一种烧结块的制作方法

本实用新型涉及电子元件领域，尤其是一种烧结块。

背景技术：

制备铜内电极多层陶瓷电容器需要采用低温烧结的陶瓷材料，以便与铜内电极共烧，因此其陶瓷材料中一般含有较多含量的助烧成分，以便能在低于铜的熔点的温度下烧结致密。由于助烧成分在高温烧结时往往容易挥发，容易使装载在同一承烧板上的陶瓷芯片出现一致性恶化的问题。具体是，装载在同一承烧板上的陶瓷芯片在高温烧结时，装载密度较大的陶瓷芯片，由于助烧成分挥发气氛浓度较高，能妨碍挥发的进行，因此较多的助烧成分保留在陶瓷芯片中形成液相促进陶瓷芯片的致密化过程，从而烧结后的陶瓷芯片均匀致密；而装载密度较小的陶瓷芯片则因为助烧成分挥发气氛浓度较低，助烧成分挥发损失严重，陶瓷芯片难以烧结致密。所以上述一致性恶化的现象表现为部分陶瓷芯片或陶瓷芯片的局部颜色不一致，瓷体疏松，强度低，这种现象在装载于最外围的陶瓷芯片中表现尤其显著。

对于上述的烧结一致性问题，已经有本领域所知的埋粉烧结法作为应对措施，例如采用含有助烧成分的粉末填埋陶瓷电容器进行烧结，以达到改善烧结气氛的目的，但由于填埋的粉末处于比较松散的堆积状态，往往未能提供足够的局部气氛，故未能解决问题。

CN201510347332.1公开了一种多层陶瓷电容器的制备方法，将采用相同陶瓷材料制备得到的层叠体和生坯块一起放置在承烧板上并使生坯块包围层叠体外围对层叠体进行烧结，生坯块经过压合的步骤，密度较高，能够提供足够的局部气氛并保证处于外围的层叠体获得良好的烧结一致性，但对于承烧板中部位置的层叠体，当其装载密度较小时，仍然存在上述烧结一致性问题。另一方面，由于陶瓷材料中的助烧成分较多，各表面平整的层叠体和各表面平整的生坯块相互接触时，两者容易相互粘连。

CN201510347334.0公开了一种多层陶瓷电容器的制备方法，将层叠体放置在用相同陶瓷材料制备得到的经过压合的第二基板上，再将放置有层叠体的第二基板放置在承烧板上对层叠体进行烧结，如此则不论层叠体在承烧板上各处位置的装载密度大小如何，都能够解决上述烧结一致性问题。但是由于陶瓷材料中的助烧成分较多，存在烧结后陶瓷体和第二基板容易相互粘连的问题。

CN201510347333.6公开了一种多层陶瓷电容器的制备方法，同样能够解决上述烧结一致性问题，并且层叠体与第一基板之间设置有隔离薄膜，因此烧结后两者不会发生粘连。但是由于排粘是对较大体积的第三基板进行，存在层叠体中所含的粘合剂排除不彻底从而烧结后的陶瓷体的致密度和均匀性下降的问题。

技术实现要素：

基于此，本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种烧结块。

为实现上述目的，本实用新型所采取的技术方案为：一种烧结块，所述烧结块为矩形体，所述烧结块至少有一个面具有向内凹陷区域。

本实用新型所述烧结块具有至少有一个面具有向内凹陷区域，因此将烧结块与陶瓷电子元件混在一起时，烧结块与陶瓷电子元件难以形成较大面积的接触，从而陶瓷电子元件不易与烧结块粘连。

优选地，所述烧结块的六个面均具有向内凹陷区域。

优选地，所述向内凹陷区域为一个或多个。

优选地，所述烧结块具有两个相互对置的主面和四个侧面；所述烧结块还包含多个附加层，所述多个附加层在烧结块主面的垂直轴方向上呈层叠对齐排列。这样可以使烧结块中具有附加层的区域和没有附加层的区域形成显著的厚度差从而容易使烧结块的两个主面在对应于没有附加层的区域处向内凹陷。

更优选地，所述附加层分布在两个主面之间的垂直轴方向上，且所述附加层分布在靠近所述烧结块的一个或多个侧面的位置上。

优选地，所述附加层的厚度为2～5μm，所述附加层的个数为16～40个。

优选地，所述附加层的材料为镍、铜、镍铜合金、银合金、银钯合金、陶瓷、玻璃中的一种。

更优选地，所述附加层的材料为镍。当烧结块中的附加层的材料为镍时，可以利用磁选法更方便地将陶瓷电子元件与烧结块分离。

优选地，所述附加层与所述烧结块的一个或多个侧面中的至少一个部分平齐形成引出边。这样可以使得烧结块的两个主面的中间区域向内凹陷，从而与陶瓷电子元件难以形成较大面积的接触。

优选地，所述烧结块主要由陶瓷材料和助烧成分组成，所述陶瓷材料为锆酸钙或锆酸锶，所述助烧成分为SiO2或Bi2O3。

优选地，所述附加层的面积不大于所述烧结块主面面积的10％。

进一步优选地，所述烧结块由印刷有所述附加层的包含所述陶瓷材料和所述助烧成分的陶瓷膜经过层叠、压合、切割、排粘以及烧结而制得。

优选地，所述烧结块为正方体。当烧结块为正方体时，用筛网筛撒烧结块时，烧结块比较容易通过筛孔，操作较为方便。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果为：

将本实用新型烧结块与陶瓷电子元件混在一起放置在承烧板上，再将陶瓷电子元件烧结，烧结块中的助烧成分挥发从而在陶瓷电子元件周围形成挥发浓度较高的局部气氛，能防止陶瓷电子元件中的助烧成分的过度挥发，使烧结后得到的陶瓷电子元件均匀致密、一致性好。

