本实用新型涉及一种封装组件，特别是涉及一种发光封装组件。
背景技术：
发光二极管因其具有体积小、高效能、寿命长、低耗能反应速度快等优点，因此，已广为取代传统光源，成为新一代的照明光源，而广泛应用于不同领域。所以，如何提供更快速且可靠度更高的发光封装组件，是技术领域者不断发展的方向。
其中，利用四方平面无引脚导线架(QFN)进行半导体芯片封装，虽然可将电连接点向下延伸设置在封装组件底面，而达到高密度小体积封装的优点，然而，也因为电连接点在封装组件底部，因此，当要将封装组件进行后续电连接的过程，会有无法由目视检测方式快速检出该封装组件于电连接前的吃锡是否完全或是电连接是否完全的缺点。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种方便使用并易于检测的发光封装组件。
本实用新型发光封装组件包含导线架单元、预成形胶层，及发光单元。
该导线架单元具有顶面、反向该顶面的底面，及分别连接该顶面及该底面的周面。
该预成形胶层包覆该导线架单元的周面，并令该导线架单元的该顶面及该底面对外裸露，预成形胶层具有对应该导线架单元的该周面的外表面、与该导线架单元的该底面共平面的下表面，及多条自该下表面凹陷形成并延伸贯通该外表面的接点沟槽。每一条接点沟槽反向该外表面的一端与该导线架单元连通，且该导线架单元不会裸露出该预成形胶层的该外表面。
该发光单元设置于该导线架单元的顶面。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架单元具有至少两个彼此成间隙间隔的接触电极，所述接触电极的顶面及底面即分别为该导线架单元的顶面及底面，该预成形胶层还填覆所述间隙，且每一个接触电极与至少一条接点沟槽相连通。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该预成形胶层延伸至所述接触电极的部分顶面，令每一个接触电极的至少部份表面露出，并将所述接触电极外露于该预成形胶层的顶面定义出设置区，且该发光单元设置于该设置区。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该预成形胶层至少位在所述接触电极的顶面的部分具有光反射性。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该预成形胶层还具有上表面，该上表面与该下表面反向并与该导线架单元的该顶面共平面，该发光封装组件还包含可透光的封装层，且该封装层覆盖该导线架单元的顶面、该预成形胶层的该上表面，及该发光单元。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架单元自所述接点沟槽裸露的表面为内凹弧面。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架的材料选自铜、铁镍合金，或铜系合金。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架单元的底面还具有与该导线架单元的材料不同的第一导电镀层。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架单元未被该预成形胶层包覆的该顶面还具有与该导线架单元的材料不同的第二导电镀层。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架单元自所述接点沟槽裸露的表面还具有与该导线架单元的材料不同的第三导电镀层。
较佳地，所述发光封装组件，其中，该导线架与该预成形胶层为直接接触接合。
本实用新型的有益的效果在于：利用该预成形胶层包覆该导线架单元，并于该预成形胶层的该下表面形成与该导线架单元连通并延伸贯通该外表面的接点沟槽(Solder Seen Terminal，SST)，不仅可令该发光封装组件整体侧面外观无金属，且藉由该接点沟槽的吃锡状况还可更易于该发光封装组件后续的焊锡检测。
附图说明
图1是一正面俯视示意图，说明本实用新型发光封装组件的第一实施例；
图2是一背面仰视示意图，辅助说明该第一实施例；
图3是一剖视示意图，辅助说明图1；
图4是一制作流程示意图，说明该第一实施例的制作流程；
图5是一剖视示意图，说明图4(e)中V-V割线的剖视结构；
图6是一正面俯视示意图，说明本实用新型发光封装组件的第二实施例；
图7是一剖视示意图，辅助说明图6；
图8是一剖视示意图，说明该第一实施例具有第一导电镀层的态样；
图9是一剖视示意图，说明该第一实施例还同时具有第一导电镀层及第二导电镀层的态样；
