技术总结
本实用新型属于半导体技术领域，具体为一种半导体干式蚀刻机台该机台包括依次设置的气闸室、真空传输室以及工艺腔，气闸室通过氮气管二连通于氮气源一；氮气管二上设有氮气阀门一；真空传输室与工艺腔均通过氮气管一连通于氮气源二；真空传输室通过支管组(第一支管与第二支管的组合)与氮气管一连通，支管组包括并列设置的第一支管与第二支管以及第三支管，第一支管与氮气管一连通；第一支管上同时设有压力控制器与氮气阀门二；第二支管通过氮气阀门三与所述氮气管一连通；工艺腔通过第三支管连通于氮气管一，第三支管上设有氮气阀门四。通过改进氮气管道设计，可以简单又有效率地预防硅片产品缺陷的产生并达到降低生产成本的效益。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.04.25
技术公布日：2019.02.19