提起。牺牲部148’与微型发光元件100的系连146’断开，且互相分离。

请参考图15a、图15b以及图15c将微型发光元件100转置于黏着层310上，且第二半导体层130’比第一半导体层110’较接近于基板rs。换言之，微型发光元件100的第二半导体层130’位于基板rs与第一半导体层110’之间，但不限于此。在本实施例中，于转置装置t上施加外力，以将微型发光元件100压入于黏着层310中，并使得黏着层310中形成容纳微型发光元件100的凹槽312。

在本实施例中，黏着层310的上表面310a具有第一子凹槽312a、第二子凹槽312b以及第三子凹槽312c。第一子凹槽312a容纳第一延伸部142’远离第一半导体层110’的部分以及位于其上的部分第一电极152。第二子凹槽312b容纳第二延伸部144’远离第一半导体层110’的部分以及位于其上的部分第二电极154。第三子凹槽312c容纳系连146’。

图16a、图16b以及图16c是本发明第一实施例中进行蚀刻工艺以移除至少部分系连层的示意图，其中图16b是沿着图16a剖线aa’的剖面示意图，图16c是沿着图16a剖线bb’的剖面示意图。

请参考图16a、图16b以及图16c，进行蚀刻工艺以移除系连层140’的至少部分第一延伸部142’、至少部分第二延伸部144’以及至少部分系连146’，以使第一子凹槽312a暴露出部分第一电极152，且第二子凹槽312b暴露出部分第二电极154。虽然在本实施例中，进行蚀刻工艺后的第一延伸部142’以及第二延伸部144’的高度皆低于黏着层310的上表面310a，且系连146’被完全移除，但本发明不以此为限。在一些实施例中，进行蚀刻工艺后的部分第一延伸部142’仍可与黏着层310的上表面310a大致齐平，换句话说，进行蚀刻工艺后的第一延伸部142’仍可以完整的覆盖第一半导体层110’靠近第一电极152的侧面。在一些实施例中，进行蚀刻工艺后的部分第二延伸部144’仍与黏着层310的上表面310a大致齐平，换句话说，进行蚀刻工艺后的第二延伸部144’仍可以完整的覆盖第一半导体层110’靠近第二电极154的侧面。在一些实施例中，进行蚀刻工艺后仍有部分系连146’残留。

图17a以及图17b是本发明第一实施例中形成第一导电层和第二导电层于基板上的示意图，其中图17b是沿着图17a剖线aa’的剖面示意图。

请参考图17a以及图17b，形成第一导电层162和第二导电层164于基板rs上。第一导电层162与第二导电层164皆位于黏着层310上。

部分第一导电层162填入第一子凹槽312a并与第一电极152接触。举例而言，第一电极152的第一重叠部152a重叠并接触第一导电层162，但不限于此。第一电极152的第一重叠部152a自系连层140’可实质上沿着远离第一半导体层110’的第一方向x1延伸。第一重叠部152a的宽度w1例如大于两微米，但不限于此。

部分第二导电层164填入第二子凹槽312b并与第二电极154接触。举例而言，第二电极154的第二重叠部152b重叠并接触第二导电层164，但不限于此。第二电极154的第二重叠部154a自系连层140’可实质上沿着远离第一半导体层110’的第二方向x2延伸。第二重叠部154a的宽度w2例如大于两微米，但不限于此。

至此，发光装置10大致完成，发光装置10包括基板rs、黏着层310、微型发光元件100、第一导电层162以及第二导电层164。黏着层310位于基板rs上。黏着层310的下表面310b朝向基板rs且黏着层310的上表面310a背对基板rs。微型发光元件100位于黏着层310的凹槽312中。微型发光元件100包括第一半导体层110’、第二半导体层130’、系连层140’、第一电极152以及第二电极154。微型发光元件100的发光面例如是第一半导体层110’的第二面t1(或可称为上表面)，微型发光元件100的发光面远离基板rs。第二半导体层130’与第一半导体层110’部分重叠。第一半导体层110’的垂直投影面积(例如：垂直投影于基板rs上的面积)大于第二半导体层130’的垂直投影面积(例如：垂直投影于基板rs上的面积)。第二半导体层130’比第一半导体层110’较接近于基板rs。系连层140’覆盖第一半导体层110’的部分侧面sw1、第一半导体层110’的部分第一面b1(或可称为下表面)、第二半导体层130’的侧面sw3以及第二半导体层130’的部分第一面b3(或可称为下表面)。在本实施例中，系连层140’还可覆盖发光层120’的侧面sw2。系连层140’具有第一通孔h1与第二通孔h2。第一通孔h1对应于第一半导体层110’的部分第一面b1(或可称为下表面)以及第二通孔h2对应于第二半导体层130’的部分第一面b3(或可称为下表面)。第一电极152位于系连层140’上，且通过第一通孔h1而与第一半导体层110’电性连接。第二电极154位于系连层140’上，且通过第二通孔h2而与第二半导体层130’电性连接。第一导电层162位于基板rs上，且电性连接第一电极152。第二导电层164位于基板rs上，且电性连接第二电极154。于本实施例中，黏着层310至少一部分除了黏着效果，较佳地，也具有实质上绝缘的效果(例如:电阻率大于108欧姆·公分，但不限于此)，其可为单层或多层结构，且其材料可以是绝缘材料，例如压克力树脂(acrylicresin)、环氧树脂(epoxy)、玻璃胶(glassfrit)、或其它合适的材料、或前述材料的组合。