图10是一剖视示意图，说明该第一实施例同时具有第一导电镀层及第三导电镀层的态样；及
图11是一剖视示意图，说明该第一实施例同时具有第一导电镀层、第二导电镀层及第三导电镀层的态样。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。
在本实用新型被详细描述前，应当注意在以下的说明内容中，类似的组件是以相同的编号来表示。
参阅图1至3，本新型发光封装组件的一第一实施例包含一导线架单元2、一预成形胶层3，及一发光单元4。
该导线架单元2是由铜、铜系合金或铁镍合金等至少一种导电材料构成，具有一用于承载该发光单元4的顶面211、一反向该顶面211 的底面212，及一分别连接该顶面211及该底面212的周面213。
具体的说，该导线架单元2具有至少两个彼此成一间隙间隔的接触电极21，所述接触电极21的顶面即为该导线架单元2的该顶面211，而所述接触电极21的底面及周面即分别为该导线架单元2的该底面 212及该周面213，且至少一个该接触电极21的顶面211为用于设置该发光单元4。要说明的是所述接触电极21的数量可视该发光单元4 的极性及数量而至少为两个或多个，于本实施例中，是以该导线架单元2具有两个接触电极21为例作说明。
该预成形胶层3包覆所述接触电极21的周面213并延伸至所述接触电极21的部分顶面211，以令所述接触电极21的至少部分顶面 211对外裸露，而将所述接触电极21外露于该预成形胶层3的顶面 211定义出一个可供设置所述发光单元4的设置区35。
详细的说，该预成形胶层3与该导线架单元2为直接接触接合，具有一对应该导线架单元2的周面213的外表面31、一对应该导线架单元2的该顶面211的上表面32、一与该导线架单元2的该底面212 共平面的下表面33，及多条自该下表面33向上凹陷形成(参考图2 为向下凹陷形成)并延伸贯通该外表面31的接点沟槽(Solder Seen Terminal，SST)34，且每一个接触电极21与至少一条接点沟槽34相连通。每一条接点沟槽34反向该外表面31的一端与相应的该接触电极21连通，而令该接触电极21具有自该接点沟槽34裸露的外露面 214。其中，该外露面214可以是朝向该接触电极21方向凹陷的内凹弧面，或是倾斜平面，而可易于导引位于该接触电极21的该底面212 的流体或胶态物质(例如导电胶或焊料)的溢流方向。于图3中该外露面214是以朝向该接触电极21方向凹陷的内凹弧面为例表示。
该发光单元4包括至少一个发光件41，该发光件41可选自发光二极管或雷射二极管等发光组件，于本实施例中，该发光单元4是以具有一个发光件41为例，该发光件41设置于该设置区35的其中一个接触电极21的该顶面211并藉由导线42与另一个接触电极21电连接。
由图1可明显看出，本新型该发光封装组件的所述导线架单元2 不会裸露出该预成形胶层3的该外表面31，因此可令该发光封装组件的侧面无金属外露，且具有多个可用以检视吃锡的接点沟槽34。
于一些实施例中，该预成形胶层3至少于位在所述接触电极21 的该顶面211的部分具有光反射性，因此，设置于该设置区35的该发光单元4，还可藉由该预成形胶层3达成光的多重反射，而提升该发光单元4的光取出率。
参阅图4，兹将前述该发光封装组件的该第一实施例的制作说明如下。
首先提供一由铜、铜系合金或铁镍合金等至少一种导电材料构成的基片，利用蚀刻方式将该基片不必要的部分蚀刻移除，而得到如图 4(a)所示的导线架半成品100A。
该导线架半成品100A具有一个外框101，多个位于该外框101 内彼此间隔且概成数组排列的接触电极21，及多个连接部102。所述接触电极21具有该顶面211及相对该顶面211的底面212，所述连接部102分布于所述接触电极21间，并自所述接触电极21邻近该底面 212的底部连接任相邻的两个接触电极21，以及与该外框101相邻的所述接触电极21，而令所述接触电极21与该外框101可连接成一体不分散。
接着，将该导线架半成品100A夹设于一模具(图未示)中，用模注方式于所述接触电极21及所述接触电极21与该外框101间的间隙填注一选自环氧树脂等绝缘高分子的高分子封装材料，并让该高分子封装材料延伸并覆盖所述接触电极21的部分顶面211，固化后形成该预成形胶层3，而得到如图4(b)的结构。图4(c)是将图4(b)翻面后的背视图。
然后，利用蚀刻移除所述连接部102，即可于该预成形胶层3底部形成所述接点沟槽34，并同时令所述接触电极21彼此独立不相连接(如图4(d)所示)。
接着，将4(d)翻回正面，于所述接触电极21裸露出的该顶面211 分别设置所述发光件41，并利用所述导线42将所述发光件4分别与相应的接触电极21电连接，即可得到如4(e)所示的封装结构。
