全屏显示面板及其制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性全屏显示面板及其制作方法。

背景技术：

在平板显示技术中，有机电致发光(organiclight-emittingdiode，oled)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高、功耗低及可制备柔性屏等诸多优异特性，引起了科研界和产业界极大的兴趣，逐渐成为继液晶显示器(liquidcrystaldisplays，lcd)后的第三代显示技术。

现如今“全面屏”的设计成为时代的主流，各供应商单位都专注于研发屏占比较高的全面屏产品。例如iphonex手机采用的异形(notch)屏设计，屏占比可达到81.15％。近期兴起的屏下摄像头设计即o型切割(o-cut)屏设计，在显示屏(panel)内切割出“o”形槽，用于放置摄像头，与notch设计相比，o-cut设计更趋近于全面屏效果，o-cut区域的大小，仅考虑前置摄像头即可，因此，o-cut区域远小于notch区域所占整个panel的比例，o-cut设计的全面屏优势更为明显，因此在手机显示屏幕市场占有很大的优势。

o-cut设计虽然更趋近于全面屏，但也面临技术难题，且在oled柔性显示器(flexibledisplay)中实现o-cut设计，显得尤为困难。目前，对于oled面板的制作大致按照如下步骤进行：首先制作形成柔性衬底基板，然后在柔性衬底基板上依次制作形成薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)阵列(array)层、oled层及薄膜封装层，最后进行o-cutting制程，利用激光(laser)进行切割开孔，在panel的有效显示(activearea，aa)区部分，切割掉“o”形区域，形成用于放置摄像头的“o”形槽。对于o-cut区域，虽然array段的器件及走线等可以进行避让，但在oled制程中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层等是利用开放式掩膜板(openmask)蒸镀生成，在对o-cut区域进行切割后，oled有机层会在切割面外露，此时水汽就会从该位置浸入，从而使panel失去功能性，并由于tft阵列层及薄膜封装层中无机膜层的物理特性，这些无机膜层很容易在o-cutting制程中发生破裂(crack)并产生裂纹延伸的现象，进而后续影响panel的信赖性。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种全屏显示面板，开孔的切割外围区域设有挡墙及抗裂结构，可阻挡无机膜层在切割制程中产生的裂纹延伸。