基于上述，本实施例的发光装置10中的第一电极152、第二电极154第一导电层162以及第二导电层164皆不会遮挡微型发光元件100的发光面(例如：第二面t1)，藉此可以增加微型发光元件100的有效发光面积。

图18是依照本发明的第二实施例的一种发光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，第二实施例沿用第一实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图18，在第二实施例的发光装置20中，进行蚀刻工艺(如图16a、图16b以及图16c的蚀刻工艺)后的部分第二延伸部144’仍与黏着层310的上表面310a大致齐平，换句话说，进行蚀刻工艺后的第二延伸部144’仍可以完整的覆盖第一半导体层110’靠近第二电极154的侧面。部分系连层140’位于第二导电层164与第一半导体层110’之间，藉此，可以避免第二导电层164与第一半导体层110’之间形短路。

在本实施例中，部分第一延伸部142’仍与黏着层310的上表面310a大致齐平，换句话说，进行蚀刻工艺后的第一延伸部142’仍可以完整的覆盖第一半导体层110’靠近第一电极152的侧面，但本发明不以此为限。

图19是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，第三实施例沿用第二实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图19，在第三实施例的发光装置30中，基板rs包括第一接垫322与第二接垫324。在第三实施例中，于黏着层310形成第一开孔o1与第二开孔o2，第一开孔o1与第二开孔o2分别对应于第一接垫322与第二接垫324。第一开孔o1与第二开孔o2例如是在将微型发光元件100转置于黏着层310之后形成，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一开孔o1与第二开孔o2例如是在将微型发光元件100转置于黏着层310之前形成。

第一导电层162通过黏着层310的第一开孔o1而电性连接基板rs的第一接垫322，且第二导电层164通过黏着层310的第二开孔o2而电性连接基板rs的第二接垫324。第一接垫322与第二接垫324例如电性连接至控制微型发光元件100的驱动电路(未绘出)。

图20是依照本发明的一实施例的一种发光装置的制造方法的流程图。在此必须说明的是，本实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图20的实施例与图1的实施例的主要差异在于：在图20的实施例中，在形成第一导电层和第二导电层于基板上之后，将微型发光元件转置于黏着层上。

图20的实施例的发光装置如图21所示。图21是依照本发明的第四实施例的一种发光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，第四实施例沿用第一实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图21，在第四实施例的发光装置40中，于黏着层310形成第一子凹槽312a与第二子凹槽312b。分别形成第一导电层162与第二导电层164于第一子凹槽312a与第二子凹槽312b，其中第一导电层162与基板rs的第一接垫322接触，且第二导电层164与基板rs的第二接垫324接触。

在形成第一导电层162与第二导电层164之后，将微型发光元件100转置于黏着层310上。第一电极152电性连接成第一导电层162，且第二电极154电性连接成第二导电层164。

第一导电层162与第二导电层164至少其中一者可为单层或多层结构，且其材料包含导电胶，例如：异方性导电胶、等方性导电胶、银胶、或其它合适的材料。在本实施例中，第一导电层162与第二导电层164的材料皆为导电胶。换言之，第一子凹槽312a与第二子凹槽312b内的导电胶可被视为具有导电效果，较佳地，也具有实质上粘着的效果。若将导电胶也视为黏着层310的另一部分，则黏着层310的一部分为导电与黏着效果。

在本实施例中，系连层140’也可以包括第一延伸部142’、第二延伸部144’以及系连146’(未绘出)，但本发明不以此为限。

前述实施例中，微型发光元件的尺寸小于100微米且大于0微米。较佳地，微型发光元件的尺寸小于50微米且大于0微米。前述实施例中，微型发光元件可被视为覆晶式微型发光元件。前述实施例中，晶体管的类型可为底栅型、顶栅型、立体型、或其它合适类型的晶体管，且晶体管的个数可依需要而设计。

综上所述，本发明发光装置中的第一电极、第二电极第一导电层以及第二导电层皆不会遮挡微型发光元件的发光面，藉此可以增加微型发光元件的有效发光面积。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。