本发明涉及led技术领域，尤其涉及一种led器件及其制作方法。
背景技术：
大功率led器件凭借高亮度、体积小、耗电少的优势，被应用于汽车灯、手电筒、舞台灯、矿灯等各种照明器具中，具有广泛的应用前景。
如图1所示，为了降低大功率led器件100中单根导线104电流密度，其led芯片101的正极通常设置成栅格状，并在正极栅格线上设置接触件103，以通过导线104连接接触件103和导电支架；其中，该led芯片101的负极直接与负导电支架105连接，该led芯片101的正极栅格线103通过接触件104和导线104与正导电支架106连接。另外，为了防止静电击穿led芯片101，该led器件100中还设置有齐纳二极管107，该齐纳二极管107的正极直接与负导电支架105连接，该齐纳二极管107的负极通过导线104与正导电支架106连接。然而，发明人在实施本发明时发现：由于正导电支架106上需设置一用于打线的凸部108，以便齐纳二极管107的负极通过导线104与该凸部108连接，这就使得该凸部108会占用led芯片的放置空间，限制led芯片的尺寸，进而限制led芯片的发光面积。
技术实现要素：
针对上述问题，本发明的一种led器件及其制作方法，能够去除正导电支架上的打线凸部，避免正导电支架占用led芯片的放置空间，以便使用发光面积较大的led芯片来制作led器件。
为解决上述技术问题，本发明的一种led器件包括：载板、设置于所述载板上的正导电支架和负导电支架、以及设置于所述负导电支架上的led芯片和齐纳二极管；其中，
所述齐纳二极管靠近所述led芯片设置，且所述齐纳二极管与所述led芯片之间高度差小于所述齐纳二极管与所述正导电支架之间高度差；
所述led芯片的负极与所述负导电支架连接，正极栅格线上设置有第一接触件，所述第一接触件设置于距离所述齐纳二极管最近的正极栅格线上；
所述齐纳二极管的正极与所述负导电支架连接，负极通过第一导线与所述第一接触件连接。
与现有技术相比，由于本发明的led器件在led芯片的正极栅格线上设置有第一接触件，使得齐纳二极管的负极通过第一导线直接与该第一接触件连接来实现打线，进而可去除设置于现有正导电支架上的凸部，避免正导电支架占用led芯片的放置空间，以便采用具有更大发光面积的led芯片来制作led器件。另外，该led器件中将齐纳二极管靠近led芯片设置，且因为该齐纳二极管与led芯片之间的高度差小于齐纳二极管与正导电支架之间的高度差，使得第一导线的线弧高度降低，能够缩短第一导线的长度，避免因第一导线的过长而容易置于透镜外，防止第一导线的长度限制透镜底面积的尺寸，便于采用尺寸较小的透镜实现器件的封装，减小大功率led器件的封装尺寸，降低制作成本。
作为上述方案的改进，所述齐纳二极管与所述led芯片之间的高度差小于所述齐纳二极管与所述正导电支架之间的高度差。
作为上述方案的改进，所述正极栅格线上还设置有至少两个第二接触件，所述第二接触件设置于距离所述正导电支架最近的正极栅格线上。
所述至少两个第二接触件通过第二导线与所述正导电支架连接。
作为上述方案的改进，所述正导电支架上设置有至少两个金属块；
所述至少两个金属块与所述至少两个第二接触件通过所述第二导线一对一连接。
作为上述方案的改进，所述金属块的顶部高于所述led芯片的顶部。
作为上述方案的改进，所述led芯片的负极和所述齐纳二极管的正极通过导电胶体与所述负导电支架连接。
作为上述方案的改进，所述led芯片为垂直型led芯片。
作为上述方案的改进，在所述载板上还设置有透镜，所述透镜用于覆盖所述led芯片和所述齐纳二极管。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种led器件的制作方法，包括如下步骤：
将led芯片的负极和齐纳二极管的正极通过导电胶体固定于载板的负导电支架上；其中，所述齐纳二极管靠近所述led芯片设置，且所述齐纳二极管与所述led芯片之间的高度差小于所述齐纳二极管与正导电支架之间的高度差；
在所述led芯片上距离所述齐纳二极管最近的正极栅格线上制作第一接触件；
采用第一导线将所述第一接触件和所述齐纳二极管的负极进行连接。
