本实用新型涉及LED技术领域，特别地涉及一种LED器件及照明装置。
背景技术：
基于包括氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等化合物半导体及其多元化合物(AlInGaN)的III/V族氮化物半导体的LED已经在世界范围内推广使用。相比于普通的白炽灯，LED光源能够节能大约80％，是非常理想的节能产品。然而，制约LED全面取代白炽灯还存在一些困难。这其中一个重要的方面是现有的LED成本仍然较高。因此，如何降低LED的成本是本领域研究的重要方向之一。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的技术问题，本实用新型提出了一种LED器件，包括：衬底；衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层，其中，衬底中包括透明填充材料；P-电极/反射层，其设置在空穴传输层上；以及N- 电极，其设置在电子传输层与透明填充材料之间。
如上所述的LED器件，其中衬底中形成反射杯。
如上所述的LED器件，进一步包括与N-电极电连接的导电路径，其中导电路径延伸到保留的衬底。
如上所述的LED器件，其中导电路径位于电子传输层与透明填充材料之间。
如上所述的LED器件，其中导电路径位于透明填充材料之上。
如上所述的LED器件，其中保留的衬底位于LED器件的周围，并足以防止光泄露。
如上所述的LED器件，其中填充透明材料中包括光转换材料。
如上所述的LED器件，P-电极/反射层为高反射金属层或者P-电极/反射层包括透明欧姆接触层和高反射金属层。
如上所述的LED器件，包括位于同侧或相对侧的N焊盘和P焊盘，其中 P焊盘与保留的衬底形成固撑结构。
根据本实用新型的另一个方面，提出一种照明装置，包括一个或多个如上任一的LED器件。
本实用新型提出了一种全新的LED结构，其适于在硅Si衬底上制作LED，成本降低并且具有很高的功率。
附图说明
下面，将结合附图对本实用新型的优选实施方式进行进一步详细的说明，其中：
图1A-图1C是现有技术中在Sapphire衬底上制作LED芯片的示意图；
图2A-图2D是现有技术中在Si衬底上制作LED芯片的示意图；
图3A-图3K是根据本实用新型的一个实施例的LED器件示意图；
图4A-图4D示出了根据本实用新型实施例的LED器件示意图；
图5是根据本实用新型的一个实施例的LED器件的制造方法的示意图；以及
图6是根据本实用新型的一个实施例的LED器件的封装方法的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在以下的详细描述中，可以参看作为本申请一部分用来说明本申请的特定实施例的各个说明书附图。在附图中，相似的附图标记在不同图式中描述大体上类似的组件。本申请的各个特定实施例在以下进行了足够详细的描述，使得具备本领域相关知识和技术的普通技术人员能够实施本申请的技术方案。应当理解，还可以利用其它实施例或者对本申请的实施例进行结构、逻辑或者电性的改变。
图1A-图1C是现有技术中蓝宝石Sapphire衬底上LED芯片的示意图。如图1A所示，在Sapphire衬底101上直接外延生长电子传输层102、辐射层103、和空穴传输层104。电子传输层102、辐射层103和空穴传输层104形成了LED 的发光结构。举例而言，电子传输层包括N型氮化镓N-GaN，辐射层包括氮化镓GaN、氮化铟InN等的多元化合物InGaN，而空穴传输层包括P型氮化镓 P-GaN。本领域技术人员应当理解，以上仅仅是示例性地说明了可能应用的 LED发光结构，本领域中已有的其他发光结构也同样可以应用。
