封装载板及发光装置的制作方法

本发明涉及一种封装载板及发光装置，尤其涉及一种具有导热结构的封装载板及发光装置。

背景技术：

随着制造技术的精进，发光二极管(lightemittingdiode，led)经由不断的研发改善，逐渐地加强其发光的效率及亮度，藉以扩大并适应于各种产品上的需求。然而，由于在提高发光二极管电功率及工作电流之下，发光二极管将会相对产生较多的热量，使得发光二极管容易于因过热而影响其性能的表现，甚至造成发光二极管的故障。

此外，一般的发光二极管晶粒(ledchip)可通过表面安装技术(surface-mounttechnology；smt)或固晶机(diebonder)设备来进行发光二极管晶粒转移。因此，如何在现有的转置设备下，以低成本的方式提升发光二极管的散热效果且具有良好发光效率，为目前亟欲解决的课题。

技术实现要素：

本发明提供一种封装载板及发光装置，其可降低制造成本、提升散热效果且具有良好的发光质量。

本发明的封装载板，包括金属板、金属薄膜设置于金属板上、绝缘层设置于金属薄膜上，且绝缘层具有至少一开口、至少一第一导热结构设置于绝缘层上，且第一导热结构对应环绕开口、以及多个导电结构设置于绝缘层上。开口位于第一导热结构于金属板上的正投影外边缘内。第一导热结构于金属板上的正投影不重叠开口。每一导电结构于金属板上的正投影位于第一导热结构于金属板上的正投影的至少一侧边。

本发明的发光装置，包括封装载板以及至少一发光单元接合至封装载板。封装载板包括金属板、金属薄膜设置于金属板上、绝缘层设置于金属薄膜上，且绝缘层具有至少一开口、至少一第一导热结构设置于绝缘层上，且第一导热结构对应环绕开口、以及多个导电结构设置于绝缘层上。开口位于第一导热结构于金属板上的正投影外边缘内。第一导热结构于金属板上的正投影不重叠开口。发光单元包括发光二极管、多个导电电极电性连接至发光二极管以及导热接垫。发光二极管设置于导热接垫上。

基于上述，本发明一实施例的封装载板及发光装置，由于封装载板可先于绝缘层上形成开口，接着通过微影制造对金属材料层进行蚀刻，再进行化学镍金制造，以形成第一导热结构、导电结构以及第二导热结构于金属板上。因此，第一导热结构环绕开口，第二导热结构位于开口中，且第一导热结构于金属板上的正投影不重叠开口。如此，除了于制造中，可提升封装载板与干膜的接合力，增加制造良率，还可通过第一导热结构进一步增加封装载板的散热面积。相较于现有形成大尺寸或大厚度的铜凸做为导电或导热结构的方式，封装载板更可简单地形成薄厚度的第一导热结构、导电结构以及第二导热结构，以达成热电分离的效果，可降低制造成本、提升散热效果且具有良好的发光质量。因此，发光单元即使在高亮度的发光条件下，也可以有效地进行散热而不会过热，进而提升发光装置的发光亮度、发光质量以及可靠性。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种封装载板的上视示意图。

图2a至图2g是依照本发明的一实施例的一种封装载板的制造流程的剖面示意图。

图3是依照本发明的一实施例的一种发光装置的剖面示意图。

图4是依照本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图。

图5是依照本发明的又一实施例的一种封装载板的上视示意图。

【符号说明】

10a、10b：发光装置

100、100a：封装载板

110：金属板

120：金属薄膜

130：绝缘层

131、161、221、241、261：顶面

132：开口

133：开口边缘

140：金属材料层

142：第一导热层

144：第一导电层

150：图案化干膜

150’：干膜材料

160：图案化油墨层

163：内侧壁

182：第二导热层

184：第二导电层

220：第一导热结构

223：侧边

240、240a：导电结构

260：第二导热结构

300、300b：发光单元

310、310b：发光二极管

320、320b：导热接垫

330b：导线

340、340b：导电电极

350、350b：封装树脂层

362：导热胶层

364：导电胶层

370：保护层

a-a’：剖面线

d1、d2：距离

h1：厚度

具体实施方式

参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明也可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。