与现有技术相比，本发明的led器件的制作方法通过在led芯片的正极栅格线上制作第一接触件，使得齐纳二极管的负极可通过第一导线直接与该第一接触件连接来实现打线，进而可去除设置于正导电支架上的凸部，避免现有正导电支架占用led芯片的放置空间，以便采用具有更大发光面积的led芯片来制作led器件。另外，该制作方法中将齐纳二极管靠近led芯片设置，且使齐纳二极管与led芯片之间的高度差小于齐纳二极管与正导电支架之间的高度差，能够降低第一导线的线弧高度，进而缩短第一导线的长度，避免因第一导线过长而容易置于透镜外，防止第一导线的长度限制透镜底面积的尺寸，便于采用尺寸较小的透镜实现器件的封装，减小大功率led器件的封装尺寸，降低制作成本。
作为上述方案的改进，所述齐纳二极管与所述led芯片之间的高度差小于所述齐纳二极管与所述正导电支架之间的高度差。
作为上述方案的改进，在所述led芯片上距离所述齐纳二极管最近的正极栅格线上制作第一接触件之后，还包括如下步骤：
在所述led芯片上距离所述正导电支架最近的正极栅格线上制作有至少两个第二接触件；
采用第二导线将所述至少两个第二接触件与所述正导电支架连接进行连接。
作为上述方案的改进，在将led芯片的负极和齐纳二极管的正极通过导电胶体固定于载板的负导电支架上之前，还包括如下步骤：
在所述正导电支架上焊接至少两个金属块，以使所述至少两个第二接触件通过所述第二导线与所述至少两个金属块一对一连接。
附图说明
图1是现有大功率led器件的结构示意图。
图2是本发明实施例1的一种led器件的结构示意图。
图3是本发明实施例1中led芯片与齐纳二极管的电气连接示意图。
图4是本发明实施例1中金属块的设置示意图。
图5是本发明实施例1中齐纳二极管与led芯片连接的局部放大示意图。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
下面结合具体实施例和附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述。
实施例1
请参见图2，是本发明实施例1的一种led器件的结构示意图。
如图2所示，该一种led器件10包括：载板1、设置于载板1上的正导电支架11和负导电支架12、以及设置于负导电支架12上的led芯片13和齐纳二极管14；其中，齐纳二极管14靠近led芯片13设置，齐纳二极管14与正导电支架12之间的宽度不大于齐纳二极管14与led芯片之间的宽度，且齐纳二极管14与led芯片13之间的高度差小于齐纳二极管14与正导电支架11之间的高度差；led芯片13的负极与负导电支架12连接，正极栅格线131上设置有第一接触件132，第一接触件132设置于距离齐纳二极管14最近的正极栅格线131上；齐纳二极管14的正极与负导电支架12连接，负极通过第一导线15与第一接触件132连接。
与现有技术相比，由于本发明的led器件10在led芯片13的正极栅格线131上设置有第一接触件132，使得齐纳二极管14的负极通过第一导线15直接与该第一接触件132连接来实现打线，进而可去除设置于现有正导电支架上的凸部，避免正导电支架11占用led芯片13的放置空间，以便采用具有更大发光面积的led芯片13来制作led器件，以增加led器件10的出光面，提升led器件10的发光亮度。另外，该led器件10中将齐纳二极管14靠近led芯片13设置，且因为齐纳二极管14与led芯片13之间的高度差小于齐纳二极管14与正导电支架11之间的高度差，可降低第一导线15的线弧高度，进而能够缩短第一导线15的长度，避免因第一导线15过长而容易置于透镜外，防止第一导线15的长度限制透镜19底面积的尺寸，便于采用尺寸面积较小的透镜实现器件的封装，减小大功率led器件的封装尺寸，降低制作成本。
其中，如图2和图3所示，在本发明的led器件中，齐纳二极管14反向并联于led芯片13的两端，以对led芯片13进行静电保护。
进一步地，如图2所示，为了缩短led芯片13的正极栅格线131与正导电支架11之间的打线距离和第二导线16的长度，该led芯片13的正极栅格线131上还设置有至少两个第二接触件133，第二接触件133设置于距离正导电支架11最近的正极栅格线131上，且该至少两个第二接触件133通过第二导线16与正导电支架11连接。
优选地，如图2和图4所示，在该led器件10中，正导电支架11上设置有至少两个金属块17，其中，金属块17设置于距离第二接触件133最近的位置设置，该至少两个金属块17与至少两个第二接触件133通过第二导线16一对一连接。