最后，配合参阅图4、5，图5为沿图4(e)的V-V割线的剖视图。其中两两紧邻的接触电极21即为一个导线架单元2，定义任相邻的两个导线架单元2间的间隙及导线架单元2与该外框101间的间隙为切割道X，将封装完成后的封装结构(如图4(e))沿着所述切割线X进行切单，即可得到如图1所示的发光封装组件。
要说明的是，该预成形胶层3可藉由模具设计，如前所述于单一制程一体形成；或是也可利用不同模具，先形成一包覆所述接触电极 21的周面213并与所述接触电极21的顶面211及底面212共平面的下胶部，再于该下胶部的上表面及所述接触电极21的部分顶面212 形成一顶胶部后，而得到该预成形胶层3。当该预成形胶层3是于不同制程形成，则该下胶部与该顶胶部可以是由相同或不同的高分子封装材料(例如环氧树脂或硅胶)所构成。此外，于形成该预成形胶层3，或是形成该顶胶部时，可以利用在高分子封装材料中添加光反射粒子，如此，成形后即可令该预成形胶层3整体或该顶胶部具有光反射性，从而提升所述发光件41的出光效率。由于前述用于形成该预成形胶层3的相关模具设计及光反射粒子材料为本技术领域者所周知，故不再多加赘述。
参阅图6、7，本新型发光封装组件的一第二实施例，其结构与该第一实施例大致相同，不同处在于该第二实施例还包含一封装胶层5，且该预成形胶层3的该上表面32与该导线架单元2的该顶面211共平面。
详细的说，该第二实施例的该预成形胶层3的该上表面32及该下表面33分别与所述接触电极21的该顶面211及该底面212共平面而成一平板状。该发光件41会设置于其中一个接触电极21的顶面211 并藉由导线42电连接，该封装胶层5则会覆盖所述接触电极21的该顶面211、该预成形胶层3的该上表面32及该发光单元4。其中，该封装胶层5可选自硅胶、环氧树脂等可透光的封装材料，或是也可再进一步包含荧光材料。由于该封装材料为本技术领域周知故不再多加赘述。
前述该第二实施例的制作与该第一实施例雷同，不同处在于：形成该预成形胶层3时为控制令该预成形胶层3的该上表面32与该导线架单元2的该顶面211共平面，且于完成所述发光单元4的打线连接后，再形成覆盖所述接触电极21的顶面211、该预成形胶层3的该上表面32及所述发光单元4，且不覆盖该外框101的该封装胶层5，最后再进行切单，即可得到如图6所示的发光封装组件。
由图1、6可明显看出，本新型该发光封装组件利用让该预成形胶层3包覆该导线架单元2，因此，无论何种封装方式，该发光封装组件的侧面均无金属外露。此外，还会具有多个形成于该下表面33 并与该外表面31连通的接点沟槽34，因此，当后续要将该发光封装组件进行电连接，例如要与电路板(图未示)电连接时，即可透过检视所述接点沟槽34的吃锡状况，而快速确认该发光封装组件的电连接状态。
又要说明的是，于一些实施例中，本新型所述接触电极21的所述外露面214，及该导线架单元2的表面(顶面211、底面212)也可以在形成该预成形胶层3后进行镀膜制程，而于该导线架单元2的表面形成异于该导线架单元2构成材料的导电镀层。该导电镀层可选自金属或合金材料(例如镍、钯、银或金等金属或合金)，且可以是单层或多层，而可用于提升后续与其它电路板电连接、焊锡或是打线制程的可靠度。
配合参阅图8至11，图8至11是以该第一实施例所示的该发光封装组件为例说明。具体的说，例如，可在形成该预成形胶层3后进行镀膜，于所述接触电极21的该底面212形成一第一导电镀层61，或同时在所述接触电极21的该底面212及未被该预成形胶层3包覆的该顶面211分别形成第一导电镀层61及第二导电镀层62，而形成如图8、9所示的结构。
或是，利用镀膜制程的配合，也可得到如图10所示，具有分别形成于所述接触电极21的底面212及所述接触电极21的外露面214 的第一导电镀层61及第三导电镀层63的发光封装组件，或是得到如图11所示，具有同时形成于所述接触电极21的底面212、顶面211、及所述外露面214的第一导电镀层61、第二导电镀层62，及第三导电镀层63的发光封装组件。由图8至11可明显看出，所述接触电极 21被该预成形胶层3包覆的位置均不会形成其它导电镀层。
藉由该导电镀层可加强该导线架单元2与该预成形胶层3、导线 42、或是后续用于封装的高分子封装材料的密着性或可靠性。
综上所述，本新型该发光封装组件利用让该预成形胶层3包覆所述接触电极21的周面213，因此，该发光封装组件的侧面外观不会有金属外露。此外，藉由该预成形胶层3的该底面313形成延伸贯通至该外表面31的所述接点沟槽34，因此可透过目测检视所述接点沟槽 34的爬锡状况，而快速得知该发光封装组件的电连接状态，所以确实能达成本实用新型的目的。