烧结块具有至少有一个面具有向内凹陷区域，因此将烧结块与陶瓷电子元件混在一起时，烧结块与陶瓷电子元件难以形成较大面积的接触，从而陶瓷电子元件不易与烧结块粘连。

承烧板上的陶瓷电子元件被烧结块靠贴包围，则不论陶瓷电子元件的装载密度如何，都处在烧结块形成的局部气氛的影响范围内，将陶瓷电子元件放置在承烧板上的操作较为方便。

烧结块的制备经过压合的步骤，故密度较大，烧结时能够为陶瓷电子元件提供足够的局部气氛。

可以对体积较小的陶瓷电子元件进行排粘，陶瓷电子元件中的粘合剂排除得比较彻底，陶瓷电子元件的致密度和介电性能较好。

附图说明

图1为本实用新型所述烧结块的一种侧视图；

图2为本实用新型实施例2中的烧结块的侧视图；

图3为烧结陶瓷电子元件时将陶瓷电子元件放置在承烧板上的俯视图；

图4为烧结陶瓷电子元件时陶瓷电子元件、烧结块和承烧板的俯视图；

其中，22、附加层；10、陶瓷电子元件；20、烧结块；30、承烧板。

具体实施方式

为更好的说明本实用新型的目的、技术方案和优点，下面将结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例1

本实用新型所述烧结块的一种实施例，结合图1，本实施例所述烧结块如图1所示：

为矩形体，具有两个相互对置的主面和四个侧面，烧结块的六个面均具有向内凹陷区域；烧结块主要由陶瓷材料和助烧成分组成，陶瓷材料可以为锆酸钙或锆酸锶；助烧成分可以为SiO2或Bi2O3；

烧结块包含有多个附加层22，附加层的材料可以为镍、铜、镍铜合金、银或银钯合金，也可以为陶瓷或玻璃；多个附加层22在烧结块两个主面之间的垂直轴方向上呈层叠对齐排列(如图1或图2)，这样可以使烧结块中具有附加层的区域和没有附加层的区域形成显著的厚度差从而容易使烧结块的两个主面在对应于没有附加层的区域处向内凹陷；附加层22的分布位置没有特别限制；附加层的形状没有特别限制；附加层可以是一个连续的区域，也可以是由多个独立区域组成；附加层的面积小于烧结块的主面的面积，并且优选为烧结块的主面的面积的10％以下，如此可以使得烧结块两个主面的凹陷区域面积较大从而减小两个主面与陶瓷电子元件的接触面积，并且节约材料；附加层的厚度优选为2～5μm，附加层的个数优选为16～40个，这样可以使烧结块中具有附加层的区域和没有附加层的区域形成显著的厚度差，并且容易使各个附加层在烧结块两个主面之间的垂直轴方向上对齐，同时也比较节约材料。

烧结块由印刷有所述附加层的包含所述陶瓷材料和助烧成分的陶瓷膜经过层叠、压合、切割、排粘以及烧结而制得。

实施例2

本实用新型所述烧结块的一种实施例，本实施例所述烧结块如图2所示：

本实施例中烧结块的六个面分别具有两处向内凹陷区域；其他均与实施例1相同。

本实施方式中，由于烧结块的六个面均具有两处向内凹陷的区域，较之第一实施方式只有一处向内凹陷的区域，凹陷区域的尺寸更小，因此将烧结块与陶瓷电子元件混在一起时，更容易防止烧结块与陶瓷电子元件形成较大面积的接触，从而烧结时两者不易相互粘连。可以理解，本实施方式的烧结块的尺寸较之第一实施方式具有更宽的选择范围，尤其是在制备小尺寸陶瓷电子元件时，仍然允许烧结块的尺寸较大，从而烧结块的制备比较方便。

实施例3

本实用新型所述烧结块的一种实施例，本实施例所述烧结块：

为矩形体，烧结块的六个面均具有向内凹陷区域；烧结块主要由陶瓷材料和助烧成分组成，陶瓷材料可以为锆酸钙或锆酸锶；助烧成分可以为SiO2或Bi2O3；

烧结块优选为正方体。

本实用新型所述烧结块可以用于改善陶瓷电子元件的烧结气氛，提高陶瓷电子元件的烧结一致性，具体使用方法如下：如图3所示，将采用与烧结块相同的陶瓷材料和助烧成分制得的陶瓷电子元件10放置在承烧板30上。接着可以用筛网将烧结块20均匀地撒在承烧板上，使烧结块与陶瓷电子元件混在一起，如图4所示，再对陶瓷电子元件进行排粘和烧结。烧结时，烧结块中的助烧成分挥发从而在陶瓷电子元件周围形成挥发浓度较高的局部气氛，能防止陶瓷电子元件中的助烧成分的过度挥发，使烧结后的陶瓷电子元件均匀致密、一致性好。优选的，使烧结块完全包围最外围的陶瓷电子元件，并且烧结块基本填满陶瓷电子元件之间的空隙，进一步优选的，使烧结块完全包覆所有的陶瓷电子元件，如此能保证烧结时所有的陶瓷电子元件都处于由烧结块所提供的局部气氛的影响范围内。

当烧结块为正方体时，用筛网筛撒烧结块时，烧结块比较容易通过筛孔，操作较为方便。

由于烧结块的各个面均具有向内凹陷区域，将烧结块与陶瓷电子元件混在一起时，烧结块与陶瓷电子元件难以形成较大面积的接触，从而烧结后两者不易相互粘连。

烧结后可以利用尺寸差异将陶瓷电子元件与烧结块筛分。特别的，当烧结块中的附加层的材料为镍时，可以利用磁选法更方便地将陶瓷电子元件与烧结块分离。

最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。