技术特征：
技术总结
本发明涉及的一种高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有多层非晶硅本征层；所述第二层非晶硅本征层（3）的外侧设有非晶硅掺杂层（4），所述非晶硅掺杂层（4）的外侧设有TCO导电膜（5），所述TCO导电膜（5）的外侧设有若干Ag电极（6）。本发明的非晶硅本征层采用叠层，第一层采用纯硅烷沉积，有效了避免晶体硅/非晶硅界面初始沉积的外延生长，第二层采用高氢稀释的硅烷沉积，提高了第一层非晶硅的薄膜氢含量，同时增强了界面钝化。
技术研发人员：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦
受保护的技术使用者：江苏爱康能源研究院有限公司
技术研发日：2018.12.04
技术公布日：2019.04.16