本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种引线框架。
背景技术：
目前，在半导体器件中，有一些封装体的内部会塑封多个芯片，且多个芯片之间还会通过连接铜片连接，结构较为复杂。图1是现有的一种半封装体的结构示意图，请参阅图1，所述封装体包括一引线框架单元，所述引线框架单元包括一基岛10及设置在所述基岛10周围的引脚11，两个叠置的芯片12设置在所述基岛10上，两个芯片12分别通过连接铜片13与引脚11连接，塑封体14包覆所述引线框架单元、芯片12、连接铜片13。该种封装体结构复杂，导致封装体内部的结构应力较大，则在固晶、打线等操作时，引线框架单元容易被拉扯变形。而引线框架单元变形则会导致在做封胶时，液态胶从变形的地方跑出，从而导致溢胶缺陷的发生。
为了稳固引线框架单元的结构，需要对引线框架单元结构较弱的位置进行改变，避免引线框架单元变形。在封装体切割之前，多个引线框架单元相互连接形成一引线框架，多个引线框架单元之间为切割道。通常情况下，增加切割道处的框架的厚度，以增加引线框架的强度，进而避免引线框架单元变形。其缺点在于，增加引线框架的强度的同时会造成切割毛刺，而切割毛刺对封装体的品质有很大影响。
因此，亟需一种新型的引线框架，其在增加引线框架强度的同时不会造成切割毛刺。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种引线框架，其能够增加引线框架强度的同时避免切割金属毛刺的产生，提高封装体的品质。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种引线框架，包括至少一框架单元，相邻的框架单元之间具有切割道，在所述切割道内设置有框架外框，每一所述框架单元还包括至少一个金属连筋，所述金属连筋突出至所述切割道内并与所述框架外框连接，其中，所述金属连筋与所述框架外框的连接拐角的厚度小于所述框架外框的厚度。
进一步，所述框架外框为全金属结构，所述连接拐角为上表面半蚀刻或下表面半蚀刻。
进一步，所述连接拐角沿与金属连筋垂直的方向具有一延伸部。
进一步，所述延伸部的宽度小于所述连接拐角的半径。
进一步，在相邻的金属连筋之间，两个金属连筋对应的连接拐角的延伸部连通，形成哑铃状。
进一步，所述延伸部为上表面半蚀刻或下表面半蚀刻。
本实用新型的优点在于，金属连筋与框架外框的连接拐角的厚度小于框架外框的厚度，在增加引线框架强度的同时避免切割金属毛刺的产生，提高封装体品质。
附图说明
图1是现有的一种半封装体的结构示意图；
图2是本实用新型引线框架的结构示意图；
图3是图2中A处位置的放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的引线框架的具体实施方式做详细说明。
图2是本实用新型引线框架的结构示意图，图3是图2中A处位置的放大示意图，其中，金属部分采用阴影线绘示。请参阅图2及图3，本实用新型引线框架包括至少一框架单元20。在本具体实施方式中，所述引线框架包括四个框架单元20。
相邻的框架单元20之间具有切割道21。所述切割道21指的是在塑封后的切割步骤中，切割刀的切割路径，在本具体实施方式中，每一框架单元20具有一封装线30，相邻的框架单元20的封装线30之间即为切割道21。在所述切割道21内设置有框架外框22。在本具体实施方式中，所述框架外框22为全金属结构，其能够增强所述引线框架的强度，避免框架单元20在后续工艺中变形。
每一所述框架单元20还包括至少一个金属连筋23，所述金属连筋23突出至所述切割道21内并与所述框架外框22连接。所述金属连筋23可与作为后续封装体与外界连通的引脚。其中，所述金属连筋23与所述框架外框22的连接拐角24的厚度小于所述框架外框22的厚度。连接拐角24的厚度小于所述框架外框22的厚度的优点在于，所述连接拐角24处于切割刀的切割处，其厚度变薄，可减少金属毛刺的产生，进而避免金属毛刺影响封装体性能。
在本具体实施方式中，所述框架外框22为全金属结构，则所述连接拐角24为上表面半蚀刻或下表面半蚀刻。所述全金属结构指的是框架外框22未经过腐蚀去除部分金属，而是保持其原有厚度；所述上表面半蚀刻指的是从引线框架的上表面蚀刻所述连接拐角24，去除部分金属，使其厚度小于框架外框22的厚度；所述下表面半蚀刻从引线框架的下表面蚀刻所述连接拐角24，去除部分金属，使其厚度小于框架外框22的厚度。
优选地，所述连接拐角24沿与金属连筋23垂直的方向具有一延伸部25，所述延伸部25向两个金属连筋23之间的方向延伸。所述延伸部25为上表面半蚀刻或下表面半蚀刻，进一步，所述延伸部25与所述连接拐角24的蚀刻方向相同，均为上表面半蚀刻或者下表面半蚀刻。
优选地，所述延伸部25的宽度小于所述连接拐角24的半径，形成火柴头的形状，进而避免影响引线框架的强度。优选地，在相邻的金属连筋22之间，两个金属连筋22对应的连接拐角24的延伸部25连通，形成哑铃状，其能够进一步在增强引线框架强度的同时避免金属毛刺的产生。
目前很多封装体内部设计复杂，包覆的芯片和铜片比较多，应力较大，会导致引线框架的微变形。为了克服微变形这个缺陷，业内把通常都是设计为半蚀刻的切割道设计成了全金属，取消半蚀刻结构，进而来平衡应力。但是，该种方法的缺点是，全金属会产生很大的毛刺量。所以，本申请在所述金属连筋23与所述框架外框22的连接拐角24处，增加了半蚀刻结构，该半蚀刻结构的位置及形状均是根据毛刺产生位置及量而设置，以实现最大程度减少毛刺的产生。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。