在该实施方式中，由于在正导电支架11上设置有金属块17，则增高了led芯片13第二接触件133与正导电支架11的打线位置，使得第二导线16的线弧高度更低，能够进一步缩短第二导线16的长度，避免第二导线16置于透镜19外，防止第二导线16限制透镜19的尺寸。
其中，如图2和图5所示，该led器件中的齐纳二极管14依次通过第一导线15、第一接触件132、led芯片13的正极栅格线131、第二导线16和金属块17连接至正导电支架11上，使得电信号从正导电支架11传导至齐纳二极管14。优选地，该金属块17的顶部高于led芯片13的顶部，以进一步缩短第二导线16的长度，避免封装过程中因第二导线16发生形变而置于透镜19外。
优选地，如图4所示，上述led器件中，led芯片13为垂直型led芯片13，齐纳二极管14为垂直型齐纳二极管14，该led芯片13的负极和齐纳二极管14的正极通过导电胶体110与负导电支架12直接连接，且金属块17通过导电胶体110与正导电支架11连接。
优选地，如图2和图4所示，上述led器件中，正导电支架11和负导电之间设置有正负极沟道18以将正导电支架11和负导电进行隔离；在载板1上还设置有透镜19，该透镜19的底面覆盖led芯片13和齐纳二极管14以实现封装，并对led芯片13发出的光进行折射。其中，该透镜19的材质包括硅树脂、环氧树脂或玻璃。
可以理解的，在实施例1中仅以led芯片13的正极栅格线131为横向栅格线为例进行说明，该正极栅格线131还可以纵向设置。
实施例2
本发明还提供一种led器件的制作方法，包括如下步骤：
s1、将led芯片的负极和齐纳二极管的正极通过导电胶体固定于载板的负导电支架上；其中，所述齐纳二极管靠近所述led芯片设置，且所述齐纳二极管与所述led芯片之间的高度差小于所述齐纳二极管与正导电支架之间的高度差；
s2、在所述led芯片上距离所述齐纳二极管最近的正极栅格线上制作第一接触件；
s3、采用第一导线将所述第一接触件和所述齐纳二极管的负极进行连接。
与现有技术相比，本发明的led器件的制作方法通过在led芯片的正极栅格线上制作第一接触件，使得齐纳二极管的负极可通过第一导线直接与该第一接触件连接来实现打线，进而可去除设置于正导电支架上的凸部，避免现有正导电支架占用led芯片的放置空间，以便采用具有更大发光面积的led芯片来制作led器件，以增加led器件10的出光面，提升led器件10的发光亮度。另外，该制作方法中将齐纳二极管靠近led芯片设置，且因为齐纳二极管与led芯片之间的高度差小于齐纳二极管与正导电支架之间的高度差，能够降低第一导线的线弧高度，缩短第一导线的长度，避免因第一导线过长而容易置于透镜外，防止第一导线的长度限制透镜的底面积尺寸，便于采用尺寸较小的透镜实现器件的封装，减小大功率led器件的封装尺寸，降低制作成本。
优选地，在上述实施中，设置齐纳二极管与led芯片的高度差小于齐纳二极管与正导电支架之间的高度差，可进一步缩短第一导线的长度
进一步地，为了缩短led器件正极栅格线与正导电支架之间的打线距离和第二导线的长度，该led器件的制作方法中，在步骤s2之后，还包括如下步骤：
s21、在led芯片上距离正导电支架最近的正极栅格线上制作有至少两个第二接触件；
s22、采用第二导线将至少两个第二接触件与正导电支架连接进行连接。
进一步地，在该led器件的制作方法中，在将led芯片的负极和齐纳二极管的正极通过导电胶体固定于载板的负导电支架上之前，还包括如下步骤：
s11、在正导电支架上焊接至少两个金属块，以使至少两个第二接触件通过第二导线与至少两个金属块一对一连接；其中，该金属块设置于距离第二接触件最近的位置设置。
在该实施方式中，由于在正导电支架上设置有金属块，则增高了led芯片第二接触件与正导电支架的打线位置，使得第二导线的线弧高度更低，能够进一步缩短第二导线的长度，避免第二导线置于透镜外，防止第二导线对透镜尺寸的限制。
优选地，在该led器件的制作方法中，在步骤s3之后，还包括：将透镜粘贴于led芯片和齐纳二极管上，使得透镜能同时覆盖该led芯片和该齐纳二极管，并对led芯片发出的光进行折射。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，故凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。