本发明的目的还在于提供一种全屏显示面板的制作方法，通过对切割区域进行外围结构优化设计，可阻挡无机膜层在切割制程中产生的裂纹延伸。

为实现上述目的，本发明提供一种全屏显示面板，包括阵列基板、设于所述阵列基板上的oled功能层及在所述阵列基板上覆盖所述oled功能层的薄膜封装层；

所述全屏显示面板内设有通过切割形成的贯穿其上下表面的开孔；

所述阵列基板包括多层无机绝缘层、设于多层无机绝缘层上的多层有机层及设于无机绝缘层与有机层之间的多层金属层；

所述阵列基板在所述开孔外围向该开孔由远及近依次设有一圈第一挡墙、一圈第二挡墙及一圈主抗裂结构；

所述主抗裂结构包括设置在所述多层无机绝缘层的抗裂沟道及对应填充抗裂沟通的有机抗裂条所组成；

所述第一挡墙、第二挡墙及有机抗裂条由所述阵列基板的有机层形成。

所述第二挡墙与所述开孔之间的距离大于等于350μm；

所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度。

所述阵列基板在对应所述开孔与第二挡墙之间的区域在所述主抗裂结构两侧分别设有一条或多条的环绕所述开孔的金属绕线；

所述金属绕线由所述阵列基板的金属层形成。

所述阵列基板在对应所述开孔与所述抗裂结构之间的区域还设有一圈或多圈辅助抗裂结构；

所述辅助抗裂结构包括设置在所述多层无机绝缘层的抗裂狭缝及对应填充抗裂狭缝的有机抗裂绕线；

所述有机抗裂绕线由所述阵列基板的有机层形成。

所述多层无机绝缘层包括由下至上依次设置的缓冲层、栅极绝缘层及层间绝缘层；

所述多层有机层包括平坦层、像素定义层及隔垫物层；

所述第一挡墙由所述平坦层及像素定义层形成；

所述第二挡墙由所述平坦层、像素定义层及隔垫物层形成；

所述有机抗裂条及有机抗裂绕线由所述平坦层形成。

所述抗裂沟道内设有一间隔条，所述抗裂沟道在其纵切面内呈倒置m形；

在所述主抗裂结构的纵切面内，所述有机抗裂条底部以牙根的形状嵌入所述抗裂沟道内。

所述多层金属层包括栅极金属层及源漏极金属层；

所述金属绕线由所述栅极金属层或源漏极金属层形成，或由栅极金属层与源漏极金属层共同形成。

本发明还提供一种全屏显示面板的制作方法，包括如下步骤：

步骤s1、制作形成阵列基板；

所述阵列基板包括多层无机绝缘层、设于多层无机绝缘层上的多层有机层及设于无机绝缘层与有机层之间的多层金属层；

步骤s2、在所述阵列基板上蒸镀形成oled功能层；

步骤s3、在所述阵列基板上覆盖所述oled功能层的薄膜封装层，得到待切割面板；

步骤s4、利用激光沿所述切割区域边缘对待切割面板进行切割，形成开孔；

所述步骤s1中，所述阵列基板在对应切割形成所述开孔的区域为切割区域，所述阵列基板在切割外围区域周边的区域为切割周边区域，所述阵列基板在切割周边区域向该切割区域由远及近依次设有一圈第一挡墙、一圈第二挡墙及一圈主抗裂结构；

所述主抗裂结构包括设置在所述多层无机绝缘层的抗裂沟道及对应填充抗裂沟通的有机抗裂条；

所述第一挡墙、第二挡墙及有机抗裂条由所述阵列基板的有机层形成。

所述步骤s1中，所述阵列基板的所述多层无机绝缘层在切割区域被完全挖掉去除。

所述步骤s2还包括在蒸镀形成oled功能层之后，利用激光清除所述oled功能层对应在所述切割外围区域的部分；

所述步骤s4中利用激光从待切割面板上侧及下侧对待切割面板进行切割。

本发明的有益效果：本发明提供的一种全屏显示面板，包括阵列基板、设于所述阵列基板上的oled功能层及在所述阵列基板上覆盖所述oled功能层的薄膜封装层，所述全屏显示面板内设有通过切割形成的贯穿其上下表面的开孔，所述阵列基板在所述开孔外围向该开孔由远及近依次设有一圈第一挡墙、一圈第二挡墙及一圈主抗裂结构，所述主抗裂结构包括设置在所述多层无机绝缘层挖出的抗裂沟道及对应填充抗裂沟通的有机抗裂条，本发明通过对开孔的切割外围区域进行结构优化，可阻挡由开孔的切割制程引起的阵列基板及薄膜封装层中无机膜层的裂纹延伸。本发明的全屏显示面板的制作方法，通过对开孔的切割外围区域进行结构优化，可阻挡阵列基板及薄膜封装层中无机膜层在切割制程中产生的裂纹延伸。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为本发明全屏显示面板在开孔处的剖面结构示意图；

图2为本发明全屏显示面板的平面示意图及在开孔处的局部放大示意图；

图3为本发明全屏显示面板的制作方法的流程示意图；

图4为本发明全屏显示面板的制作方法的步骤s4的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1-2，本发明首先提供一种全屏显示面板，包括阵列基板1、设于所述阵列基板1上的oled功能层2及在所述阵列基板1上覆盖所述oled功能层2的薄膜封装层3。

具体地，本发明的全屏显示面板采用o-cut设计，其内设有通过切割形成的贯穿其上下表面的o形的开孔5，用于后续放置摄像头或其他部件。

具体地，所述阵列基板1包括多层无机绝缘层11、设于多层无机绝缘层11上的多层有机层12、设于有机层12与无机绝缘层11之间的多层金属层13、设于多层无机绝缘层11之间的半导体层(未图示)及设于多层有机层12之间的像素电极层。