图1是依照本发明的一实施例的一种封装载板的上视示意图，图1为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。图2a至图2g是依照本发明的一实施例的一种封装载板的制造流程的剖面示意图。请先参考图1及图2g，图2g示出为图1沿剖面线a-a’的封装载板的剖面示意图。在本实施例中，封装载板100包括金属板110、金属薄膜120设置于金属板110上、绝缘层130设置于金属薄膜120上，且绝缘层130具有至少一开口132、至少一第一导热结构220设置于绝缘层130上，且第一导热结构220对应环绕开口132、以及多个导电结构240设置于绝缘层130上。以下将以一实施例简单说明封装载板100的制造流程。

请参考图2a，首先，提供金属板110。接着，设置金属薄膜120于金属板110上。在本实施例中，金属板110例如为具有散热功能的电路基板、芯片座、散热板、散热鳍片或其他类型的封装载板，本发明不以此为限。在一些实施例中，金属板110的材质例如为金属材料，包括铝、铜、铝合金、铜合金或任意具良好导电导热率的材质，本发明不以此为限。在本实施例中，金属板110的厚度例如为0.05毫米至3毫米，但本发明不以此为限。

在本实施例中，设置金属薄膜120的方法包括通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)法或湿式电镀的方式将金属材料设置于金属板110上。在本实施例中，金属薄膜120的材质例如包括铜或其他合适材料。以下以金属薄膜120为铜举例说明。上述物理气相沉积的方法包括蒸镀法、溅镀法、离子光束辅助蒸镀(ionbeamassisteddeposition，iad)、脉冲激光沉积或其他合适的方法，形成铜金属薄膜于金属板110上，但本发明不以此为限。在一些实施例中，上述湿式电镀的方法包括先通过对金属板110进行化学浸锌，以形成一层致密的沉积锌层(未示出)，再将铜电镀于锌层上。在另一实施例中，上述湿式电镀的方法也可以包括先对金属板110进行阳极氧化处理，以形成一层氧化膜(未示出)，再将铜电镀于氧化膜上，但本发明不以此为限。在本实施例中，金属薄膜120的镀膜厚度例如为约0.8微米至4微米，但本发明不以此为限。

接着，请参考图2b，设置绝缘层130于金属薄膜120上，再设置金属材料层140于绝缘层130上。在本实施例中，于设置绝缘层130的步骤前，可先将金属材料层140贴合至绝缘层130的一表面上，再将绝缘层130的另一表面接合至金属薄膜120上。

详细而言，金属材料层140举例可为金属箔，包括铜箔或其他合适的材料。在本实施例中，上述铜箔可为单面粗化铜箔，但本发明不以此为限。金属材料层140的厚度举例为约5微米至约35微米。以下将以铜箔(亦即金属材料层140)设置于绝缘层130上为例进行说明。

绝缘层130举例可为绝缘的材料，其包括单层的绝缘材料，或多层的fr-4等级的树脂材料或高分子材料等具有黏性的复合材质。藉此，可先通过贴膜设备，将金属材料层140全面贴合固定至绝缘层130的表面上。然后通过激光切割、计算机数字控制绕形(computernumericalcontrol，cnc)或冲压模具对绝缘层130以及金属材料层140进行开孔程序(未示出)，以在绝缘层130上形成开口132。再将绝缘层130接合至金属薄膜120。在上述的设置下，可以简化开口作业、降低成本。在本实施例中，绝缘层130的厚度h1例如为5微米至50微米，以提供有效的电性隔离效果，但本发明不以此为限。

在一些实施例中，绝缘层的另一表面上还可选择性地包括离型膜(未示出)以承载绝缘层130。如此，在进行开孔程序时，可以进一步简化开口作业。于绝缘层130接合至金属薄膜120的步骤前，可先移除绝缘层130的另一表面上的离型膜，然后将绝缘层130的另一表面粘合至金属薄膜120，但本发明不以此为限。

在本实施例中，将绝缘层130接合至金属薄膜120的方法包括使用快压机或传统合压机，将绝缘层130层压至金属板110上的金属薄膜120，但本发明不以此为限。在一些实施例中，将绝缘层130层压至金属薄膜120后，还可选择性进行烘烤的程序，但本发明不以此为限。上述的烘烤程序可增加绝缘层130与金属板110的接着力，提升制造良率。

