1.一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，其特征在于：所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述第一多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱和GaN量子垒组成的周期结构，其周期数为m，其中0≤x≤1，3≤m≤10，所述第一多量子阱层的GaN量子垒的厚度为h1，7nm≤h1≤20nm。
3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述第二多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱和GaN量子垒组成的周期结构，其周期数为k，其中0≤x≤1，3≤k≤6，所述第二多量子阱层的GaN量子垒的厚度为h2，3nm≤h2≤12nm。
4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述P型电子阻挡层为掺Mg的AlzGa(1-z)N，其中0.1≤z≤0.3，掺Mg浓度为1×1018～5×1020cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述衬底材料为硅、蓝宝石、碳化硅、砷化镓、氮化铝、磷化镓、氧化锌以及氮化镓的一种。