具体地，所述多层无机绝缘层11包括缓冲层、栅极绝缘层及层间绝缘层(未图示)。

具体地，所述多层有机层12包括平坦层、像素定义层及隔垫物层(未图示)。

具体地，所述多层金属层13包括栅极金属层及源漏极金属层(未图示)。

其中，所述多层金属层、半导体层共同形成了多个tft器件16及金属走线15，该多个tft器件16及金属走线15均避开开孔5的切割区域及切割周边区域而制作形成。

具体地，所述像素电极层设于所述平坦层上，所述像素定义层设于所述像素电极层及平坦层上并在所述像素电极层上围出多个像素开口(未图示)。

具体地，所述隔垫物层设于所述像素定义层上，用于在蒸镀形成所述oled功能层2时对掩膜板进行支撑。

具体地，所述oled功能层2包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层。

具体地，所述oled功能层2与所述像素电极层共同形成了多个oled器件。

具体地，所述oled功能层2对应在所述切割周边区域的部分被去除掉，所述oled功能层2位于切割周边区域外的有效显示区域，从而薄膜封装层3在切割周边区域对其外围进行有效保护，防止其在开孔5的切割面外露进而被水汽侵入。

具体地，所述薄膜封装层3包括交替层叠设置的无机阻挡层31及有机缓冲层32，其中无机阻挡层31比有机缓冲层32在数量上多一层。

具体地，所述阵列基板1在所述开孔5外围的切割外围区域向开孔5由远及近依次设有一圈第一挡墙10、一圈第二挡墙20及一圈主抗裂结构(anti-crack)30。

其中，所述第一挡墙10、第二挡墙20可在喷墨打印(ijp)形成薄膜封装层3的有机缓冲层32时起到阻挡作用，使得用于形成有机缓冲层32的油墨被截止在第一挡墙10之外。

具体地，所述第二挡墙20的高度大于所述第一挡墙10的高度。所述第一挡墙10、第二挡墙20均由所述阵列基板1的有机层12形成，且所述第二挡墙20所涉及的有机层12的层别多于所述第一挡墙10所涉及的有机层12的层别。

具体地，所述第一挡墙10由所述平坦层及像素定义层形成；所述第二挡墙20由所述平坦层、像素定义层及隔垫物层形成。

具体地，所述第二挡墙20与所述开孔5的切割区域边缘之间的距离需要大于等于350μm，从而以保证薄膜封装层3对有效显示区域的封装效果，以及阻挡由开孔5的切割制程引起的阵列基板1中无机绝缘层11及薄膜封装层3中无机阻挡层31等无机膜层的裂纹(crack)延伸到有效显示区域内，从而避免后续影响全屏显示面板的信赖性。

具体地，在所述多层无机绝缘层11挖出的抗裂沟道35及对应填充抗裂沟通35的有机抗裂条36共同组成所述主抗裂结构30。

需要说明的，由于开孔5的切割(o-cutting)制程会切割在薄膜封装层3的无机阻挡层31上，虽然切割边缘距离第二挡墙20已留有一定的安全距离，但crack问题依然存在隐患，因此，通过所述主抗裂结构30可进一步阻挡裂纹的延伸。该抗裂沟道35的设计，更有利于阻挡裂纹沿无机膜层延伸，起到阻断作用，其次，有机材料的有机抗裂条36可以起到缓冲作用，进一步减弱薄膜封装层3的无机阻挡层31裂纹延伸的现象。

具体地，所述抗裂沟道35内还留有一间隔条，从而所述抗裂沟道35在其纵切面内呈倒置m形；那么在所述主抗裂结构30的纵切面内，所述有机抗裂条30底部以牙根的形状嵌入所述抗裂沟道35内。

具体地，所述阵列基板1在对应所述开孔5与第二挡墙20之间的切割周边区域在所述主抗裂结构30两侧分别设有一条或多条的环绕所述开孔5的金属绕线40，那么在开孔5的切割制程中，当有裂纹沿着无机膜层延伸到该位置时，所述金属绕线40会阻挡一部分裂纹。

具体地，所述金属绕线40由所述阵列基板1的金属层13形成；进一步地，所述金属绕线40由所述栅极金属层或源漏极金属层形成，或由栅极金属层与源漏极金属层共同形成。

具体地，所述阵列基板1在对应所述开孔5与所述抗裂结构30之间的区域还设有一圈或多圈辅助抗裂结构50。

具体地，在所述多层无机绝缘层11挖出的抗裂狭缝55及对应填充抗裂狭缝55的有机抗裂绕线56共同组成所述辅助抗裂结构50，以在开孔5的切割制程中加强对阵列基板1中无机绝缘层11及薄膜封装层3中无机阻挡层31等无机膜层的裂纹延伸的阻挡作用。