接着，请参考图2c，设置干膜材料150’于金属板110上。举例而言，干膜材料150’可以是整面地压合设置于金属板110上，覆盖金属材料层140。干膜材料150’举例为干膜光阻(dryfilmresist，dfr)。

值得注意的是，由于绝缘层130的厚度(h1，示出于图2b)可以极薄，因此当干膜材料150’压至金属材料层140上时，可以填入绝缘层130的开口132中，平坦地贴覆于金属材料层140上，而不容易产生气泡。如此，符合目前进行干膜制造的设备的需求，而可以现有的设备进行后续的蚀刻制造，不会增加成本。

然后，请参考图2c及图2d，对干膜材料150’进行蚀刻制造(未示出)，以形成图案化干膜150。上述蚀刻制造包括黄光微影蚀刻，但本发明不以此为限。图案化干膜150例如为图案化的遮罩，可以暴露出部分金属材料层140的表面，以于后续的制造中对金属材料层140进行图案化程序。

请参考图2d及图2e，接着，对金属材料层140进行图案化程序(未示出)。在本实施例中，可以通过一次图案化程序，同时完成导电线路以及导热结构，以简化制造工艺并节省成本。上述图案化程序举例为湿式蚀刻或干式蚀刻制造。湿式蚀刻包括通过酸性或碱性蚀刻液或其他合适材料对金属材料层140进行蚀刻。干式蚀刻包括反应性离子蚀刻法(reactiveionetch，rie)，通过等离子体产生对金属材质具反应性的离子，以对金属材料层140进行蚀刻，但本发明不以此为限。

然后，移除图案化干膜150。图案化后的金属材料层140会形成多个第一导电层144以及第一导热层142于绝缘层130上。第一导热层142与第一导电层144分离。在本实施例中，第一导热层142于金属板110上的正投影不重叠该开口132，且第一导热层142环绕开口132。

在此需注意的是，由于图案化干膜150所定义出的第一导热层142可以增加图案化干膜150与封装载板的金属材料层140之间的接合力。因此，于上述蚀刻制造中，可以避免图案化干膜150脱落或翘曲，以保护金属薄膜120不受蚀刻制造影响，更可以增加蚀刻良率。

接着，请参考图2f，设置图案化油墨层160于绝缘层130上。图案化油墨层160的设置方法例如先形成一层油墨材料(未示出)，再通过蚀刻制造将至少部分的第一导热层142以及第一导电层144上的油墨材料去除，使图案化油墨层160暴露出第一导热层142的部分以及第一导电层144的部分。在本实施例中，于垂直金属板110的方向上，该图案化油墨层160的一内侧壁163至该开口边缘133的距离d1例如为0.05毫米至0.3毫米。开口132的宽度的距离d2例如为0.5厘米至5厘米，但本发明不以此为限。

在本实施例中，图案化油墨层160的材质包括防焊油墨或感光油墨，例如显像型防焊油墨(liquidphotoimageablesoldermask，lpsm)。在其他实施例中，图案化油墨层160的材质也可以是防焊干膜(dry-filmphotoimageablesoldermask，dfsm)，本发明不以此为限。

最后，请参考图2g，对暴露出的第一导热层142以及第一导电层144进行化学镍金的制造。上述化学镍金的制造包括通过无电镀化学镍金(electrolessnickelandimmersiongold，enig)，形成第二导热层182于第一导热层142上，且形成第二导电层184于第一导电层上144。第二导热层182与第二导电层184的材料可以相同，包括锡、镍、金或上述材料的合金或其他合适的材料，本发明不限于此。

值得注意的是，请参考图1及图2g，第一导热结构220包括第一导热层142及第二导热层182，且导电结构240包括第一导电层144及第二导电层184。举例而言，于垂直金属板110的方向上，第二导热层182垂直堆叠于第一导热层142上，以构成第一导热结构220。第二导电层184垂直堆叠于第一导电层144上，以构成导电结构240。其中，如图1所示，开口132位于第一导热结构220于金属板110上的正投影外边缘内，且第一导热结构220于金属板110上的正投影不重叠开口132。如此，可通过第一导热结构220增加散热的面积。相较于现有的先对铝基板进行电镀厚铜层(一般而言，厚铜层大约为75微米以上)再进行铜蚀刻，或对铜基板进行大表面蚀刻的方式形成铜凸做为导电或导热结构，本实施例可通过直接图案化薄的金属材料层140(约为5微米至35微米)(示出于图2d)以及化学镍金制造，简单地形成具有导热结构以及导电结构的热电分离(thermoelectricseparation)的封装载板100。因此，可降低制造成本、提升散热效果且具有良好的发光质量。