如图1A所述，在LED发光结构上包括了反射层105和反射层保护层106。反射层105可以为具有高反射率的金属材料，包括但不限于银、铝、镍等。或者，反射层105可以为透明导电材料如ITO和高反射率材料的复合结构，与空穴传输层104接触的为透明导电材料，在其上面为高反射率材料。这样可以减少光损失，提高出光效率。反射层保护层106在反射层105之上，对反射层105 起保护作用。
Sapphire衬底101是高透光的。LED发光结构发出的蓝光可能从Sapphire 衬底的侧面泄露。由于泄露的蓝光是有害的，必须进行额外的处理。处理蓝光泄露的一种方式是移除Sapphire衬底。如图1B所示，将图1A的结构转移到金属基座107上，然后将Sapphire衬底101移除。移除Sapphire衬底需要使用激光分离技术，成本非常高。处理蓝光泄露的另一种方式是在Sapphire衬底外包裹荧光物质等光转换材料，以形成光转换层108，如图1C所示。然而，为了曝露Sapphire衬底的侧面，首先需要对Sapphire衬底划片、切割衬底，分离出单独的LED芯片；然后再对单独的LED进行封装。这样不但使得封装的工艺更为复杂，成本更高，也增加了封装后的LED的体积，不利于提高功率密度。
图2A-图2D是现有技术中在Si衬底上制作LED芯片的示意图。图2A示出了在Si衬底的外延片上制作反射层205和反射层保护层206之后的示意图。 Si衬底上的外延片包括Si衬底201以及Si衬底上的成核层210、电子传输层 202、辐射层203、和空穴传输层204。由于Si衬底201上直接外延生长氮化镓GaN等III/VI族氮化物是困难的，Si衬底上形成了成核层210。成核层的实例是氮化铝AlN。当然，其他的适于作为Si衬底成核层的材料也可以使用。进一步地，在成核层210与电子传输层202之间可以包括一个或多个缓冲层或者插入层。
如图所示，电子传输层202、辐射层203和空穴传输层204形成了LED的发光结构。举例而言，电子传输层202包括N型氮化镓N-GaN，辐射层包括氮化镓GaN、氮化铟InN等的多元化合物InGaN，而空穴传输层204包括P 型氮化镓P-GaN。本领域技术人员应当理解，以上仅仅是示例性地说明了可能应用于的LED发光结构，本领域中已有的其他发光结构也同样可以应用。根据本实用新型的一个实施例，外延片可以是经过之前的制程步骤形成的，也可以是采购自其它供应商。
如图2A所述，在LED发光结构上包括了反射层205和反射层保护层206。反射层205可以为具有高反射率的金属材料，包括但不限于银、铝、镍等。或者，反射层205可以为透明导电材料如ITO和高反射率材料的复合结构，与空穴传输层204接触的为透明导电材料，在其上面为高反射率材料。这样可以减少光损失，提高出光效率。反射层保护层206在反射层205之上，对反射层205 起保护作用。
由于Si衬底201对于短波长的光有很强的吸收能力，为了增加出光效率，现有技术中一般采用移除原有Si衬底的方式。具体而言，如图2B所示，图2A 的结构通过键合材料211键合到另一导电的Si衬底212上。导电的Si衬底212 可以用作后续的电路连接。如图2C所示，将图2B的结构倒置后，原有的Si 衬底201和成核层210等被去除，而曝露出电子传输层202。移除Si衬底可以采用机械研磨或者干法或湿法蚀刻等方式进行。接下来，如图2D所示，在电子传输层上制作出射结构，并进一步制作N-电极207。最终在电子传输层上设置保护层208等，完成LED芯片的制作。
以上的制作流程需要使用两片硅片，其中包括了硅片键合、减薄、移除等复杂流程，增加了生产成本，也降低了良率。但是即使如此，上述工艺制作出来的也只是LED芯片，要想在电路板上应用，还需要通过封装工艺制作出具有反射杯、焊接电极、环氧树脂或硅胶保护、荧光材料、透镜等结构的LED 封装体。这都使得LED器件的成本进一步提高。
