技术特征：
技术总结
本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括：提供基板，在基板上形成间隔设置的栅极和第一电极；形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上依次形成对应栅极而设的半导体层、源极和漏极；形成第二绝缘层，并在第二绝缘层上形成第一接触孔，使漏极的上表面的一部分从第一接触孔露出；对漏极的上表面进行粗糙化处理；形成第二电极，第二电极穿过第一接触孔与漏极电性连接。本发明薄膜晶体管阵列基板制造方法，通过对漏极的上表面进行粗糙化处理，在第二电极与漏极电性连接时，其间的接触面积大大增加，由此降低了第二电极与漏极之间的接触电阻，而又能保证薄膜晶体管阵列基板的高开口率、高分辨率和低成本。
技术研发人员：李家琪;黄舒宁
受保护的技术使用者：昆山龙腾光电有限公司
技术研发日：2018.12.10
技术公布日：2019.05.07