此外，图案化油墨层160可以暴露出导电结构240的部分以及第一导热结构220的部分。如图2g所示，图案化油墨层160可以不覆盖导电结构240以及第一导热结构220，但本发明不以此为限。在一些实施例中，图案化油墨层160也可以部分地覆盖导电结构240以及第一导热结构220。此外，在本实施例中，第一导热结构220的顶面221、导电结构240的顶面241与图案化油墨层160的顶面161可以切齐，但本发明不以此为限。在一些实施例中，图案化油墨层160的顶面161也可以高于或低于第一导热结构220的顶面221或导电结构240的顶面241。在上述的设置下，第一导热结构220的顶面221与导电结构240的顶面241可被暴露出，以于后续与发光单元接合的制造中，分别提供散热以及导电的效果。如此，本实施例的封装载板100可不通过现有设置自金属板凸出的铜凸结构的方式，于封装载板100上形成导热结构，降低制造难度及制造成本。

请参考图2g，封装载板100还包括至少一第二导热结构260设置于金属薄膜120上。第二导热结构260于金属板110上的正投影重叠开口132。换句话说，第二导热结构260是形成于开口132中的金属薄膜120上。如图2g所示，绝缘层130的顶面131与第二导热结构260的顶面261可以切齐，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第二导热结构260的顶面也可以高于或低于绝缘层130的顶面131。第二导热结构260的形成方法与第二导热层182的形成方法及材料可以相同，于此不再赘述。第二导热结构260可与第二导热层182于同一制造步骤中形成。从另一角度来看，第二导热结构260与第一导热结构220同时完成，以进一步简化制造工艺，降低制造成本。在一些实施例中，虽然第二导热结构260与第一导热结构220可以同时完成，惟第二导热结构260与第一导热结构220仍为分开制作的两个非一体成形的结构，但本发明不以此为限。如此，可以简化对金属材料的加工工艺。

在一些实施例中，还可以选择性地设置一层有机保护膜(organicsolderingpreservative，osp)于第一导热结构220、导电结构240以及第二导热结构260上。有机保护膜包括有机的护铜剂，以保护第一导热结构220、导电结构240以及第二导热结构260不受外界因子(如水气或氧气)影响，但本发明不以此为限。

请参考图1及图2g，在本实施例中，每一导电结构240于金属板110上的正投影位于第一导热结构220于金属板110上的正投影的至少一侧边223。换句话说，导电结构240于金属板110上的正投影位于第一导热结构220于金属板110上的正投影外边缘之外，与第一导热结构220隔离，以避免产生短路。举例而言，如图1所示，导电结构240可以分别设置于第一导热结构220的右侧或左侧，但本发明不以此为限。于其他实施例中，使用者可依需求将导电结构240设置于第一导热结构220的上侧、下侧、或三侧、四侧或四侧中的任一侧边，均为本发明所欲保护的实施方式。

简言之，由于封装载板100可先于绝缘层130上形成开口132，再通过干膜制造对金属材料层140进行蚀刻制造及化学镍金制造，以形成第一导热结构220、导电结构240以及第二导热结构260于金属板110上。在上述的设置下，第一导热结构220环绕开口132，第二导热结构260位于开口132中，且第一导热结构220于金属板110上的正投影不重叠开口132。如此，除了于制造中，可提升封装载板100与图案化干膜150的接合力，增加制造良率，还可通过第一导热结构220进一步增加封装载板100的散热面积。相较于现有形成大尺寸或大厚度的铜凸做为导电或导热结构的方式，封装载板100更可简单地形成薄厚度的第一导热结构220、导电结构240以及第二导热结构260，以达成热电分离的效果，可降低制造成本、提升散热效果且具有良好的发光质量。