图3A-图3K是根据本实用新型的一个实施例制作LED器件的示意图。与图2A-图2D实施例相比，图3A-图3K实施例的外延层和发光结构相同或类似，这里不再赘述。
如图3A所示，在空穴传输层304上设置P-电极/反射层311。根据本实用新型的一个实施例，反射层可以是P-电极，或者反射层可以设置在P-电极之上。具体地，在一些实施例中，P-电极的材料包括高反射率的金属材料，包括但不限于银、铝、镍等。根据本实用新型的另一个实施例，空穴传输层上包括多层结构或复杂结构，其中，与空穴传输层接触的部分是P-型欧姆接触材料。在一些实施例中，P-型欧姆接触材料可以为透明材料。高反射率导电材料可以设置在透明的P-型欧姆接触材料上。在另一些实施例中，P-型欧姆接触材料为透明欧姆接触材料，其上可以设置透明绝缘层(如氧化硅)，而透明绝缘层上再设置反射金属材料。反射金属材料可以和P-电极相连。另外，P-电极除了包含欧姆接触材料外，还可以包括在P-电极上部分或全部区域设置其他功能导电材料，如用于与贴片工艺或倒装焊工艺配合的较厚的导电层。对于本实施例而言， P-电极为非出光面。将P-电极设置为具有高反射特性，有利于减少光子的吸收，提高出光效率。
进一步地，在P-电极/反射层311上设置保护层312。保护层312可以对其下的结构起到保护作用。保护层312的材料可以是氧化硅等钝化材料。在以下图3B-图3K中，P-电极/反射层311简称为反射层。
如图3B所示，将图3A所示的结构翻转，然后部分移除Si衬底301。具体可以采用干法或湿法蚀刻方式部分移除Si衬底。通过部分移除Si衬底，曝露出Si衬底下包括但不限于成核层310、缓冲层、插入层和电子传输层302中的一者。实际上，Si衬底移除后，成核层、缓冲层、插入层等并不会吸收光，因此可以选择保留这些层；或者选择性地移除这些层中的一者或多者。根据本实用新型的一个实施例，曝露部分电子传输层302，以方便后续的制程。由于 Si衬底未被蚀刻部分的厚度仍然较大，在后续的LED制作、封装和器件应用中，未被蚀刻的Si衬底仍能起到了支撑和框架等作用。辐射层303设置于电子传输层302和空穴传输层304之间。
如图3C所示，在Si衬底301内经蚀刻形成空洞中的电子传输层302上形成N-电极313。在Si衬底被移除后，在被曝露出来的部分电子传输层上形成 N-电极313。
如图3D所示，在Si衬底301内经蚀刻形成空洞的侧面形成反射层314。由此，Si衬底中空洞的侧面将反射光，而不是吸收光。进一步地，在部分移除Si衬底的过程中，可以控制以形成倾斜的Si衬底侧面。在溅镀高反射金属后， Si衬底的空洞形成了反射杯。根据本实用新型的一个实施例，侧面的倾斜角度是可以选择的。换言之，反射杯的角度是可以选择的。
如图3E所示，在Si衬底的空洞中填充透明填充材料315。根据本实用新型的一个实施例，透明填充材料可以为高透明硅胶、透明树脂、或者二者的结合。进一步地，在透明填充材料中可以增加光转换物质如荧光粉，从而实现出射波长的转化。由此，透明填充材料对LED发光结构进行了保护的同时也完成了出射波长转换的功能。或者，根据本实用新型的另一种实施方式，透明填充材料中不包括光转换物质。在填充的透明材料和/或保留的衬底上方增加光转换物质层，实现出射波长的转换。
如图3F所示，移除部分填充材料，曝露N-电极。如图3G所示，沉积或溅射导电材料，形成连接N-电极的导电路径316。导电路径的宽度可以比较窄。导电路径的材料可以是透明的，也可以是不透明的。根据本实用新型的一个实施例，导电路径至少部分延伸到保留的Si衬底。
如图3H所示，在保留的Si衬底区域划片，分离LED器件。在保留的Si 衬底区域划片，切割衬底，能够分离出各个LED器件。需要指出的，分离出的LED器件中的发光结构已经被填充的透明材料所封闭，并且LED器件已经具有良好的机械性能。因此，可以认为分离出的LED器件是已经封装或至少部分封装。
