1.一种基座，用于承载被加工工件，其特征在于，所述基座包括依次层叠设置的加热器、隔离层和射频电极，所述隔离层为绝缘材料，以将所述加热器和所述射频电极二者电位隔离。
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述加热器被配置为接地。
3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述加热器和所述隔离层之间设置有第一气体通道，所述第一气体通道与供气管路连通，所述供气管路用于向所述第一气体通道通入惰性气体；所述隔离层和所述射频电极之间设置有第二气体通道，所述隔离层中设有将所述第一气体通道和所述第二气体通道连通的连接通道。
4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述加热器与所述隔离层相对的面上均匀设置有呈同心圆分布的多条第一环形凹槽，以及将所述多条第一环形凹槽相互连通的第一径向凹槽；所述第一环形凹槽和所述第一径向凹槽形成所述第一气体通道。
5.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述射频电极与所述隔离层相对的面上均匀设置有呈同心圆分布的多条第二环形凹槽，以及将所述多条第二环形凹槽相互连通的第二径向凹槽；所述第二环形凹槽和所述第二径向凹槽形成所述第二气体通道。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的基座，其特征在于，所述加热器、所述隔离层和所述射频电极之间的接触面密封贴合，用于将所述惰性气体密封在所述第一气体通道和所述第二气体通道内。
7.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述加热器内设置有第三气体通道，所述第三气体通道与供气管路连通，所述供气管路用于向所述第三气体通道通入惰性气体；所述射频电极内设置有第四气体通道，所述隔离层中设有连接通道，所述第三气体通道和所述第四气体通道通过所述连接通道相连通。
8.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述加热器和所述隔离层之间以及所述隔离层和所述射频电极之间通过烧结或电镀方式连接。
9.一种半导体处理设备，包括腔室和射频源，其特征在于，在所述腔室中设置有根据权利要求1-8任一项所述的基座，所述射频源用于向所述基座中的所述射频电极提供射频功率。
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述腔室为物理气相沉积腔室。