图3是依照本发明的一实施例的一种发光装置的剖面示意图。请参考图3，本实施例的发光装置10a包括如图2g所示的封装载板100以及至少一发光单元300。封装载板100包括金属板110、金属薄膜120设置于金属板110上、绝缘层130设置于金属薄膜120上，且绝缘层130具有至少一开口132、至少一第一导热结构220设置于绝缘层130上，且第一导热结构220对应环绕开口132、以及多个导电结构240设置于绝缘层130上。开口132位于第一导热结构220于金属板110上的正投影外边缘内。第一导热结构220于金属板110上的正投影不重叠开口132。

至少一个发光单元300接合至封装载板100上。每一个发光单元300包括发光二极管310、多个导电电极340电性连接至发光二极管310、以及导热接垫320。在本实施例中，发光单元300包括发光二极管(lightemittingdiode,led)、微型发光二极管(micro-led)、次毫米发光二极管(mini-led)以及量子点发光二极管(quantumdot)。多个导电电极340分别做为发光单元300的正极以及负极。基于导电性的考量，导电电极340一般是使用金属材料，但本发明不限于此。

发光二极管310设置于导热接垫320上。导热接垫320与导电电极340的材质可以相同，因此不再赘述。在本实施例中，由于发光二极管310可以直接接触导热接垫320，发光二极管310除了可以直接将热能散入导热接垫320外，导热接垫320还可以承载发光二极管310，提供结构上的可靠性。

在本实施例中，发光单元300的导电电极340电性连接至对应的导电结构240。导热接垫320于金属板110上的正投影重叠第一导热结构220于金属板110上的正投影。举例而言，导热接垫320对应第一导热结构220设置，且导电电极340对应导电结构240设置。在上述的设置下，发光装置10a可以达成热电分离的效果，提升散热效果且具有良好的发光质量。

在本实施例中，发光装置10a还包括导电胶层364以及导热胶层362。导电胶层364设置于导电结构240与导电电极340之间。导热胶层362设置于第一导热结构220与导热接垫320之间。导电胶层364与导热胶层362的材质可以相同，包括锡膏、银胶、铜胶或其他合适的材料，但本发明不以此为限。在一些实施例中，导电胶层364与导热胶层362的材质还包括非金属系导电导热胶。上述非金属系导电导热胶例如为包括导电粒子的胶层。举例而言，上述的导电粒子可为镀银的铜球粒子或镀银的塑胶粒子，本发明不以此为限。导电胶层364与导热胶层362可以提供发光单元300与封装载板100之间良好的接合力，以将发光单元300固定至封装载板100上。除此之外，导电胶层364也可以提供导电电极340与导电结构240之间良好的导电性。在本实施例中，导电胶层364与导热胶层362实质上分离，以避免短路。

值得注意的是，导热胶层362接触第一导热结构220并填入开口132中，还接触第二导热结构260。举例而言，导热胶层可以完全覆盖第一导热结构220或部分覆盖第一导热结构220，本发明不以此为限。在上述的设置下，导热胶层362可以直接将导热接垫320上的热能传递至第一导热结构220以及第二导热结构260上。接着，热能可再通过金属薄膜120而散至金属板110上。如此，相较于现有使用铜凸结构做为散热结构的方式，本实施例的发光装置10a可通过环绕开口132的第一导热结构220提升散热的面积，增加导热效率。接着，通过将导热率优良的导热胶层362填入开口132中，以大面积的与第一导热结构220以及第二导热结构260接触，除了可以提升发光单元300与封装载板100的接合力，更进一步提升导热效率，以直接将热能散入金属板110中。通过金属板110的优良导热率，大幅提升发光装置10a的散热效果。因此，发光单元300即使在高亮度的发光条件下，也可以有效地进行散热而不会过热，进而提升发光装置10a的发光亮度、发光质量以及可靠性。

在本实施例中，发光单元10a还包括封装树脂层350覆盖发光二极管310并接触封装载板100的部分。举例而言，封装树脂层350可以包封发光二极管310并接触部分图案化油墨层160。封装树脂层350例如为含有荧光粉的树脂材料，其包括环氧树脂、压克力树脂或其他合适材料。在本实施例中，发光二极管310可以是直接电性连接导电电极340且发光单元300是倒装接合至封装载板100上的第一导热结构220以及导电结构240。换句话说，发光单元300可以芯片级封装(wafer-levelpackage，wlp)的方式直接固定并电性连接至封装载板100上的导电结构240。再通过封装树脂层350将发光单元300包封至封装载板100上，以完成发光装置10a的封装。如此，发光单元300的发光面可以直接面向使用者，以大幅提升出光效率、提升发光亮度。此外，由于发光单元300与封装载板100之间不具有其他载板，而间距可以很小，因此发光单元300的反射出光率可以进一步提升，使发光装置10a具有良好的发光质量。