由此，在本实用新型的LED器件以硅外延片的Si衬底作为支撑衬底，不需要额外使用支撑衬底。由于Si衬底仅被部分移除，剩余的Si衬底起到了很好的支撑和框架作用，其在LED器件后续的封装步骤和使用过程中对于仅有几微米厚的氮化物外延层起到了重要的支撑作用。进一步地，本实用新型避免了晶片键合等复杂的工艺流程，从而大幅度降低了LED的成本，非常有利于 LED的推广和使用。
根据本实用新型的另一个实施例，在图3D的步骤之后，并不填充透明填充材料。如图3I所示，在形成的N-电极上形成导电路径316。导电路径延伸到保留的Si衬底上。
如图3J所示，在Si衬底的空洞中填充透明填充材料315。如图3K所示，在保留的Si衬底区域划片，分离LED器件。与图3H类似，同样获得了本实用新型的硅外延片的Si衬底作为支撑衬底的LED器件。
参考图3H和图3K，本实用新型的LED器件为垂直结构的LED器件，具有良好散热性能。并且，在芯片工艺就实现了反射杯的制作和发光结构的封装，再经过切片和切割衬底后就能够直接得到可用的LED器件。而且，由于不包括额外的封装步骤，LED器件的体积完全由对应的Si衬底的面积决定，LED 器件的体积得以减小。本实施例通过将芯片工艺和封装工艺巧妙地融合，在简化封装工艺的同时，还可以减小LED器件的体积，提高功率密度。既不需要在封装之前对Si衬底进行划片和切割，分离出单独的LED芯片；在芯片和封装工艺中也不需要进行衬底移除或者衬底键合，也不需要额外的支撑衬底，由此可以使得本实施例的LED器件成本得以大幅度降低。
图4A-图4D示出了根据本实用新型实施例的LED器件示意图；其中，图 4A示出了根据本实用新型的一个实施例的LED器件的出光面的俯视图；图4B 示出了该实施例的LED器件的非出光面的俯视图。图4C示出了根据本实用新型另一个实施例的LED器件的出光面的俯视图；图4D示出了该实施例的LED 器件的非出光面的俯视图。
如图所示，LED器件包括保留的Si衬底区域401和一个或多个P-电极 402和N-电极403。P-电极402设置在空穴传输层上。N-电极设置在电子传输层上。如图所示，保留的衬底区域401围绕一个或多个发光结构区域并将各个发光结构区域相间隔。进一步地，保留的Si衬底延伸超过一个或多个发光结构区域足够的距离以防止光从发光结构区域的边缘泄露。举例而言，保留的Si衬底的宽度至少为10μm、20μm、50μm、100μm或者1000μm。
如图4A和4C所示，N-电极设置在发光结构区域410的几何中心，以有利于电流的分布，从而可以提高器件的散热能力和使用寿命。进一步地，多个 N-电极通过多条导电路径404分别连接到保留Si衬底的N-区域405。
如图4B和图4D所示，在LED器件的非光侧包括P-焊盘408。P-焊盘408 电连接到一个或多个P-电极402，其可以为多个发光结构所共用。具体而言， P-电极/反射层之外的保护层为绝缘层。绝缘层上包括开口以曝露出P-电极/反射层。P-电极/反射层通过P-欧姆接触层与P-焊盘408电连接。绝缘层(保护层)的存在可以防止焊盘不通过P-欧姆接触层与空穴传输层连接，避免电注入导致的发光和能效损失。进一步地，P-焊盘408与保留的Si衬底和多个发光结构连接，使得整个支撑结构更为稳定。
根据本实用新型的一个实施例，如图4A和4B所示，N-焊盘407和P-焊盘408可以都位于LED器件的非出光侧。如图所示，N-区域405包括电连接结构406。电结构406与导电路径404电连接并进一步电连接到LED器件的另一侧的N-焊盘407。举例而言，电连接结构406可以为贯穿保留Si衬底的导电结构，例如内表面溅镀金属的通孔。由于N-焊盘407和P-焊盘408位于同一侧，通过回流焊或表面贴封工艺就可以将器件固定并电连接到PCB板上，能够真正地整合封装流程。