具体地，所述有机抗裂条30及有机抗裂绕线56由所述平坦层形成。

本发明的全屏显示面板，采用o-cut设计，所述全屏显示面板内设有通过切割形成的贯穿其上下表面的开孔5，本发明通过对开孔5的切割外围区域进行结构优化，在所述开孔5外围向开孔5由远及近依次设置一圈第一挡墙10、一圈第二挡墙20及一圈主抗裂结构30，可有效阻挡由开孔的切割制程引起的阵列基板及薄膜封装层中无机膜层的裂纹延伸，从而避免后续影响全屏显示面板的信赖性。

请参阅图3，基于同一发明构思，本发明还提供一种全屏显示面板的制作方法，该制作方法包括如下步骤：

步骤s1、制作形成阵列基板10。

具体地，所述阵列基板1包括多层无机绝缘层11、设于多层无机绝缘层11上的多层有机层12、设于多层无机绝缘层11之间的多层金属层13、设于有机层12与无机绝缘层11之间的半导体层及设于多层有机层12之间的像素电极层。

具体地，所述多层无机绝缘层11包括缓冲层、栅极绝缘层及层间绝缘层。

具体地，所述多层有机层12包括平坦层、像素定义层及隔垫物层。

具体地，所述多层金属层13包括栅极金属层及源漏极金属层。

其中，所述多层金属层、半导体层共同形成了多个tft器件16及金属走线15，该多个tft器件16及金属走线15均避开所述开孔5的切割区域及切割周边区域而制作形成。

具体地，所述像素电极层设于所述平坦层上，所述像素定义层设于所述像素电极层及平坦层上并在所述像素电极层上围出多个像素开口。

具体地，所述隔垫物层设于所述像素定义层上，用于后续在蒸镀形成所述oled功能层2时对掩膜板进行支撑。

步骤s2、在所述阵列基板10上通过掩膜板蒸镀形成oled功能层2。

具体地，所述oled功能层2包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层等。

具体地，所述oled功能层2与所述像素电极层共同形成了多个oled器件。

具体地，所述步骤s2还包括在蒸镀形成oled功能层2之后，利用激光清除所述oled功能层2对应所述切割外围区域的部分，使所述oled功能层2位于切割周边区域外的有效显示区域内，从而后续薄膜封装层3在切割周边区域可对oled功能层2外围进行保护，防止oled功能层2在开孔5的切割面外露进而被水汽侵入。

步骤s3、在所述阵列基板1上覆盖所述oled功能层2的薄膜封装层3，得到待切割面板。

具体地，所述薄膜封装层3包括交替层叠设置的无机阻挡层31及有机缓冲层32，其中无机阻挡层31比有机缓冲层32在数量上多一层。

步骤s4、如图4所示，利用激光对待切割面板进行切割，形成开孔5。

具体地，所述步骤s1中，所述阵列基板1在对应切割形成所述开孔5的区域为切割区域，所述阵列基板1在切割区域外围周边的区域为切割周边区域，所述阵列基板1在所述开孔5外围的切割外围区域向开孔5由远及近依次设有一圈第一挡墙10、一圈第二挡墙20及一圈主抗裂结构30。

需要说明的是，所述步骤s3中，所述第一挡墙10、第二挡墙20可在喷墨打印形成薄膜封装层3的有机缓冲层32时起到阻挡作用，使得用于形成有机缓冲层32的油墨被截止在第一挡墙10之外。

具体地，所述第二挡墙20的高度大于所述第一挡墙10的高度。所述第一挡墙10、第二挡墙20均由所述阵列基板1的有机层12形成，且所述第二挡墙20所涉及的有机层12的层别多于所述第一挡墙10所涉及的有机层12的层别。