在一些实施例中，发光装置10a还可选择性地包括保护层370于图案化油墨层160上并围绕封装树脂层350。如此，可以提升发光装置10a的结构可靠性。

下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，关于省略了相同技术内容的部分说明可参考前述实施例，下述实施例中不再重复赘述。

图4是依照本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图。请参考图4及图3，本实施例的发光装置10b与图3的发光装置10a相似，主要的差异在于：发光单元300b是正装接合至封装载板100。举例而言，发光单元300b包括发光二极管310b设置于载板(未标示)或支架上、以及封装树脂层350b覆盖发光二极管310b。上述载板包括散热接垫320b以及导电电极340b。发光二极管310b设置于散热接垫320b上，且发光二极管310b通过导线330b电性连接至导电电极340b。换句话说，发光二极管310b是通过打线接合至导电电极340b。在本实施例中，发光单元300b例如是使用表面安装技术(surface-mounttechnology，smt)的封装，但本发明不以此为限。在一些实施例中，发光单元也可以使用芯片尺寸封装(chipscalepackage，csp)。举例而言，先将发光二极管以倒装的方式设置于具有导热接垫以及导电电极的载板或支架上，使发光二极管直接电性连接导电电极并接触导热接垫。接着，再以封装树脂层覆盖发光二极管以完成发光单元。因此，发光二极管310b、导热接垫320b以及导电电极340b可先通过封装树脂层350b完成包封，再将发光单元300b接合至封装载板100以完成发光装置10b。如此一来，可获致与上述实施例类似的技术功效。

图5是依照本发明的又一实施例的一种封装载板的上视示意图。请参考图5及图1，本实施例的封装载板100a与图1的封装载板100相似，主要的差异在于：多个导电结构240a可设置于第一导热结构220的同一侧边223。如图5所示，多个导电结构240a可设置于第一导热结构220的下侧。然而，本发明不以此为限，于其他实施例中，使用者可依需求将多个导电结构240a设置于第一导热结构220的右侧、左侧、上侧、或三侧、四侧或四侧中的任一侧边，均为本发明所欲保护的实施方式。

综上所述，本发明一实施例的封装载板及发光装置，由于封装载板可先于绝缘层上形成开口，接着通过微影制造对金属材料层进行蚀刻，再进行化学镍金制造，以形成第一导热结构、导电结构以及第二导热结构于金属板上。因此，第一导热结构环绕开口，第二导热结构位于开口中，且第一导热结构于金属板上的正投影不重叠开口。如此，除了于制造中，可提升封装载板与干膜的接合力，增加制造良率，还可通过第一导热结构进一步增加封装载板的散热面积。相较于现有形成大尺寸或大厚度的铜凸做为导电或导热结构的方式，封装载板还可简单地形成薄厚度的第一导热结构、导电结构以及第二导热结构，以达成热电分离的效果，可降低制造成本、提升散热效果且具有良好的发光质量。

此外，导热接垫对应第一导热结构设置，且导电电极对应导电结构设置。在上述的设置下，发光装置可以达成热电分离的效果，提升散热效果且具有良好的发光质量。另外，由于导热胶层可接触第一导热结构并填入开口中。在上述的设置下，导热胶层可以直接将导热接垫上的热能传递至第一导热结构以及第二导热结构上。再通过金属薄膜而将热能散至金属板上。如此，相较于现有使用铜凸结构做为散热结构的方式，本实施例的发光装置可通过环绕开口的第一导热结构提升散热的面积，增加导热效率。再通过导热率优良的导热胶层以大面积地与第一导热结构以及第二导热结构接触，除了可以提升接合力，更进一步提升导热效率，以直接将热能散入金属板中，大幅提升发光装置的散热效果。因此，发光单元即使在高亮度的发光条件下，也可以有效地进行散热而不会过热，进而提升发光装置的发光亮度、发光质量以及可靠性。此外，发光单元的反射出光率还可以进一步提升，使发光装置具有良好的发光质量。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。