技术特征：
技术总结
本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
技术研发人员：江彦廷;陈春元;曾晓晖;李升展;王昱仁;吴尉壮;丁世汎;刘人诚;杨敦年
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.10.22
技术公布日：2019.05.17