具体地，所述第一挡墙10由所述平坦层及像素定义层形成；所述第二挡墙20由所述平坦层、像素定义层及隔垫物层形成。

具体地，所述第二挡墙20与所述开孔5的切割区域边缘之间的距离需要大于等于350μm，从而以保证薄膜封装层3对有效显示区域的封装效果，以及在开孔5的切割制程引起的阵列基板1中无机绝缘层11及薄膜封装层3中无机阻挡层31等无机膜层的裂纹不会延伸到有效显示区域内，从而避免后续影响全屏显示面板的信赖性。

需要说明的，由于所述步骤s4中开孔5的切割制程会切割在薄膜封装层3的无机阻挡层31上，虽然切割边缘距离第二挡墙20以留有一定的安全距离，但crack问题依然存在隐患，因此，通过所述主抗裂结构30可进一步阻挡裂纹的延伸。抗裂沟道35的设计，更有利于阻挡裂纹沿无机膜层延伸，起到阻断作用，其次，有机材料的有机抗裂条36可以起到缓冲作用，进一步减弱薄膜封装层3的无机阻挡层31裂纹延伸的现象。

具体地，所述步骤s1中，在所述多层无机绝缘层11挖出的抗裂沟道35及对应填充抗裂沟通35的有机抗裂条36共同组成所述主抗裂结构30。

具体地，所述抗裂沟道35内还留有一间隔条，从而所述抗裂沟道35在其纵切面内呈倒置m形；那么在所述主抗裂结构30的纵切面内，所述有机抗裂条30底部以牙根的形状嵌入所述抗裂沟道35内。

具体地，所述阵列基板1在对应所述开孔5与第二挡墙20之间的切割周边区域在所述主抗裂结构30两侧分别设有一条或多条的环绕所述开孔5的金属绕线40。

具体地，所述金属绕线40由所述阵列基板1的金属层13形成；进一步地，所述金属绕线40由所述栅极金属层或源漏极金属层形成，或由栅极金属层与源漏极金属层共同形成。

进一步地，在所述步骤s4中的开孔5的切割制程中，金属绕线40可以在当有裂纹沿着无机膜层延伸到其所在位置时阻挡一部分裂纹延伸。

具体地，所述阵列基板1在对应所述开孔5与所述抗裂结构30之间的区域还设有一圈或多圈辅助抗裂结构50。

具体地，所述步骤s1中，在所述多层无机绝缘层11挖出的抗裂狭缝55及对应填充抗裂狭缝55的有机抗裂绕线56共同组成所述辅助抗裂结构50，以在开孔5的切割制程中加强对阵列基板1中无机绝缘层11及薄膜封装层3中无机阻挡层31等无机膜层的裂纹延伸的阻挡作用。

具体地，所述有机抗裂条30及有机抗裂绕线56由所述平坦层形成。

具体地，所述步骤s1中，所述阵列基板1的所述多层无机绝缘层11在切割区域被完全挖掉去除。因为，无机膜层容易发生crack，而将阵列基板1的所述多层无机绝缘层11在切割区域被完全挖掉去除，就会从根本上减少裂纹产生的可能性。

具体地，所述步骤s4中利用激光从待切割面板上侧及下侧对待切割面板进行切割，从而减弱因单面切割能量过大而产生更多裂纹的现象。

本发明的全屏显示面板的制作方法，可有效阻挡阵列基板1及薄膜封装层3中无机膜层在切割制程中产生的裂纹延伸。

综上所述，本发明提供的一种全屏显示面板，包括阵列基板、设于所述阵列基板上的oled功能层及在所述阵列基板上覆盖所述oled功能层的薄膜封装层，所述全屏显示面板内设有通过切割形成的贯穿其上下表面的开孔，所述阵列基板在所述开孔外围向该开孔由远及近依次设有一圈第一挡墙、一圈第二挡墙及一圈主抗裂结构，所述主抗裂结构包括设置在所述多层无机绝缘层的抗裂沟道及对应填充抗裂沟通的有机抗裂条，本发明通过对开孔的切割外围区域进行结构优化，可阻挡由开孔的切割制程引起的阵列基板及薄膜封装层中无机膜层的裂纹延伸。本发明的全屏显示面板的制作方法，通过对开孔的切割外围区域进行结构优化，可阻挡阵列基板及薄膜封装层中无机膜层在切割制程中产生的裂纹延伸。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。