根据本实用新型的一个实施例，如图4C和4D所示，N-焊盘407和P-焊盘408可以位于LED器件的两侧。在LED器件的出光面，N-区域405上包括了N-焊盘407。N-焊盘407通过导电路径404电连接到一个或多个N-电极。在LED器件的非出光面包括P-焊盘408。N-焊盘407和P-焊盘在LED器件的两侧虽然还需要采用焊线等办法与封装支架电连接，但是采用这种方式封装的 LED器件成本较低，也节省芯片面积。
由此，本实用新型的LED器件在非出光侧能够形成面积较大的P-焊盘，既有利于后续的电连接，也有利于LED器件自身结构的稳定。本实用新型的 LED器件保留的衬底与焊盘相连，从而能够大幅度地提高本实用新型的LED 器件的机械强度。为了后续的电连接，焊盘的厚度是较大的。在本实用新型的 LED器件中，厚度较大的部分就是保留的衬底和焊盘，其他部分的厚度都很小。在本实用新型的LED器件中，保留的衬底得与焊盘连接，即从垂直方向上看保留的衬底上方存在焊盘。这样的结构在受力上有利于将外力传递到整个LED 器件上，从而使得整个器件结构更为坚固。
根据本实用新型的一个实施例，焊盘(包括N-焊盘和/或P-焊盘)可以为多层结构，例如包括欧姆接触层和有利于焊接的金属结构。本领域技术人员应当理解，图1-图3的实施例中也可以包括焊盘。可选地，P-电极和N-电极也可以采用其他的形状或者布局。图4A-图4D中的形状仅为实例性的内容。
图5是根据本实用新型的一个实施例的LED器件的制造方法的示意图。如图5所示，LED器件的制造方法500包括如下步骤：在步骤510，在Si衬底的氮化物外延片上设置P-电极/反射层；其中Si衬底的氮化物外延片包括Si 衬底、成核层、电子传输层、辐射层和空穴传输层。根据本实用新型的一个实施例，P-电极的材料包括高反射率的金属材料，包括但不限于银、铝、镍等。根据本实用新型的另一个实施例，P-电极为包括透明导电材料如ITO和高反射率材料的复合结构，其中与空穴传输层接触的为透明导电材料，在其上面为高反射率材料。
在步骤520，部分移除Si衬底。根据本实用新型的一个实施例，LED发光结构区域的Si衬底在此步骤中被移除或大部分被移除。进一步地，在步骤 520中，曝露电子传输层的一部分。
在步骤530，形成与电子传输层电连接的N-电极。考虑到本实用新型的 LED为垂直结构，可以根据垂直结构LED的特点，设置N-电极的尺寸和位置，以保证最佳的散热效果。
在步骤540，在Si衬底的空洞的侧面形成反射层。根据本实用新型的一个实施例，利用溅镀高反射金属的方法形成反射层。高反射金属可以包括银、铝、镍等。根据本实用新型的一个实施例，Si衬底的空洞的侧面是倾斜的，施加反射层后Si衬底的空洞形成反射杯。
在步骤550，在Si衬底的空洞中填充透明材料并形成与N-电极电连接的导电路径；或者形成与N-电极电连接的导电路径并在Si衬底的空洞中填充透明材料。其中填充的透明材料中包括光转换物质，例如荧光粉等。进一步地，与N-电极电连接的导电路径至少部分地延伸到保留的Si衬底。
在步骤560，在填充的透明材料上方制作光学器件。本领域技术人员应当理解，步骤560是可选的。
在步骤570，划片并切割衬底，形成独立的LED器件。
图6是根据本实用新型的一个实施例的LED器件封装方法。如图所示，封装方法600包括如下步骤：在步骤610，提供基板或者PCB板；其中基板或者PCB板包括布线和多个触点。在步骤620，将本实用新型如上所述的LED 器件以倒装芯片或贴片的方式安装到基板或者PCB板上。
本实用新型提出了一种全新的LED结构，其适于在硅Si衬底上制作LED，并且具有很高的功率。虽然本实用新型的LED结构同样适用于其他的衬底，例如SiC碳化硅等材料。
上述实施例仅供说明本实用新型之用，而并非是对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此，所有等同的技术方案也应属于本实用新型公开的范畴。